在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入...

在半导体离子注入工艺中，质量相等、初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，宽度为d的匀强磁场区域，P+离子在磁场中转过θ=30°后，从磁场右边界射出，如图所示．关于上述运动，下列说法正确的是（　　）

A. P+和P3+在电场中运动的时间之比为3：1

B. P+和P3+在磁场中运动的半径之比为3：1

C. P+和P3+在磁场中运动的时间之比为3：2

D. P+和P3+离开磁场时的动能之比为1：3

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在半导体离子注入工艺中，质量相等、初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，宽度为d的匀强磁场区域，P+离子在磁场中转过θ=30°后，从磁场右边界射出，如图所示．关于上述运动，下列说法正确的是（　　）

A. P+和P3+在电场中运动的时间之比为3：1

B. P+和P3+在磁场中运动的半径之比为3：1

C. P+和P3+在磁场中运动的时间之比为3：2

D. P+和P3+离开磁场时的动能之比为1：3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　 ）

A．在内场中的加速度之比为1：1

B．在磁场中运动的半径之比为：1

C．在磁场中转过的角度之比为1：2

D．离开电场区域时的动能之比为1：1

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋求

(1)在磁场中运动的半径之比？

(2)在磁场中运动的时间之比？

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初速度可忽略的铁离子Fe2＋和Fe3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子Fe2＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．不计重力，在电场和磁场中运动时，离子Fe2＋和Fe3＋(　　)

A. 在电场中的加速度之比为3∶2

B. 在磁场中运动的半径之比为：2

C. 在磁场中转过的角度之比为1∶2

D. 离开电场区域时的动能之比为2∶3

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从粒子源不断发射相同的带电粒子，初速度可忽略不计，这些粒子经电场加速后，从M孔以平行于MN方向进入一个边长为d的正方形的磁场区域MNQP，如图7所示，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向外，其中PQ的中点S开有小孔，外侧紧贴PQ放置一块荧光屏。当把加速电压调节为U时，这些粒子刚好经过孔S打在荧光屏上，不计粒子的重力和粒子间的相互作用。

（1）请说明粒子的电性

（2）求出粒子的比荷。

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从粒子源不断发射相同的带电粒子，初速度可忽略不计，这些粒子经电场加速后，从M孔以平行于MN方向进入一个边长为d的正方形的磁场区域MNQP，如图7所示，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向外，其中PQ的中点S开有小孔，外侧紧贴PQ放置一块荧光屏。当把加速电压调节为U时，这些粒子刚好经过孔S打在荧光屏上，不计粒子的重力和粒子间的相互作用。

（1）请说明粒子的电性

（2）求出粒子的比荷。

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如图所示，一束粒子（不计重力，初速度可忽略）缓慢通过小孔O1进入极板间电压为U的水平加速电场区域I，再通过小孔O2射入相互正交的匀强电场和匀强磁场区域II，其中磁场的方向如图所示，磁感应强度大小可根据实际要求调节，收集室的小孔O3与O1、O2在同一条水平线上.则

A.该装置可筛选出具有特定质量的粒子

B.该装置可筛选出具有特定电荷量的粒子

C.该装置可筛选出具有特定比荷的粒子

D.该装置可筛选出具有特定功能的粒子

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环形对撞机是研究高能粒子的重要装置。正、负离子由静止经过电压为U的直线加速器加速后，保持速度大小不变，沿圆环切线方向注入对撞机的真空环状空腔内，空腔内存在着与圆环平面垂直的匀强磁场，磁感应强度大小为B，两种带电粒子将被局限在环状空腔内，沿相反方向做半径相等的匀速圆周运动，从而在碰撞区迎面相撞，为维持带电粒子在环状空腔中的匀速圆周运动，下列说法正确的是（　 ）

A. 对于给定的加速电压，带电粒子的比荷越大，磁感应强度B越大

B. 对于给定的加速电压，带电粒子的比荷越大，磁感应强度B越小

C. 对于给定的带电粒子，加速电压U变大，粒子运动的周期不变

D. 对于给定的带电粒子，加速电压U越大，粒子运动的周期越小

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