如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d＞...

高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d＞L ）的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t=0时导线框的的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框进入并通过磁场区域。下列v-t图像中，可能正确描述上述过程的是

A.

B.

C.

D.

高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d＞L）的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t=0时导线框的的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框进入并通过磁场区域。下列v-t图像中，可能正确描述上述过程的是

高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框，在导线框右侧有一宽度为d(d＞L)的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t＝0时导线框的右边恰与磁场的左边界重合，并以此位置开始计时并作为导线框位移x的起点，随后导线框进入并通过磁场区域。下列图象中，可能正确描述上述过程的是

A.  B.  C.  D.

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框，在导线框右侧有一宽度为d(d＞L)的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t＝0时导线框的右边恰与磁场的左边界重合，并以此位置开始计时并作为导线框位移x的起点，随后导线框进入并通过磁场区域。下列图象中，可能正确描述上述过程的是

A.  B.  C.  D.

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

如下图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d>L）的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t=0时导线框的的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框进入并通过磁场区域。下列v-t图像中，可能正确描述土述过程的是

高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示，金属线框abcd置于光滑水平桌面上，其右方存在一个有理想边界的方向竖直向下的矩形匀强磁场区，磁场宽度大于线圈宽度．金属线框在水平恒力F作用下向右运动，ab边始终保持与磁场边界平行．ab边进入磁场时线框恰好能做匀速运动．则下列说法中正确的是（　 ）

A．线框穿出磁场过程中，一定先做减速运动

B．线框完全处于磁场中的运动阶段，F做的功大于线框动能的增加量

C．线框进入磁场过程，F做的功大于线框内增加的内能

D．线框穿出磁场过程中，F做的功等于线框中产生的焦耳热

高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示，金属线框 abcd 置于光滑水平桌面上，其右方存在一个有理想边界的方向竖直向下的矩形匀强磁场区，磁场宽度大于线圈宽度。金属线框以速度v0开始向右运动最终穿过磁场区域，ab 边始终保持与磁场边界平行，则在线框进入磁场区域和离开磁场区域过程

A.线框受到的安培力方向相同

B.线框受到的安培力大小相同

C.通过线框导体横截面的电量相同

D.线框中产生的热量相同

高三物理多选题困难题查看答案及解析

如图所示，边长为L.总电阻为R的粗细均匀的正方形导线框abcd放置在光滑水平桌面上，其cd边右侧紧邻磁感应强度为B、宽度为2L的有界匀强磁场。现使线框以速度vo匀速通过磁场区域，设刚进入磁场时口、两点间的电势差为u0，线框所受安培力大小为Fo。从开始进入到完全离开磁场的过程中，下列图线能反映线框口、两点间的电势差Uab和线框所受安培力F（取向右为正）随时间变化规律的是

A.

B.

C.

D.

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

正方形导线框abcd置于光滑水平桌面上，其质量为m，电阻值为R，边长为L，在线框右侧距离cd边2L处有一宽度为2L的匀强磁场区域，磁场的左、右边界与线框的cd边平行，磁场的磁感应强度大小为B，方向竖直向下，其俯视图如图所示．对线框施加一水平向右的恒力F，使之由静止开始向右运动，cd边始终与磁场边界平行．已知线框在cd边经过磁场左、右边界时速度相同，则线框

A. 离开磁场区域过程中的电流方向为dcbad

B. 通过磁场区域过程中的最小速度为

C. 通过磁场区域过程中产生的焦耳热为2FL

D. 进入磁场区域过程中受到的安培力的冲量大小为

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析