如图所示，横放“V”字形金属框架放在匀强磁场中，磁场与框架平面垂直，金属棒与框架接触良好，...

如图所示，横放“V”字形金属框架放在匀强磁场中，磁场与框架平面垂直，金属棒与框架接触良好，框架导体和金属棒电阻率相同，截面积相等，现金属棒从B点开始沿“V”字形角平分线方向做匀速直线运动，那么金属棒脱离框架前，电路中的磁通量Φ、感应电动势E、感应电流I以及金属棒所受到的安培力F随时间变化的图象正确的是(　　)

A. 　　 B.

C. 　　 D.

高二物理不定项选择题困难题查看答案及解析

如图所示，横放“V”字形金属框架放在匀强磁场中，磁场与框架平面垂直，金属棒与框架接触良好，框架导体和金属棒电阻率相同，截面积相等，现金属棒从B点开始沿“V”字形角平分线方向做匀速直线运动，那么金属棒脱离框架前，电路中的磁通量Φ、感应电动势E、感应电流I以及金属棒所受到的安培力F随时间变化的图象正确的是(　　)

A. 　　 B.

C. 　　 D.

高二物理不定项选择题困难题查看答案及解析

如图所示，电阻不计且足够长的U型金属框架放置在倾角的绝缘斜面上，该装置处于垂直斜面向下的匀强磁场中，磁感应强度大小质量、电阻的导体棒ab垂直放在框架上，与框架接触良好，从静止开始沿框架无摩擦地下滑。框架的质量、宽度，框架与斜面间的动摩擦因数，与斜面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力。取，，

若框架固定，求导体棒的最大速度；

若框架固定，导体棒从静止开始下滑6m时速度，求此过程回路中产生的热量Q及流过导体棒的电量q；

若框架不固定，求当框架刚开始运动时导体棒的速度大小。

高二物理解答题困难题查看答案及解析

如图所示，两根间距为L的平行金属导轨置于水平面内，导轨之间接有电阻R，电阻为r，长为L的金属棒ab与两导轨垂直并保持良好接触，整个装置放在匀强磁场B中，磁场方向垂直于导轨平面向下。现使导体棒在外力F的作用下向右做匀速直线运动，速度大小为v，下列说法正确的是　　

A. ab捧中的感应电流方向由a到b

B. ab棒两端的电压BLv

C. ab棒中的感应电流大小

D. 穿过回路的磁通量的变化率逐渐增大

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

如图13所示，有一磁感强度的水平匀强磁场，垂直放置一很长的金属框架，框架上有一导体与框架边垂直且始终保持良好接触，由静止开始下滑。已知框架的宽度为，质量为，电阻为，框架电阻不计，取，求：

　(1) 中电流的方向如何？

(2)导体下落的最大速度；

(3)导体在最大速度时的电功率。

高二物理计算题简单题查看答案及解析

如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab，cd接触良好静止在框架上，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示(取图中B的方向为正方向)。而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是(　　)

A. 一直不变　　 B. 一直减小　　 C. 先减小，后增大　　 D. 先增大，后减小

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

高二物理解答题中等难度题查看答案及解析

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

图甲bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在时间(　　 　)

A. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向上

B. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向下

C. PQ受到的摩擦力可能一直增大

D. PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

高二物理多选题简单题查看答案及解析

图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内(　　)

A. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上

B. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下

C. 导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大

D. 导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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