短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子的电子层数和最外层电子数相同，Z单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是
A. 简单离子的半径大小：Y>W
B. 元素W的最高价氧化物对应的水化物的酸性比Z的弱
C. 单质Y和Z均能与强碱溶液反应生成氢气
D. W的气态氢化物稳定性强于X的气态氢化物
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子的最外层只有2个电子，Z单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述不正确的是（ ）
A.X元素可以与W元素形成XW2和XW3两种化合物
B.Y元素的单质一定条件下可以与O2、N2、CO2反应
C.Z原子的最外层电子数为4，形成化合物时一般为+4价
D.X与Y、Z与W都属于同一周期
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍，Y 原子的最外层只有2 个电子，Z 单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是
A、元素W 的简单气态氢化物的热稳定性比X 的强
B、元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z 的弱
C、化合物YX、ZX2、WX3 中化学键的类型相同
D、原子半径的大小顺序： r（Y ）>r（Z ）>r（W） >r（X）
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位于三个周期的短周期元素X、Y、Z、M、N的原子序数依次增大，又知Y原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，M原子的最外层上只有2个电子，Z与X位于同一主族，N与Y位于同一主族。下列叙述正确的是
A.原子半径：r(Z)>r(M)>r(N)>r(Y)>r(X)
B.元素的电负性：Y>N>X>Z
C.元素的第一电离能：I1(M)>I1(Z)>I1(X)
D.原子中的未成对电子数：N>Y>Z>M
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位于三个周期的短周期元素X、Y、Z、M、N的原子序数依次增大，又知Y原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，M原子的最外层上只有2个电子，Z与X位于同一主族，N与Y位于同一主族。下列叙述正确的是
A．原子半径：r(Z)>r(M)>r(N)>r(Y)>r(X)
B．元素的电负性：Y>N>X>Z
C．元素的第一电离能：I1(M)>I1(Z)>I1(X)
D．原子中的未成对电子数：N>Y>Z>M
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子的最外层只有2个电子，Z单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是（ ）
A．元素X的简单气态氢化物的热稳定性比W的弱
B．元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱
C．化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同
D．原子半径的大小顺序：Y＞Z＞W＞X
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子的最外层只有2个电子，Z单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是（ ）
A．元素X的简单气态氢化物的热稳定性比W的强
B．元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱
C．化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同
D．原子半径的大小顺序：rY＞rZ＞rW＞rX
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍，Y 原子的最外层只有2 个电子，Z 单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是 （ ）
A．元素X 的简单气态氢化物的热稳定性比W 的强
B．元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z 的弱
C．化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同
D．原子半径的大小顺序：W >Z > Y >X
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子最外层只有2个，Z单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述不正确的是
A. 元素X的简单气态氢化物的热稳定性比W强
B. 元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性逐渐比Z弱
C. 利用水可证明单质Y与单质Na金属性相对强弱
D. 原子半径的大小顺序：rY＞rZ＞rW＞rX
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短周期元素X、Y、z、W的原子序数依次增大，x原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子最外层只有2个，Z的氧化物可做光纤电缆材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是( )
A. 元素W的氢化物的热稳定性比X弱，因为X的氢化物分子间存在氢键
B. 四种元素形成的最高价氧化物对应水化物的酸性最强的是W
C. 他合物YX、ZX2、WX3中化学键类型相同
D. 原子半径的大小顺序：r(Y)>r(Z)>r(X)>r(W)
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