Ti及其化合物在航天工业上有重要的应用，回答下列问题：（1）基态Ti原子的价电子排布式为_...

Ti及其化合物在航天工业上有重要的应用，回答下列问题：

（1）基态Ti原子的价电子排布式为_______，基态Ti原子核外存在_______对自旋相反的电子。

（2）TiCl4熔点为−23℃，沸点为136℃，TiCl4晶体属于_______晶体。TiCl4可由TiO2与COCl2在一定条件下反应得到，反应的化学方程式为_______，COCl2中共价键类型为_______，C原子的杂化轨道类型是_______，与COCl2互为等电子体的分子为_______。C、O、Cl的电负性由小到大的顺序为_______。

（3）金红石型TiO2晶胞如图，如果晶胞的边长为apm，则它的密度为_______g/cm3（列出计算式即可）。

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钛被称为继铁、铝之后的第三金属，其单质及化合物在航天、军事、航海、医疗等领域都有着重要的应用。请回答下列问题：

（1）基态Ti 原子的价层电子排布图为________________________。

（2）在TiO、TiN、TiS2、TiCl4等化合物中，S、Cl的电负性大小：S________Cl （填“＞”、“＜”或“=”）。O、N 的第一电离能大小为O < N，原因是___________________________。

（3）TiCl4的熔点是-23℃，沸点是136℃，可溶于CCl4，该晶体是_______ 晶体。TiCl4中加入大量水，同时加热，可制得二氧化钛的水合物（TiO2·xH2O），再经焙烧可得TiO2，写出生

成二氧化钛水合物（TiO2·xH2O）的化学方程式_________________________________。

（4）TiO2能溶于浓硫酸并析出一种离子晶体，已知其中阳离子是以链状聚合物形式存在的钛酰阳离子，其结构如下图1所示，其化学式为_____________。阴离子SO42-中硫原子的杂化方式为______________，写出一种与SO42-互为等电子体的分子_____________。

（5）下图2是钛晶体在空间的一种堆积方式，此堆积方式叫______________，钛原子的配位数为____________。已知：a=0.295 nm，c=0.469nm，则该钛晶体的密度为_________g·cm-3（NA表示阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可）。

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【化学一选修3:物质结构与性质】铁、钻、镍等金属及其化合物在科学研究和工业生产中应用十分广泛。回答下列问题:

(1)基态钴原子的价电子排布式为________，铁、钴、镍的基态原子核外未成对电子数最少的是_____________

(2)酞菁钴分子的结构简式如图所示,中心离子为钴离子,酞钴分子中与钴离子通过配位键结合的氮原子的编号是__________ (填1、2、3、4)，三种非金属原子的电负性由大到小的顺序为____(用相应的元素符号表示);碳原子的杂化轨道类型为_________

(3)Fe(CO)x常温下呈液态,熔点为-20.5℃,沸点为103℃,易溶于非极性溶剂,据此可判断Fe(CO) x晶体属于_______ (填晶体类型),若配合物Fe(CO) x的中心原子价电子数与配体提供电子数之和为18,则x=_________

(4)NiO、FeO的晶体结构类型与氯化钠的相同,Ni2+和Fe2+的离子半径分别为69pm和78pm,则熔点NiO ______ FeO(填“>”“<”或“=”),原因是___________________________。

(5)NiAs的晶胞结构如图所示:

①镍离子的配位数为_________。

②若阿伏加德罗常数的值为NA,晶体密度为pg.cm-1,则该晶胞中最近的离子之间的距离为_____cm。(写出计算表达式)

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是____________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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镍与第VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，其中应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态N原子的核外电子排布式为______，基态Ga原子核外有_______个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol－1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镓_____(填“大”或“小”)。

（3）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为____。

（4）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

（5）GaAs为原子晶体，密度为ρg·cm－3，其晶胞结构如图所示。Ga与As以_______键键合。Ga和As的原子半径分别为apm和bpm，设阿伏加德罗常数的值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_______(列出计算式，可不化简)。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是___________________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为__________，基态As原子核外有__________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__________和+3。砷的电负性比镓__________(填“大”或“小”)。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________________。

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是_______________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为__________，晶体的密度为__________(设NA 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。

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镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为__________，基态As原子核外有__________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__________和+3。砷的电负性比镓__________(填“大”或“小”)。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________________。

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是_______________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为__________，晶体的密度为__________(设NA 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。

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