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二氧化锗(GeO2)可用于制备半导体材料,某实验小组以铁矾渣(主要成分为FeO、CaO、GeO和SiO2等)为原料制取二氧化锗的工艺流程如下所示。

已知:25℃时,部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀时的pH如下表所示。

离子

Fe3+

Mn2+

Ge4+

开始沉淀时的pH

2.3

8.3

8.2

沉淀完全时的pH

4.1

9.8

11.2

请回答下列问题:

(1)由下图可知,“浸出”时,所用硫酸的最佳质量分数为________,浸渣的主要成分为________________(填化学式)。

(2)“氧化”时,可选用的试剂为________(填字母)。

A.KMnO4   B.NaOH   C.H2O2   D.I2

(3)“氧化”时,若以适量稀硝酸作氧化剂,则Ge2+被氧化的离子方程式为________________。“氧化”后,选用K3[Fe(CN)6]溶液证明Fe2+已全部被氧化的实验现象为________________________________________________。

(4)“除铁”时,可选用Na2CO3为除铁剂,其原理为____________________________。

(5)已知Ge(OH)4,具有两性,在得到Ge(OH)4的过程中,若溶液的pH大于12,会导致Ge(OH)4溶解,写出该反应的离子方程式:________________________________。

(6)利用惰性电极电解酸性GeSO4溶液也可制得GeO2,则阳极的电极反应式为___________________。

高三化学工业流程中等难度题

少年,再来一题如何?
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