如图所示,粒子源O可以源源不断地产生初速度为零的正离子同位素,即这些正离子带相同的电量q,质量却不相同。所有的正离子先被一个电压为U0的匀强加速电场加速,再从两板中央垂直射入一个匀强偏转电场,已知此偏转电场两板间距为d,板间电压为2U0,偏转后通过下极板上的小孔P离开电场。经过一段匀速直线运动后,正离子从Q点垂直于边界AB进入一正方形的区域匀强磁场(磁感应强度为B,方向垂直纸面向里),不计正离子的重力及离子之间的相互作用力,求:
(1)当正离子从P点离开偏转电场时,求P点和极板左端间的距离L以及此时的速度偏转角;
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径R;
(3)若质量为4m的离子垂直打在磁场边界AD的中点处,求能打在边界AD上的正离子的质量范围。
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如图所示,粒子源O可以源源不断地产生初速度为零的正离子同位素,即这些正离子带相同的电量q,质量却不相同。所有的正离子先被一个电压为U0的匀强加速电场加速,再从两板中央垂直射入一个匀强偏转电场,已知此偏转电场两板间距为d,板间电压为2U0,偏转后通过下极板上的小孔P离开电场。经过一段匀速直线运动后,正离子从Q点垂直于边界AB进入一正方形的区域匀强磁场(磁感应强度为B,方向垂直纸面向里),不计正离子的重力及离子之间的相互作用力,求:
(1)当正离子从P点离开偏转电场时,求P点和极板左端间的距离L以及此时的速度偏转角;
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径R;
(3)若质量为4m的离子垂直打在磁场边界AD的中点处,求能打在边界AD上的正离子的质量范围。
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如图所示,粒子源O可以源源不断地产生初速度为零的正离子同位素,即这些正离子带相同的电量q,质量却不相同。所有的正离子先被一个电压为U0的匀强加速电场加速,再从两板中央垂直射入一个匀强偏转电场,已知此偏转电场两板间距为d,板间电压为2U0,偏转后通过下极板上的小孔P离开电场。经过一段匀速直线运动后,正离子从Q点垂直于边界AB进入一正方形的区域匀强磁场(磁感应强度为B,方向垂直纸面向里),不计正离子的重力及离子之间的相互作用力,求:
(1)当正离子从P点离开偏转电场时,求P点和极板左端间的距离L以及此时的速度偏转角;
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径R;
(3)若质量为4m的离子垂直打在磁场边界AD的中点处,求能打在边界AD上的正离子的质量范围。
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质谱仪是一种测量带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图,离子源A产生电荷量相同而质量不同的离子束(初速度可视为零),从狭缝S1进入电场,经电压为U的加速电场加速后,再通过狭缝S2从小孔垂直MN射入圆形匀强磁场。该匀强磁场的磁感应强度为B,方向垂直于纸面向外,半径为R,磁场边界与直线MN相切E为切点。离子离开磁场最终到达感光底片MN上,设离子电荷量为g,到达感光底片上的点与E点的距离为x,不计重力,可以判断( )
A. 离子束带负电
B. x越大,则离子的比荷一定越大
C. 到达处的离子在匀强磁场运动时间为
D. 到达处的离子质量为
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质谱仪是一种测量带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图,离子源A产生电荷量相同而质量不同的离子束(初速度可视为零),从狭缝S1进入电场,经电压为U的加速电场加速后,再通过狭缝S2从小孔垂直MN射入圆形匀强磁场。该匀强磁场的磁感应强度为B,方向垂直于纸面向外,半径为R,磁场边界与直线MN相切E为切点。离子离开磁场最终到达感光底片MN上,设离子电荷量为g,到达感光底片上的点与E点的距离为x,不计重力,可以判断( )
A. 离子束带负电
B. x越大,则离子的比荷一定越大
C. 到达处的离子在匀强磁场运动时间为
D. 到达处的离子质量为
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如图甲所示,平行正对金属板中心线O处有一粒子源,能连续不断发出质量为m、电量为q、速度为v0的带正电的粒子,所有粒子均沿两板中心线射入板间,在紧靠板的上方等腰三角形PQR内有一垂直纸面向里的匀强磁场,三角形的对称轴与两板中心线重合,且∠RPQ=30°.两板间不加电压时粒子进入磁场时轨迹恰好与PR边相切,如图中所示.当在两板间加如图乙所示的周期性变化的电压时,t=0时刻进入板间的粒子恰好能从板边缘进入磁场.已知板长为l,板间距离为2d,PQ长度为6d,不计粒子的重力和粒子间的相互作用.求:
⑴磁感应强度B的大小;
⑵两板间电压U0;
⑶粒子在磁场中运动的最长和最短时间.
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质谱仪是一种测带电粒子质量和分析同位素的重要工具。如图所示为一种质谱仪的原理示意图,粒子源产生的电荷量为q的正离子,飘入加速电场加速后,刚好沿直线通过速度选择器,通过狭缝O沿垂直磁场的方向进入偏转磁场,并打在底片上的中点P处。已知速度选择器中的电场强度为E,磁感应强度为B1,偏转磁场的磁感应强度为B。,放置底片的区域MN=L,且ON=L。不考虑离子的重力和进入加速电场前的初速度。
(1)求离子的质量m和加速电场的电压U;
(2)只改变偏转磁场磁感应强度的大小,可调节离子打在底片上的位置。为使离子打在底片上,求偏转磁场磁感应强度的调节范围(用B0表示)。
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(8分)质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示.离子源S产生的各种不同正离子束(速度可看作为零),经加速电场(加速电场极板间的距离为d、电势差为U)加速,然后垂直进入磁感应强度为B的有界匀强磁场中做匀速圆周运动,最后到达记录它的照相底片P上.设离子在P上的位置与入口处S1之间的距离为x。
(1)求该离子的荷质比.
(2)若离子源产生的是带电量为q、质量为m1和m2的同位素离子(m1>m2),它们分别到达照相底片上的P1、P2位置(图中末画出),求P1、P2间的距离△x。
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