SiC、GaN、GaP、GaAs等是人工合成半导体的材料，具有高温、高频、大功率和抗辐射的应用性能而成为半导体领域研究热点。试回答下列问题：
（1）碳的基态原子L层电子轨道表达式为__，砷属于__区元素。
（2）N与氢元素可形成一种原子个数比为1：1的粒子，其式量为60，经测定该粒子中有一正四面体构型，判断该粒子中存在的化学键__。
A.配位键 B.极性共价键 C.非极性共价键 D.氢键
（3）CaC2晶体的晶胞结构与NaCl晶体的相似(如图1所示)，但CaC2晶体中含有的哑铃形C22-的存在，使晶胞沿一个方向拉长。CaC2晶体中1个Ca2+周围距离最近的C22-数目为__。
高三化学填空题中等难度题
SiC、GaN、GaP、GaAs等是人工合成半导体的材料，具有高温、高频、大功率和抗辐射的应用性能而成为半导体领域研究热点。试回答下列问题：
（1）碳的基态原子L层电子轨道表达式为__，砷属于__区元素。
（2）N与氢元素可形成一种原子个数比为1：1的粒子，其式量为60，经测定该粒子中有一正四面体构型，判断该粒子中存在的化学键__。
A.配位键 B.极性共价键 C.非极性共价键 D.氢键
（3）CaC2晶体的晶胞结构与NaCl晶体的相似(如图1所示)，但CaC2晶体中含有的哑铃形C22-的存在，使晶胞沿一个方向拉长。CaC2晶体中1个Ca2+周围距离最近的C22-数目为__。
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元素及其化合物在生活及生产中有很多重要用途。
Ⅰ．SiC、BN、GaAs 等是人工合成半导体的材料，具有高温、高频、大功率和抗辐射等优点。请回答：
（1）基态碳原子价电子的电子轨道表达式为____，第一电离能Ga____As（填“>”、 “<”、“＝”）。
（2）BN和GaAs都是原子晶体，它们的硬度和熔点BN＞GaAs，原因是________________。
Ⅱ．卤素化学丰富多彩，能形成卤化物、卤素互化物、多卤化物等多种类型的化合物。
（3）拟卤素(CN)2、(SCN)2与卤素单质结构相似、性质相近，分子中所有原子都满足 8 电子结构。 (CN)2分子中氮原子的轨道杂化类型为_____，σ 键与 π 键数目之比为_______； (SCN)2对应的酸有两种，测得硫氰酸（H—S—C≡N ）的沸点低于异硫氰酸（H—N=C=S），其原因是_________。
（4）①卤化物 RbICl2 在加热时会分解为晶格能相对较大的卤化物 A 和卤素互化物或卤素单质，A 的化学式为_____________；②一定条件下(SCN)2可氧化为CO32—和SO32—等离子，其中SO32—的立体构型为_________。
（5）CaC2晶体的晶胞结构与 NaCl 晶体的相似（如图1 所示），CaC2 晶体中的哑铃形 C22﹣的存在，使晶胞沿一个方向拉长。写出与C22﹣互为等电子体的微粒符号________、_______；此晶体中 1 个 C22﹣周围距离最近的Ca2+为______个；若该晶胞的边长为a、a、b（nm），则该晶体的密度为______ g·cm-3（写出表达式）。
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（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是。
②SO2分子的空间构型为。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为。
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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO2分子的空间构型为▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。
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⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO2分子的空间构型为▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。
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（10分）请完成下列各题：
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有 种。
（2）第ⅢＡ、ⅤＡ族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ｇａ原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，每个Ｇａ原子与 个Ｎ原子相连，与同一个Ｇａ原子相连的Ｎ原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（3）在极性分子ＮＣｌ3中，Ｎ原子的化合价为-3，Ｃｌ原子的化合价为＋1，请推测
ＮＣｌ3水解的主要产物是 （填化学式）。
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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为________。
（2）下列说法正确的是（选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是________（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为________。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为________g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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