氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重...

氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）Al与NaOH溶液反应的离子方程式为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（2）下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是　　　 　　 　　 （填序号）。

a．测定镁和铝的导电性强弱

b．测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/LAlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液

（3）铝热法是常用的金属冶炼方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)　　 ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)　　　 ΔH2 = -521 kJ/mol

Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　 。

（4）氮化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，其反应方程式为　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　 　　　　　　　　 。

（5）工业上用化学气相沉积法制备氮化硅，其反应如下：3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)　　 △H＜0　　

某温度和压强条件下，分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内，进行上述反应，5min达到平衡状态，所得Si3N4(s)的质量是5.60g。

①H2的平均反应速率是　　　　　　 mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不断扩大加料，SiCl4(g)的转化率应　　　　 （填“增大”、“减小”或“不变”）。

（6）298K时，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp＝　　　　　　　　　　 。

为了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需调节pH为　　　　 以上。

高三化学填空题极难题查看答案及解析

氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）Al与NaOH溶液反应的离子方程式为_____________________________________。

（2）下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是____________（填序号）。

a．测定镁和铝的导电性强弱

b．测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/L AlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液

（3）铝热法是常用的金属冶炼方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)　　 ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)　　　 ΔH2 = -521 kJ/mol

Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是_____________________________。

（4）工业上用化学气相沉积法制备氮化硅，其反应如下：

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)　　 △H＜0　　

某温度和压强条件下，分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内，进行上述反应，5min达到平衡状态，所得Si3N4(s)的质量是5.60g。

①H2的平均反应速率是_________ mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不断扩大加料，SiCl4(g)的转化率应______（填“增大”、“减小”或“不变”）。

（5）298K时，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp＝_______________。

为了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需调节pH为______以上。

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氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）Al与NaOH溶液反应的离子方程式为_____________________________________。

（2）下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是____________（填序号）。

a．测定镁和铝的导电性强弱

b．测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/L AlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液

（3）铝热法是常用的金属冶炼方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)　　 ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)　　　 ΔH2 = -521 kJ/mol

Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是_____________________________。

（4）工业上用化学气相沉积法制备氮化硅，其反应如下：

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)　　 △H＜0　　

某温度和压强条件下，分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内，进行上述反应，5min达到平衡状态，所得Si3N4(s)的质量是5.60g。

①H2的平均反应速率是_________ mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不断扩大加料，SiCl4(g)的转化率应______（填“增大”、“减小”或“不变”）。

（5）298K时，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp＝_______________。

为了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需调节pH为______以上。

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氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）Al与NaOH溶液反应的离子方程式为_____________________________________。

（2）下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是____________（填序号）。

a．测定镁和铝的导电性强弱

b．测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/L AlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液

（3）铝热法是常用的金属冶炼方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)　　 ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)　　　 ΔH2 = -521 kJ/mol

Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是_____________________________。

（4）工业上用化学气相沉积法制备氮化硅，其反应如下：

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)　　 △H＜0　　

某温度和压强条件下，分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内，进行上述反应，5min达到平衡状态，所得Si3N4(s)的质量是5.60g。

①H2的平均反应速率是_________ mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不断扩大加料，SiCl4(g)的转化率应______（填“增大”、“减小”或“不变”）。

（5）298K时，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp＝_______________。

为了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需调节pH为______以上。

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氧化铝(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）Al与NaOH溶液反应的离子方程式为_____________________________________。

（2）下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是____________（填序号）。

a．测定镁和铝的导电性强弱

b．测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/L AlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液

（3）铝热法是常用的金属冶炼方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)　　 ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)　　　 ΔH2 = -521 kJ/mol

Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是_____________________________。

（4）工业上用化学气相沉积法制备氮化硅，其反应如下：

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)　　 △H＜0　　

某温度和压强条件下，分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内，进行上述反应，5min达到平衡状态，所得Si3N4(s)的质量是5.60g。

①H2的平均反应速率是_________ mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不断扩大加料，SiCl4(g)的转化率应______（填“增大”、“减小”或“不变”）。

（5）298K时，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp＝_______________。

为了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需调节pH为______以上。

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氮化硅（ Si₃N₄）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途．

I．工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：

方法一：直接氮化法：在1300℃－1400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为

________。

方法二：化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HC1，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是________．

方法三：Si（NH₂）₄热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH₂）₄和一种气体（填分子式）________；然后使Si（NH₂）₄受热分解，分解后的另一种产物的分子式为________。

II．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：

已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色．

（1）原料B的主要成分是（写名称）________。

（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：________。

（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu________（填“能”或“不能”），写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：

阳极：________；阴极：________。

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（15分）

氮化硅（Si₃N₄）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途．

I.工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为________.

方法二  化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是________.

方法三  Si(NH₂)₄热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH₂)₄和一种气体（填分子式）________；然后使Si(NH₂)₄受热分解，分解后的另一种产物的分子式为________．

II.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：

已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色．

（1）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：________．

（2）上述生产流程中电解A的水溶液的化学方程式：________．

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氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域中有重要用途。

Ⅰ.工业上有多种方法来制备氮化硅，下面是几种常见的方法：

（1）方法一 直接氮化法：在1300～1400 ℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为3Si＋2N2Si3N4

（2）方法二　 可以用NH3和SiH4(硅烷)在一定条件下反应，并在600 T的加热基板上生成氮化硅膜,其反应方程式为___________________。

（3）方法三 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是___________________。

（4）方法四 Si(NH2)4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体__________________(填分子式)；然后使Si(NH2)4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为_________________。

Ⅱ.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：

已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。

（1）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：__________________

（2）上述生产流程中电解A的水溶液时，以Cu为阳极电解A的水溶液电解反应方程式为　　　　　　　　 。

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氮化硅（Si₃N₄）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。

I．工业上有多种方法来制备氮氦化硅，常见的方法有：

方法一  直接氦化法：在1300~1400℃时，高纯粉状硅与纯氦气化合，其反应方程式为

________

方法二  化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氦化硅纯度较高，其原因是________。

方法三  Si（NH­₂）₄热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH­₂）₄和一种气体

________（填分子式）；然后使Si（NH₂）₄受热分解，分解后的另一种产物的分子式为________。

II．（1）氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有________。

（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：

3Si（s）+2N₂（g）==Si₃N₄（s）   △H=—750.2kJ/mol

Si（s）+2Cl₂（g）==SiCl₄（g）   △H=—609.6kJ/mol

H₂（g）+Cl₂（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol

请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：

________。

III．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：

已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。

（1）原料B的主要成分是________。

（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：________。

（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？________（填“能”或“不能”）。

写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：

阳极：________；阴极：________。

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碳、氮广泛的分布在自然界中，碳、氮的化合物性能优良，在工业生产和科技领域有重要用途。

（1）氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料，它可由SiO2与过量焦炭在1300～1700oC的氮气流中反应制得：3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g) Si3N4(s)+6CO(g)。⊿H ＝-1591．2 kJ/mol，则该反应每转移1mole—，可放出的热量为　　　　　　 。

（2）某研究小组现将三组CO(g)与H2O(g)的混合气体分别通入体积为2L的恒容密闭容器中，一定条件下发生反应：CO(g)+H2O(g) CO2(g)+H2(g)，得到如下数据：

① 实验1中，前5min的反应速率v(CO2)＝　　　　　　　　　　 。

②下列能判断实验2已经达到平衡状态的是　　　　　　　 。

a．容器内CO、H2O、CO2、H2的浓度不再变化　　　　 b．容器内压强不再变化

c．混合气体的密度保持不变　　　　　　　　　　　　 d．v正(CO) ＝v逆（CO2）

e．容器中气体的平均相对分子质量不随时间而变化

③若实验2的容器是绝热的密闭容器，实验测得H2O(g)的转化率H2O%随时间变化的示意图如下图所示， b点v正　　　 v逆（填“＜”、“＝”或“＞”），t3～t4时刻，H2O(g)的转化率H2O%降低的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（3）利用CO与H2可直接合成甲醇，下图是由“甲醇-空气”形成的绿色燃料电池的工作原理示意图，写出以石墨为电极的电池工作时负极的电极反应式　　　　　　　　　　　　　　 ，利用该电池电解1L 0.5mol/L的CuSO4溶液，当消耗560mLO2（标准状况下）时，电解后溶液的pH＝　　　　　　 （溶液电解前后体积的变化忽略不计）。

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