GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。
A. B. C.[Ne] D.
(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为_______;其中Al的配位数为_________。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则 =________。
高三化学综合题中等难度题
GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga____ (填“大于”或“小于”,下同)As。
(3)科学家合成了一种阳离子为“N5n+”,其结构是对称的,5个N排成“V”形,每个N原子都达到8电子稳定结构,且含有2个氮氮三键;此后又合成了一种含有“N5n+”化学式为“N8”的离子晶体,其电子式为____,其中的阴离子的空间构型为____。
(4)组成相似的CaF3和GaCl3晶体,前者属于离子晶体,后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是________。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm,它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为 ___;紧邻的As原子之间的距离为b,紧邻的As、Ca原子之间的距离为d,则b:d=____,该晶胞的密度为__g ▪cm-3。(阿伏加德罗常数用NA表示)
高三化学综合题困难题查看答案及解析
GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]____________;下列状态的铝元素中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是______________(填标号)。
A. B. C. D.
(2)8—羟基喹啉合铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与 8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为______________; 8—羟基喹啉合铝中所含元素电负性最大的是______________(填元素符号,下同),第一电离能最大的是__________(填元素符号),N原子的杂化方式为_____________。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表格中卤化物的熔点产生差异的原因是_______________________________________________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6分子,分子中每个原子最外层均达到8电子,二聚体Al2Cl6的结构式为______________________________;其中Al的配位数为_________。
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GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。
A. B. C.[Ne] D.
(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为_______;其中Al的配位数为_________。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则 =________。
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GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。
A. B. C.[Ne] D.
(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为_______;其中Al的配位数为_________。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则 =________。
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氮化镓( GaN)是制造SG芯片的材料,氮化铝LED灯可发出紫外光。回答下列问题:
(1) Ga的价电子排布式为____,该基态原子占据最高能级的电子云轮廓图形状为________。
下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是____(填字母)。
(2)8 -羟基喹啉铝常用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_____________,所含元素中电负性最大的是____(填元素符号),N的杂化方式为________________
(3)金属晶体Al、Ga的熔点分别为660℃、30℃,Al比Ga熔点高的原因是____________
(4)氮化镓为六方晶胞,结构如右图所示。该晶体密度为ρg/cm3,晶胞参数a=b≠c(单位:pm),a、b夹角为120°,阿伏加德罗常数的值为NA,则晶胞参数c=____pm(用含a、ρ、NA的代数式表示)。
(5)在立方晶胞中,与晶胞体对角线垂直的面在晶体学中称为(1,1,1)晶面。如右图,该立方晶胞中(1,1,1)晶面共有____个。
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光伏并网发电并使用半导体(LED)照明可以节约大量能源。已知发出白光的LED是由氮化镓(GaN)芯片和钇铝石榴石(YAG,化学式:Y3Al5O12)芯片封装在一起做成的,如图所示。
(1)砷与氮位于同主族,砷化镓也是半导体材料,它的化学式为________。
(2)用简单氧化物形式表示YAG的组成:________。
(3)下列有关光伏并网发电的叙述正确的是________(填序号)。
①LED是新型无机高分子材料
②电流从a流向b
③光伏电池是将太阳能直接转化为电能
④图中N型半导体为正极,P型半导体为负极
⑤如果工业上用光伏电池并网发电精炼粗铜,a极连接精铜电极
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
上海世博会中国馆、主题馆等建筑使用光伏并网发电,总功率达4兆瓦,是历届世博会之最。已知发出白光的LED是由氮化镓GaN芯片与钇铝石榴石(YAG,化学式:Y3Al5O12)芯片封装在一起做成的。下列有关叙述正确的是( )
A.光伏电池实现了太阳能和电能的相互转化
B.图中N型半导体为正极,P型半导体为负极
C.电流从a流向b
D.LED中的Ga和Y都显+3价
高三化学选择题中等难度题查看答案及解析
锌是一种常用金属,镓(Ga)的化合物氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为第三代半导体材料。
I.镓(Ga)是火法冶炼锌过程中的副产品,镓与铝同主族且相邻,化学性质与铝相似。
(1)Ga的原子结构示意图为___________________;
(2) GaN可由Ga和NH3在高温条件下制取,该反应的化学方程式_______________。
(3)下列有关镓和镓的化合物的说法正确的是____________
A.常温下,Ga可与水剧烈反应放出氢气
B.一定条件下,Ga可溶于盐酸和氢氧化钠
C.一定条件下,Ga2O3可与NaOH反应生成盐
D.Ga2O3可由Ga(OH)3受热分解得到
II.锌的冶炼方法有火法和湿法。工业上利用锌焙砂(主要含Zn0、ZnFe2O4,还含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物)湿法制取金属锌的流程如图所示:
已知:Fe的活泼性强于Ni
(4)ZnFe2O4可以写成ZnO·Fe2O3,ZnFe2O4与H2SO4反应的化学方程式为____ _。
(5)净化I操作分为两步:第一步是将溶液中少量的Fe2+氧化;第二步是控制溶液pH,只使Fe3+转化为Fe(OH)3沉淀。净化I生成的沉淀中还含有溶液中的悬浮杂质,溶液中的悬浮杂质被共同沉淀的原因是________________________。
(6)净化II中加入Zn的目的是_______________________。
(7)常温下,净化I中,如果要使c(Fe3+) < 10-5 mol/L,则应控制溶液pH的范围为_____________。已知:Ksp[Fe(OH)3]=8.0×10-38;lg5=0.7
高三化学实验题极难题查看答案及解析
锌是一种常用金属,镓(Ga)的化合物氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为第三代半导体材料。
I.镓(Ga)是火法冶炼锌过程中的副产品,镓与铝同主族且相邻,化学性质与铝相似。
⑴Ga的原子结构示意图为 ___________________。
⑵GaN可由Ga和NH3在高温条件下制取,该反应的化学方程式 。
⑶下列有关镓和镓的化合物的说法正确的是____ 。
A.常温下,Ga可与水剧烈反应放出氢气
B.一定条件下,Ga可溶于盐酸和氢氧化钠
C.一定条件下,Ga2O3可与NaOH反应生成盐
D.Ga2O3可由Ga(OH)3受热分解得到
II.锌的冶炼方法有火法和湿法。工业上利用锌焙砂(主要含ZnO、ZnFe2O4,还含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物)湿法制取金属锌的流程如图所示:
已知:Fe的活泼性强于Ni
⑷ZnFe2O4可以写成ZnO·Fe2O3,ZnFe2O4与H2SO4反应的化学方程式为 。
⑸净化I操作分为两步:第一步是将溶液中少量的Fe2+氧化;第二步是控制溶液pH,只使Fe3+转化为Fe(OH)3沉淀。净化I生成的沉淀中还含有溶液中的悬浮杂质,溶液中的悬浮杂质被共同沉淀的原因是____________________。
⑹净化II中加入Zn的目的是___________________。
⑺常温下,净化I中,如果要使c(Fe3+) < 10-5 mol/L,则应控制溶液pH的范围为_____________。已知:Ksp[Fe(OH)3] = 8.0 × 10-38;lg5 = 0.7
高三化学填空题极难题查看答案及解析
氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为“第三代半导体材料”。镓(31Ga)的氧化物和氢氧化物均为两性化合物,工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是
A.Ga位于第五周期第IIIA族 B.酸性:Al(OH)3>Ga(OH)3
C.Ga(OH)3可与NaOH反应生成NaGaO2 D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料
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