砷化镍可用于制作发光器件、半导体激光器、太阳能电池和高速集成电路。
（1）基态Ni原子的价电子排布式为 ___，基态As原子电子占据最高能级的电子云轮廓图为 __ 形。
（2）第一电离能As ___Se(填“>”或“＜”) ，原因是____。As2O3(砒霜)是两性氧化物，As2O3溶于盐酸生成AsCl3，AsCl3用LiAlH4还原生成AsH3。
（3）①AlH4-的中心原子的杂化方式为___，其空间构型为____，写出一种与AlH4-互为等电子体的分子的化学式___。
②AsH3分子中H—As—H键角__109.5°（填“>”、“=”或“＜”)。AsH3沸点低于NH3，其原因是____。
（4）有机砷
是治疗昏睡病不可缺少的药物，该有机砷中存在的化学键的种类为____(填字母编号)。
a．离子键 b．σ键 c．π键 d．碳碳双键
（5）砷化镍激光在医学上用于治疗皮肤及粘膜创面的感染、溃疡等，砷化镍晶胞如图所示，该晶胞密度ρ为____g·cm-3(列式即可，不必化简)。
高三化学综合题中等难度题
砷化镍可用于制作发光器件、半导体激光器、太阳能电池和高速集成电路。
（1）基态Ni原子的价电子排布式为 ___，基态As原子电子占据最高能级的电子云轮廓图为 __ 形。
（2）第一电离能As ___Se(填“>”或“＜”) ，原因是____。As2O3(砒霜)是两性氧化物，As2O3溶于盐酸生成AsCl3，AsCl3用LiAlH4还原生成AsH3。
（3）①AlH4-的中心原子的杂化方式为___，其空间构型为____，写出一种与AlH4-互为等电子体的分子的化学式___。
②AsH3分子中H—As—H键角__109.5°（填“>”、“=”或“＜”)。AsH3沸点低于NH3，其原因是____。
（4）有机砷
是治疗昏睡病不可缺少的药物，该有机砷中存在的化学键的种类为____(填字母编号)。
a．离子键 b．σ键 c．π键 d．碳碳双键
（5）砷化镍激光在医学上用于治疗皮肤及粘膜创面的感染、溃疡等，砷化镍晶胞如图所示，该晶胞密度ρ为____g·cm-3(列式即可，不必化简)。
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砷化镍可用于制作发光器件、半导体激光器、太阳能电池和高速集成电路。
（1）基态Ni原子的价电子排布式为 ___，基态As原子电子占据最高能级的电子云轮廓图为 __ 形。
（2）第一电离能As ___Se(填“>”或“＜”) ，原因是____。As2O3(砒霜)是两性氧化物，As2O3溶于盐酸生成AsCl3，AsCl3用LiAlH4还原生成AsH3。
（3）①AlH4-的中心原子的杂化方式为___，其空间构型为____，写出一种与AlH4-互为等电子体的分子的化学式___。
②AsH3分子中H—As—H键角__109.5°（填“>”、“=”或“＜”)。AsH3沸点低于NH3，其原因是____。
（4）有机砷是治疗昏睡病不可缺少的药物，该有机砷中存在的化学键的种类为____(填字母编号)。
a．离子键 b．σ键 c．π键 d．碳碳双键
（5）砷化镍激光在医学上用于治疗皮肤及粘膜创面的感染、溃疡等，砷化镍晶胞如图所示，该晶胞密度ρ为____g·cm-3(列式即可，不必化简)。
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【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式 。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为 ，其中As的杂化轨道类型为 。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是 。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
，原子半径分别为
和
，阿伏加德罗常数值为
，则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。（已知1m=1012pm）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
试回答下列问题
(1)写出基态As原子的核外电子排布式_______。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga _____As(填“＞”或“<”下同)，第一电离能Ga _____As
(3)AsCl5分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_______。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为79℃，其原因是________。
(5)GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_______，与As以_____键键合。已知阿伏加德罗常数为NA，晶胞参数
＝lnm，此晶体的密度为_____ g·cm—3(写出计算式)。
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[化学——选修3：物质结构与性质]
砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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