ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种化合价，含ⅥA族元素的化...

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（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种化合价，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，请写出一个与CO₂等电子的化合物________。
（2）把Na₂O、 SiO₂、P₂O₅三种氧化物按熔沸点由高到低顺序排列________。
（3）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（4）Se原子基态核外电子的排布式为________；H₂Se的沸点：－41.1℃，H₂S的沸点：-60.4℃引起两者沸点差异的主要原因是________；
（5）SO₃^2-离子中硫原子的杂化方式________,该离子的立体构型为________；
（6）某金属元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的颜料、脱硫剂。其立方晶体的晶胞结构如右图所示，则该氧化物的化学式为________。

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VIA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）S单质的常见形式为S8，其环状结构如图1所示，S原子采用的轨道杂化方式是　　　　　　　　　；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为　　　　　　　　；
（3）Se原子序数为　　　　　　　　，其核外M层电子的排布式为　　　　　　　；
（4）H2Se的酸性比H2S　　　　　（填“强”或“弱”）．气态SeO3分子的立体构型为　　　　　平面三角形，SO32﹣离子的立体构型为　　　　　三角锥形；
（5）H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10﹣3和2.5×10﹣8，H2SeO4第一步几乎完全电离，K2为1.2×10﹣2，请根据结构与性质的关系解释：
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因：　　　　　　　　　　　　；第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子；
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因：　　　　　　　　　；
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛．立方ZnS晶体结构如图2所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为　　　　　　　　　　　　　　（列式并计算），a位置S2﹣离子与b位置Zn2+离子之间的距离为　　　　　　　　 pm（列式表示）．

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ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表现出多种化合价，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，请写出一个与CO2等电子的化合物_________________；
（2）把Na2O、SiO2、P2O5三种氧化物按熔沸点由高到低顺序排列_________________；
（3）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为_________________；
（4）Se原子基态核外电子的排布式为_________________；
（5）SO32-离子中硫原子的杂化方式__________，该离子的立体构型为____________；
（6）某金属元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的颜料、脱硫剂．其立方晶体的晶胞结构如图所示，则该氧化物的化学式为____________；

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ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种化合价，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，请写出一个与CO₂等电子的化合物________。
（2）把Na₂O、SiO₂、P₂O₅三种氧化物按熔沸点由高到低顺序排列________。
（3）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（4）Se原子基态核外电子的排布式为________；H₂Se的沸点：-41.1℃ ，H₂S的沸点：-60.4℃，引起两者沸点差异的主要原因是________；
（5）SO₃^2-离子中硫原子的杂化方式________,该离子的立体构型为________；
（6）某金属元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的颜料、脱硫剂。其立方晶体的晶胞结构如右图所示，
则该氧化物的化学式为________。

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）S单质的常见形式为S₈，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是______；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______；
（3）Se原子序数为______，其核外M层电子的排布式为______；
（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO₃分子的立体构型为______平面三角形，SO₃²^－离子的立体构型为______三角锥形；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分别为2.7×10^－³和2.5×10^－⁸，H₂SeO₄第一步几乎完全电离，K₂为1.2×10^－²，请根据结构与性质的关系解释：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步电离程度大于第二步电离的原因：________；第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性强的原因：______；
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示，其晶胞边长为540.0 pm，密度为____________(列式并计算)，a位置S²^－离子与b位置Zn²^＋离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。

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【选修3物质结构与性质】（15分）
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）S单质的常见形式为S8，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是　　　　；
　
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离
子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为　　　　　　　　　　；
（3）Se原子序数为　　　　　，其核外M层电子的排布式为　　　　　　　　　　　　　；
（4）H2Se的酸性比H2S　　　　　　（填“强”或“弱”）。气态SeO3分子的立体构型
为　　　　　　　　　　　　，SO32-离子的立体构型为　　　　　　　　　　　　　；
（5）H2SeO3的K1和K2分别为2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步几乎完全电离，
K2为1.2X10-2，请根据结构与性质的关系解释：
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因：　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　；
② H2SeO4比 H2SeO3酸性强的原因：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0 pm．密度为　　　　　　　　　　　　　　（列式并计算），a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为　　　　　　　　　　 pm（列示表示）

高三化学简答题中等难度题查看答案及解析
ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：

（1）S单质的常见形式是S₈，其环状结构如图1所示，S原子采用的轨道杂化方式是________；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（3）Se的原子序数为________，其核外M层电子的排布式为________；
（4）H₂Se的酸性比 H₂S________（填“强”或“弱”）．气态SeO₃分子的立体构型为________，离子的立体构型为________；
（5）H₂SeO₃ 的K₁和K₂分别是2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄的第一步几乎完全电离，K₂是1.2×10^-2，请根据结构与性质的关系解释：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄的第一步电离程度大于第二步电离的原因：________；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性强的原因：________．
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛．立方ZnS晶体结构如图2所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为________g•cm^-3（列式并计算），a位置S^2-离子与b位置Zn²⁺离子之间的距离为________pm（列式表示）
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【化学--选修3：物质结构与性质】
VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是______；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为______；
（3）As原子序数为______，其核外M层和N层电子的排布式为______；
（4）NH₃的沸点比PH₃______（填“高”或“低”），原因是______．
PO₄^3-离子的立体构型为______；
（5）H₃PO₄的K₁、K₂、K₃分别为7.6×10^-3、6.3×10^-8、4.4×10^-13．硝酸完全电离，而亚硝酸K=5.1×10^-4，请根据结构与性质的关系解释：
①H₃PO₄的K₁远大于K₂的原因______；
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因______；
（6）NiO晶体结构与NaCl晶体类似，其晶胞的棱长为a cm，则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为______

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[化学—选修3：物质结构与性质]第ⅤA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含第ⅤA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。
（1）砷元素的基态原子价电子排布图为___________________。
（2）氮元素的单质除了N2外，还有N4，则N4中的N原子的轨道杂化方式为________________。
（3）对氨基苯甲醛与邻氨基苯甲醛相比，沸点较高的是_________（填空“前者”或“后者”），原因是_____________。
（4）汽车安全气囊的产生药剂主要含有NaN3、Fe2O3、KClO4、NaHCO3等物质，在NaN3固体中，阴离子的立体构型为_____________。
（5）王水溶解黄金的反应如下：Au+HNO3+4HCl=H[AuCl4]+NO+2H2O，产物中的H[AuCl4]是配合物，它的配位体是____________。
（6）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是变通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措．已知砷化镓的晶胞结构如图，晶胞参数α=565pm。
①砷化镓的化学式_________________，镓原子的配位数为________。
②砷化镓的晶胞密度=_____________g/cm3(列式并计算)，m位置Ga原子与n位置As原子之间的距离为_________pm（列式表示）。

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VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是________；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（3）As原子序数为________，其核外M层和N层电子的排布式为________；
（4）NH₃的沸点比PH₃________(填“高”或“低”)，原因是________．PO₄³^－离子的立体构型为________；
（5）H₃PO₄的K₁、K₂、K₃分别为7.6×10^－³、6.3×10^－⁸、4.4×10^－¹³．硝酸完全电离，而亚硝酸K=5.1×10^－⁴，请根据结构与性质的关系解释：
①H₃PO₄的K₁远大于K₂的原因________；
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因________；
（6）NiO晶体结构与NaCl晶体类似，其晶胞的棱长为a cm，则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为________cm（用含有a的代数式表示）．在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”（如图），可以认为氧离子作密致单层排列，镍离子填充其中，列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为________g (氧离子的半径为1.40×10^－¹⁰m)

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