硒(Se)、碲(Te)的单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)下列关于硒、碲及其化合物的叙述不正确的是_______。
A.Te 位于周期表的第五周期 Ⅵ A 族
B.Se 的氧化物通常有SeO2和SeO3
C.H2TeO4的酸性比H2SO4的酸性强
D.热稳定性H2Se比H2S弱,但比HBr强
(2)25℃ 时,硒酸的电离H2SeO4=H+ +;⇌H+ + Ka2 = 1×10-3,则0.1 mol·L-1NaHSeO4溶液的pH约为________;NaHSeO4溶液中的物料守恒表达式为____________。
(3)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。工业上常用铜阳极泥(主要含TeO2,还含有少量Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如图:
①铜阳极泥在碱浸前需烘干、研成粉末,目的是____________;
②“碱浸”时TeO2发生反应的化学方程式为_____________;
③“沉碲”时控制溶液的 pH 为 4.5~5.0,生成TeO2沉淀,酸性不能过强的原因是__________;
④“还原”得到固态碲为粗碲,对粗碲进行洗涤,判断洗涤干净的实验操作和现象是________。
高三化学综合题中等难度题
硒(Se)、碲(Te)的单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)下列关于硒、碲及其化合物的叙述不正确的是_______。
A.Te 位于周期表的第五周期 Ⅵ A 族
B.Se 的氧化物通常有SeO2和SeO3
C.H2TeO4的酸性比H2SO4的酸性强
D.热稳定性H2Se比H2S弱,但比HBr强
(2)25℃ 时,硒酸的电离H2SeO4=H+ +;⇌H+ + Ka2 = 1×10-3,则0.1 mol·L-1NaHSeO4溶液的pH约为________;NaHSeO4溶液中的物料守恒表达式为____________。
(3)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。工业上常用铜阳极泥(主要含TeO2,还含有少量Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如图:
①铜阳极泥在碱浸前需烘干、研成粉末,目的是____________;
②“碱浸”时TeO2发生反应的化学方程式为_____________;
③“沉碲”时控制溶液的 pH 为 4.5~5.0,生成TeO2沉淀,酸性不能过强的原因是__________;
④“还原”得到固态碲为粗碲,对粗碲进行洗涤,判断洗涤干净的实验操作和现象是________。
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碲(Te)的单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)下列关于碲及其化合物的叙述不正确的是_______。
A.Te位于元素周期表的第五周期ⅣA族
B. Te的氧化物通常有TeO2和TeO3
C. H2TeO4的酸性比H2SO4酸性强
D.热稳定性H2Te比H2S弱,H2Te比HI强
(2)25℃时,亚碲酸(H2TeO3)的 = 1×10-3, =2×10-8。0. 1 mol . L-1H2TeO3 的电离度 a 约为___________ (); NaHTeO3的溶液的pH_______7(填“>”、“=”或“<”)。
(3)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。工业上常用铜阳极泥(主要含有TeO2、少量Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如下:
①“碱浸”时TeO2发生反应的化学方程式为 _________。
②“沉碲”时控制溶液的pH为4. 5~5. 0,生成Tea沉淀。酸性不能过强的原因是_________;防止局部酸度过大的操作方法是____________。
③“酸溶”后,将SO2通入TeCl4酸性溶液中进行“还原”得到碲,该反应的化学方程式是____________。
④工业上还可以通过电解铜阳极泥碱浸、过滤后的滤液得到单质碲。已知电解时的电极均为石墨,则阴极的电极反应式为__________。
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碲(Te)的单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)下列关于碲及其化合物的叙述不正确的是_______。
A.Te位于元素周期表的第五周期ⅣA族
B. Te的氧化物通常有TeO2和TeO3
C. H2TeO4的酸性比H2SO4酸性强
D.热稳定性H2Te比H2S弱,H2Te比HI强
(2)25℃时,亚碲酸(H2TeO3)的 = 1×10-3, =2×10-8。0. 1 mol . L-1H2TeO3 的电离度 a 约为___________ (); NaHTeO3的溶液的pH_______7(填“>”、“=”或“<”)。
(3)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。工业上常用铜阳极泥(主要含有TeO2、少量Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如下:
①“碱浸”时TeO2发生反应的化学方程式为 _________。
②“沉碲”时控制溶液的pH为4. 5~5. 0,生成Tea沉淀。酸性不能过强的原因是_________;防止局部酸度过大的操作方法是____________。
③“酸溶”后,将SO2通入TeCl4酸性溶液中进行“还原”得到碲,该反应的化学方程式是____________。
④工业上还可以通过电解铜阳极泥碱浸、过滤后的滤液得到单质碲。已知电解时的电极均为石墨,则阴极的电极反应式为__________。
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碲(Te)的单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)下列关于碲及其化合物的叙述不正确的是_______。
A.Te位于元素周期表的第五周期ⅣA族
B. Te的氧化物通常有TeO2和TeO3
C. H2TeO4的酸性比H2SO4酸性强
D.热稳定性H2Te比H2S弱,H2Te比HI强
(2)25℃时,亚碲酸(H2TeO3)的 = 1×10-3, =2×10-8。0. 1 mol . L-1H2TeO3 的电离度 a 约为___________ (); NaHTeO3的溶液的pH_______7(填“>”、“=”或“<”)。
(3)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。工业上常用铜阳极泥(主要含有TeO2、少量Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如下:
①“碱浸”时TeO2发生反应的化学方程式为 _________。
②“沉碲”时控制溶液的pH为4. 5~5. 0,生成Tea沉淀。酸性不能过强的原因是_________;防止局部酸度过大的操作方法是____________。
③“酸溶”后,将SO2通入TeCl4酸性溶液中进行“还原”得到碲,该反应的化学方程式是____________。
④工业上还可以通过电解铜阳极泥碱浸、过滤后的滤液得到单质碲。已知电解时的电极均为石墨,则阴极的电极反应式为__________。
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碲(Te)为第VIA元素.其单质和化合物在化工生产等方面具有重要应用。
(1)TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。与盐酸反应时生成四氯化碲,其化学方程式为________________。
(2)25℃时;亚碲酸(H2TeO3)的 Ka1=1×10-3,Ka2=2×10-8。该温度下,0.1mol·L-1 H2TeO3的电离度α约为______________(α=×100%);NaHTeO3溶液的pH__________7(填“ >”、“<”或“=”)。
(3)工业上常用铜阳极泥(主要成分为Cn2Te,还含有少量的Ag、Au)为原料制备单质碲,其工艺流程如下:
①实验室进行操作I时,下列仪器与该实验操作无关的为__________(填选项字母)。
A.长颈漏斗 B.烧杯 C.锥形瓶 D .玻璃棒
②已知‘浸出渣”的主要成分为TeO2。“加压浸出”时控制溶液pH为4.5~5.0,酸性不能过强的原因为_______________;“加压浸出”过程的离子方程式为______________________。
③“酸浸”后将SO2通入浸出液即可制得单质碲,则生成碲的化学方程式为________________。
④工业上还可以将铜阳极泥煅烧、碱浸后得到Na2TeO3,然后通过电解的方法得到单质碲。已知电解时的电极均为石墨,则阴极的电极反应式为___________。
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碲(Te)是VIA族非金属元素,其单质和化合物在太阻能、电子、橡胶生产方面具有广泛的应用。
(1)根据碲(Te)在元素周期表中的位置,判断H2TeO4的酸性_____(填“大于”、“小于”或“无法判断”)H2SO4酸性。
(2)己知TeO2是两性氧化物,微溶于水,可溶于强酸或强碱。TeO2和NaOH溶液发生反应的化学方程式为_________________。
(3)已知25℃时,亚碲酸(H2TeO3)的电离常数K1=1×10-3,K2=2×10-8。计算:
①0.1mol/L H2TeO3的电离度α约为_______(α=已电离弱电解质分子数/电解质分子总数×100%);
②NaHTeO3溶液的pH_____7(填“>”、“=”或“<”)。
(4)从粗铜精炼的阳极泥(主要含有Cu2Te)中提取粗碲的一和工芝流程如下:
③己知加压酸浸时控制溶液的pH为5.0,生成TeO2沉淀。如果H2SO4溶液浓度过大,将导致TeO2沉淀不完全,原因是_____________。
④防止局部酸度过大的操作方法是___________。
⑤对滤渣“酸浸”后,将Na2SO3加入Te(SO4)2溶液中进行“还原”得到固态碲,该反应的离子方程式是____________。
⑥“还原”得到固态碲后分离出粗碲的方法是________,对粗碲进行洗涤,判断洗涤干净的实验操作和现象是_____________。
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碲(Te)为第五周期元素,与氧同主族,其单质和化合物在化工生产等方面具有广泛应用。
(1)画出碲的原子结构示意图___________________。
(2)已知TeO2微溶于水,易溶于较浓的强酸和强碱。写出TeO2溶于浓氢氧化钠溶液的离子方程式_________________________。
(3)工业上用铜阳极泥(主要成分为Cu2Te,还含有少量的Ag、Au)为原料制备单质碲的工艺流程如下:
①“加压浸出”过程中被氧化的元素为_____________ (填元素符号),1molCu2Te被“浸出”时氧化剂得到的电子数为___________________。
②“酸浸”时,温度过高会使碲的浸出率降低,原因为____________________。
③“还原”过程的化学方程式为____________________。
④工业上还可以将铜阳极泥煅烧、碱浸后得到Na2TeO3溶液,然后再通过电解的方法得到单质碲,阴极的电极反应式为______________________ 。
(4)25℃时,向1mol·L-1的Na2TeO3溶液中滴加盐酸,当溶液pH约为6时,此时溶液中c(HTeO3-) :c(TeO32-)=_____________。(H2TeO3 的Ka1=1.0×10-3,Ka2=2.0×10-8)
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【选修3物质结构与性质】(15分)
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是 ;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离
子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为 ;
(3)Se原子序数为 ,其核外M层电子的排布式为 ;
(4)H2Se的酸性比H2S (填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型
为 ,SO32-离子的立体构型为 ;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7x l0-3和2.5x l0-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,
K2为1.2X10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:
;
② H2SeO4比 H2SeO3酸性强的原因:
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0 pm.密度为 (列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为 pm(列示表示)
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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途.请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如图1所示,S原子采用的轨道杂化方式是 ;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为 ;
(3)Se原子序数为 ,其核外M层电子的排布式为 ;
(4)H2Se的酸性比H2S (填“强”或“弱”).气态SeO3分子的立体构型为 平面三角形,SO32﹣离子的立体构型为 三角锥形;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10﹣3和2.5×10﹣8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10﹣2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因: ;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因: ;
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛.立方ZnS晶体结构如图2所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为 (列式并计算),a位置S2﹣离子与b位置Zn2+离子之间的距离为 pm(列式表示).
高三化学填空题困难题查看答案及解析
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是______;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______;
(3)Se原子序数为______,其核外M层电子的排布式为______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为______平面三角形,SO32-离子的立体构型为______三角锥形;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:________;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:______;
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示,其晶胞边长为540.0 pm,密度为____________(列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。
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