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Ⅰ．镓(Ga)位于周期表的第四周期，与Al同主族，主要存在Ga3+、GaO2-两种离子形式，被广泛应用于电子工业。
（1）用铝粉和Fe2O3做铝热反应实验，需要的试剂还有__________________。
a．KClO3 b. KCl c. MnO2 d. Mg
（2）半导体材料氮化镓由Ga与NH3在一定条件下发生置换反应生成。该过程每生成1molGaN(s)放出热量15.4kJ。镓在周期表中的序号_____________，写出该反应的热化学方程式_________________。
（3）工业上用电解法精炼镓。具体原理如图所示，已知：金属的活动性Zn>Ga>Fe>Cu
①电解精炼镓一段时间后形成的阳极泥主要有______________
②已知精炼时阴极反应：GaO2-+3e-+2H2O=Ga+4OH- 。阳极的电极反应方程式：___________________________________；
Ⅱ．用废铁皮制取铁红(Fe2O3)的部分流程示意图如下：
（4）步骤I温度不能过高。因为：_______________________________。
（5）步骤II中发生反应4Fe(NO3)2＋O2＋(2n＋4)H2O＝2Fe2O3·nH2O＋8HNO3，生成的硝酸又将废铁皮中的铁转化为Fe(NO3)2。
写出后者反应的离子方程式______________________________________。
（6）上述生产流程中，能体现“绿色化学”思想的是______________________ 。
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镓(Ga)位于周期表的第四周期，与Al同主族，主要存在Ga3+、GaO2-两种离子形态，被广泛应用于电子工业。
(1)Ga的原子序数为______。
(2)半导体材料氮化稼是由Ga与NH3在一定条件下合成的，该过程中每生成3molH2时，就会放出30.8kJ的热量。
①反应的热化学方程式是________。
②反应的化学平衡翻常数表决达式是_________________。
③在恒温恒容的密闭体系内进行上述可逆反应，下列有关表达正确的是_____(填字母代号)．
A.Ⅰ图象中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可以为升温或加压
B.Ⅱ图象中纵坐标可以为稼的转化率
C.Ⅲ图象中纵坐标可以为化学反应速率
D.Ⅳ图象中纵坐标可以为体系内混合气体的平均相对分子质量
(3)工业上多用电解精炼法提纯稼。具体原理如下图所示：
已知：金属的活动性Zn>Ga>Fe>Cu
①X为电源的_____极，电解精炼稼时阳极泥的成分是__________；
②在电解过程中使某种离子迁移到达阴极并在阴极放电析出高纯稼, 请写出该电解过程中的电极反应方程式：阳极_________；阴极_________。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为
，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2O
GaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生
NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2OGaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
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氨气常用作致冷剂及制取铵盐和氮肥，是一种用途广泛的化工原料。金属镓是一种广泛用于电子工业 和通讯领域的重要金属，镓元素(31Ga)在元素周期表中位于第四周期 IIIA 族，化学性质与铝元素相似。
(1)如图是当反应器中按 n(N2):n(H2)=1:3 投料后，在 200℃、400℃、600℃下，反应达到平衡时，混合物中 NH3的物质的量分数随压强的变化曲线。
①曲线 a 对应的温度是_____________。
②关于工业合成氨的反应，下列叙述正确的是____________（填字母）。
A．及时分离出 NH3 可以提高 H2 的平衡转化率
B．根据勒夏特列原理，一般采用高温下发生反应
C．上图中 M、N、Q 点平衡常数 K 的大小关系是 K(M) ＝ K(Q) >K(N)
③M 点对应的 H2 转化率是____________。
(2)工业上利用 Ga 与 NH3 合成固体半导体材料氮化镓(GaN)同时有氢气生成。反应中，生成 3 mol H2 时就会放出30.8 kJ 的热。
①该反应的热化学方程式是____________________。
②反应的化学平衡常数表达式是____________。
③在恒温恒容的密闭体系内进行上述可逆反应，下列有关表达正确的是____________。
A．I 图像中如果纵坐标为正反应速率，则 t 时刻改变的条件可以为升温
B．II 图像中纵坐标可以为镓的转化率
C．III 图像中纵坐标可以为化学反应速率
D．Ⅳ图像中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量
④氮化镓(GaN)性质稳定，但能缓慢的溶解在热的 NaOH 溶液中，该反应的离子方程式是：___________________。
(3)将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液中得到溶液 X。己知：
| Al(OH)3 | Ga(OH)3 |
| 酸式电离常数 Ka | 2×10－ 11 | 1×10－ 7 |
| 碱式电离常数 Kb | 1.3×10－ 33 | 1.4×10－ 34 |
往 X 溶液中缓缓通入 CO2，最先析出的氢氧化物是____________。
(4)工业上以电解精炼法提炼镓的原理如下：以待提纯的粗镓（内含 Zn、Fe、Cu 杂质）为阳极，以高纯镓为阴极，以 NaOH 水溶液为电解质溶液。在电流作用下使粗镓在阳极溶解进入电解质溶液，并通过某种离子迁移技 术到达阴极并在阴极放电析出高纯镓。
①己知离子氧化性顺序为：Zn2+<Ga3+< Fe2+<Cu2+，电解精炼镓时阳极泥的成分是____________。
②GaO2－ 在阴极放电的电极方程式是___________。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1） 镓（Ga）的原子结构示意图为
，镓元素在周期表中的位置是_______。
（2）镓能与沸水剧烈反应生成氢气和氢氧化镓，该反应的化学方程式是______________。
（3）氮化镓在电和光的转化方面性能突出，是迄今理论上光电转化效率最高的材料。
资料：镓的熔点较低（29．8℃），沸点很高（2403℃）。
①传统的氮化镓（GaN）制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应，该反应的化学方程式是____________________。
②当代工业上固态氮化镓（GaN）的制备方法是利用镓与NH3在1000℃高温下合成，同时生成氢气，每生成l mol H2时放出10.27 kJ热量。该可逆反应的热化学方程式是 ____________________________________。
③在密闭容器中，充入一定量的Ga与NH3发生上述反应，实验测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强P和温度T的关系曲线如图1所示。
图中A点和C点化学平衡常数的关系是：KA_____ KC （填“＞”“＝”或“＜”），理由是_____________________________。
（4）电解法可以提纯粗镓，具体原理如图2所示：
①粗镓与电源____极相连。（填“正”或“负”）
②镓在阳极溶解生成的Ga3+与NaOH溶液反应生成GaO2－，GaO2－在阴极放电的电极反应式是
_____________________________。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
(1)基态Ga原子中有_____种能量不同的电子，其价电子排布式为_________。
(2)第四周期的主族元素中，基态原子未成对电子数与镓相同的元素有_______(填元素符号)。
(3)三甲基镓[(CH3)3Ga]是制备有机镓化合物的中间体。
①在700℃时，(CH3)3Ga和AsH3反应得到GaAs，化学方程式为____________________。
②(CH3)3Ga中Ga原子的杂化方式为__________；AsH3的空间构型是________________。
(4)GaF3的熔点为1000℃，GaC13的熔点为77.9℃，其原因是_______________________。
(5)砷化镓是半导体材料，其晶胞结构如图所示。
①晶胞中与Ga原子等距离且最近的As原子形成的空间构型为_______。
②原子坐标参数是晶胞的基本要素之一，表示晶胞内部各原子的相对位置。图中a(0，0，0)、b(1，
)，则c原子的坐标参数为______________。
③砷化镓的摩尔质量为M g·mol-1，Ga的原子半径为p nm，则晶体的密度为____g·cm-3。
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金属稼是一种广泛用于电子工业和通讯领域的重要金属，稼元素(31Ga)在元素周期表中位于第四周期，IIIA族，化学性质与铝元素相似。
(1)稼元素的原子结构示意图是_______________________。
(2)工业上利用Ga与NH3高温条件下合成固体半导体材料氮化稼(
GaN)同时又有氢气生成。反应中，每生成3molH2时就会放出30.8kJ的热量。
①反应的热化学方程式是________________________；
②反应的化学平衡常数表达式是___________________，温度升高时，反应的平衡常数_____________(填“变大”“变小”或“不变”)；[
③在恒温恒容的密闭体系内进行上述可逆反应，下列有关表达正确的是__________
A．I图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可以为升温或加压
B．II图像中纵坐标可以为镓的转化率
C．III图像中纵坐标可以为化学反应速率
D．IV图像中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量
(3)工业上提纯镓的方法很多，其中以电解精炼法为多。具体原理如下：以待提纯的粗稼(内含Zn、Fe、Cu杂质)为阳极，以高纯稼为阴极，以NaOH水溶液为电解质溶液。 在电流作用下使粗镓在阳极溶解进入电解质溶液，并通过某种离子迁移技术到达阴极并在阴极放电析出高纯镓。
①己知离子氧化性顺序为：Zn2+<Ga3+<Fe2+<Cu2+，电解精炼镓时阳极泥的成分是________________；
② GaO2－在阴极放电的电极方程式是________________________。
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镓是一种低熔点高沸点的稀有金属，有“电子工业脊梁”的美誉，被广泛应用到光电子工业和微波通信工业；镓（Ga）与铝位于同一主族，金属镓的熔点是29.8℃，沸点是2403℃。
（1）工业上利用Ga(l)与NH3(g)在1000℃高温下合成半导体固体材料氮化镓（GaN），同时生成氢气，每生成lmol H2时放出10.3 kJ热量。写出该反应的热化学方程式__________________。
（2）在密闭容器中，充入一定量的Ga与NH3发生反应，实验测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强P和温度T的关系曲线如图1所示。
① 图1中A点和C点化学平衡常数的大小关系是：KA_____KC，（填“＜”、“＝”或“＞”），理由是__________________________________________________。
② 该反应在T1和P6条件下至3min时达到平衡，此时改变条件并于D点处重新达到平衡，H2的浓度随反应时间的变化趋势如图2所示（3～4 min的浓度变化未表示出来），则改变的条件为__________（仅改变温度或压强中的一种）。
（3）若用压强平衡常数Kp表示，此时B点对应的Kp＝__________（用含P6的式子表示）（Kp为压强平衡常数，用平衡分压代替平衡浓度计算，气体平衡分压=总压×气体体积分数）
（4）电解精炼法提纯镓的具体原理如下：以粗镓（含Zn、Fe、Cu杂质）为阳极，以高纯镓为阴极，以NaOH溶液为电解质。在电流作用下使粗镓溶解进入电解质溶液，并通过某种离子迁移技术到达阴极并在阴极放电析出高纯镓。
①已知离子氧化性顺序为：Zn2＋＜Ga3＋＜Fe2＋＜Cu2＋。电解精炼镓时阳极泥的成分是_________。
②阳极溶解生成的Ga3＋与NaOH溶液反应生成GaO2-，写出GaO2-在阴极放电的电极反应式是_____________。
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在工业上，通过含锌矿石制取应用广泛的锌及其化合物。
（1）Zn在元素周期表中位于_____区，其基态原子价电子排布式为________。
（2）[Zn(CN)4]2-常用于电镀工业中，其中配位原子基态时核外电子的轨道表示式为_____，与CN-互为等电子体的粒子有_____、________（写出两种）。
（3）[Zn(CN)4]2-在水溶液中与甲醛（HCHO）溶液反应可制得HOCH2CN。甲醛分子的立体构型为________．中心原子杂化方式为________；HOCH2CN中元素电负性由大到小的顺序_______，1 mol HOCH2CN分子中，含有σ键的数为_________。
（4）ZnS和HgS晶体在岩浆中先晶出的是________，其原因是___________。
（5）ZnO的一种晶体结构与金刚石类似，4 个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置，则该氧化物的密度为______g/cm3（设晶胞参数为apm，NA表示阿伏伽德罗常数）
，镓元素在周期表中的位置是___。
GaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生
NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
)，则c原子的坐标参数为______________。
GaN)同时又有氢气生成。反应中，每生成3molH2时就会放出30.8kJ的热量。