[化学——选修3:物质结构与性质]
硒化锌是一种透明色半导体,也可作为红外光学材料,熔点是1 520 ℃。
(1)基态锌原子的价电子排布式是________。
(2)根据元素周期律,电负性Se________S,第一电离能Se________As(填“>”或“<”)。
(3)H2S分子的电子式：________，H2Se分子构型是_______,
其中硒原子的杂化轨道类型是________。
(4)H2O的沸点高于H2Se的沸点(-42 ℃),其原因是________。
(5)晶体Zn为六方最密堆积,其配位数是________。
(6)ZnSe晶胞如图,假设阿伏加德罗常数的值为NA,则144 g ZnSe晶体中的晶胞数是________。
高三化学简答题中等难度题
[化学——选修3:物质结构与性质]
硒化锌是一种透明色半导体,也可作为红外光学材料,熔点是1 520 ℃。
(1)基态锌原子的价电子排布式是________。
(2)根据元素周期律,电负性Se________S,第一电离能Se________As(填“>”或“<”)。
(3)H2S分子的电子式：________，H2Se分子构型是_______,
其中硒原子的杂化轨道类型是________。
(4)H2O的沸点高于H2Se的沸点(-42 ℃),其原因是________。
(5)晶体Zn为六方最密堆积,其配位数是________。
(6)ZnSe晶胞如图,假设阿伏加德罗常数的值为NA,则144 g ZnSe晶体中的晶胞数是________。
高三化学简答题中等难度题查看答案及解析
Ⅰ. 硒化锌是一种透明半导体,也可作为红外光学材料,熔点是1 520 ℃。
（1）基态锌原子的价电子排布式是_______。
（2）根据元素周期律,电负性Se____S,第一电离能Se____As(填“>”或“<”)。
（3）H2Se的分子构型是____,其中硒原子的杂化轨道类型是____。
（4）H2O的沸点高于H2Se的沸点(-42 ℃),其原因是________________。
（5）晶体Zn为六方最密堆积,其配位数是____。
Ⅱ 氮及其化合物与人类生产、生活息息相关。回答下列问题:
（1）C、N、O三种元素第一电离能从大到小的顺序是________。
（2）1 mol N2F2含有____ mol σ键。
（3）NH4BF4(氟硼酸铵)是合成氮化硼纳米管的原料之一。1 mol NH4BF4含____ mol配位键。
（4）安全气囊打开时发生的化学反应为10NaN3+2KNO3 = K2O+5Na2O+16N2↑。
①写出与N2互为等电子体的分子________。
②Na2O的晶胞结构如图所示,晶胞边长为566 pm,晶胞中氧原子的配位数为____,Na2O晶体的密度为______(只要求列算式,不必计算出结果)，Na+ 与O2－间的最短距离为_____pm。
高三化学简答题困难题查看答案及解析
[化学——选修3：物质结构与性质]（15分）
硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。回答下列问题：
（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为____ ，该能层具有的原子轨道数为____ 、电子数为 。
（2）硅主要以硅酸盐、____ 等化合物的形式存在于地壳中。
（3）单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以 相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献____ 个原子。
（4）单质硅可通过甲硅烷（SiH4）分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4C1在液氨介质中反应制得SiH4，该反应的化学方程式为___ 。
（5）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：
①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是 。
②SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是____ 。
（6）在硅酸盐中，SiO44－四面体（如下图（a））通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图（b）为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为 。Si与O的原子数之比为 。
高三化学填空题困难题查看答案及解析
[化学—选修3：物质结构与性质]（15分）
硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题：
（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为________，该能层具有的原子轨道数为________、电子数为________。
（2）硅主要以硅酸盐、________等化合物的形式存在于地壳中。
（3）单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以________相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献________个原子。
（4）单质硅可通过甲硅烷（SiH4）分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4，该反应的化学方程式为________。
（5）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：
| 化学键 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
| 键能/(kJ?mol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是________。
②SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是________。
（6）在硅酸盐中，SiO4- 4四面体（如下图（a））通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图（b）为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为________，Si与O的原子数之比为________，化学式为________。
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
| 化学键 | C-C | C-H | C-O | Si-Si | Si-H | Si-O |
| 键能/ | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
四面体（如下图（a））通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式．图（b）为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为______，Si与O的原子数之比为______，化学式为______．
高三化学解答题中等难度题查看答案及解析
[化学—选修3：物质结构与性质]
硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题：
（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为_______，该能层具有的原子轨道数为________、电子数为___________。
（2）硅主要以硅酸盐、___________等化合物的形式存在于地壳中。
（3）单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以___________相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献__________个原子。
（4）单质硅可通过甲硅烷（SiH4）分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4，该反应的化学方程式为___________________________________。
（5）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：
| 化学键 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
| 键能/(kJ•mol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是______。
②SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是___________________________。
（6）在硅酸盐中，SiO4- 4四面体（如下图（a））通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图（b）为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为______，Si与O的原子数之比为_________，化学式为__________________。
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
[化学——选修3：物质结构与性质]
氮的化合物在生产、生活中有广泛应用。
（1）氮化镓(GaN)是新型的半导体材料。基态氮原子的核外电子排布图为____；基态镓(Ga)原子的核外具有____种不同能量的电子。
（2）乙二氨的结构简式为(H2N-CH2-CH2-NH2，简写为en)。
①分子中氮原子轨道杂化类型为____；
②乙二氨可与铜离子形成配合离子[Cu(en)2]2+，其中提供孤电子对的原子是____，配合离子结构简式为____；
③乙二氨易溶于水的主要原因是____。
（3）氮化硼(BN)是一种性能优异、潜力巨大的新型材料，主要结构有立方氮化硼（如图1）和六方氮化硼（如图2），前者类似于金刚石，后者与石墨相似。
①图1中氮原子的配位数为____，离硼原子最近且等距离的硼原子有____个；
②已知六方氮化硼同层中B与N之间的距离为acm，密度为dg•cm-3，则相邻层与层之间的距离为____pm(列出表达式)。
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
[化学——选修3：物质结构与性质]
砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
高三化学填空题困难题查看答案及解析
[化学——选修3：物质结构与性质]砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
高三化学填空题困难题查看答案及解析
[化学——选修3：物质结构与性质]
锗（Ge）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
（1）基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]____________，有__________个未成对电子。
（2）Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Ge原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构角度分析，原因是________________。
（3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____________________。
| GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
| 熔点/℃ | −49.5 | 26 | 146 |
| 沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
（4）光催化还原CO2制备CH4反应中，带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是______________。
（5）Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为_______________________，微粒之间存在的作用力是_____________。
（6）晶胞有两个基本要素：
①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为（0,0,0）；B为（
，0，）；C为（，，0）。则D原子的坐标参数为______。
②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76 pm，其密度为__________g·cm-3（列出计算式即可）。
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析