砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下：
回答下列问题：
（1）六种元素中，非金属性最强的元素是：_______。写出 As 原子的最外层的电子排布式_______，As 原子核外有_______个未成对电子。
（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_______As。（选填“＞”、“＜”或“=”）。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式：______。
（3）NH3 的 分 子 构 型 是_____。 GaF3 的 熔 点 高 于 1000℃ ， GaCl3 的 熔 点 为 77.9℃ ， 可 能 的 原 因 是_____。写出 C2H2 的电子式为：____。
（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料或用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:
| A1 | Si | P |
| Ga | Ge | As |
回答下列问题:
（1）六种元素中，非金属性最强的元素是:________.写出As原子的最外层的电子排布式_________,As原子核外有_____个未成对电子。
（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_____As。(选填“>”、 “<”或“=”)。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式:________________
（3）NH3 的分子构型是_______。GaF3的熔点高于1000°C,GaCl3的熔点为77.9°C,可能的原因是_______.写出C2H2的电子式为:_________
（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因___________
| GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
| 熔点/°C | -49.5 | 26 | 146 |
| 沸点/°C | 83.1 | 186 | 约400 |
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下：
回答下列问题：
（1）六种元素中，非金属性最强的元素是：_______。写出 As 原子的最外层的电子排布式_______，As 原子核外有_______个未成对电子。
（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_______As。（选填“＞”、“＜”或“=”）。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式：______。
（3）NH3 的 分 子 构 型 是_____。 GaF3 的 熔 点 高 于 1000℃ ， GaCl3 的 熔 点 为 77.9℃ ， 可 能 的 原 因 是_____。写出 C2H2 的电子式为：____。
（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____。
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【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式 。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为 ，其中As的杂化轨道类型为 。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是 。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
，原子半径分别为
和
，阿伏加德罗常数值为
，则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。（已知1m=1012pm）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]________。
（2）根据元素周期律，元素的电负性Ga________(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B________Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______________________。
（3）杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为________，As原子采取________杂化。
（4）组成相似的GaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体，从F－和Cl－结构的不同分析其原因是_____________。
（5）原子晶体GaAs的晶胞参数a＝x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为________；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为________(用x表示)pm；该晶体的密度为________g·cm－3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)
。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
试回答下列问题
(1)写出基态As原子的核外电子排布式_______。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga _____As(填“＞”或“<”下同)，第一电离能Ga _____As
(3)AsCl5分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_______。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为79℃，其原因是________。
(5)GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_______，与As以_____键键合。已知阿伏加德罗常数为NA，晶胞参数
＝lnm，此晶体的密度为_____ g·cm—3(写出计算式)。
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