(8分)右图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
(1)单质a、f对应的元素以原子个数比1∶1形成的分子(相同条件下对H2的相对密度为13)中含________σ键和________个π键。
(2)a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与
Ag＋之间以________键结合。
(3)右图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个原因________。
（4）氢键的形成对物质的性质具有一定的影响。
沸点________。（填高或低）
高二化学填空题简单题
(8分)右图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
(1)单质a、f对应的元素以原子个数比1∶1形成的分子(相同条件下对H2的相对密度为13)中含________σ键和________个π键。
(2)a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与
Ag＋之间以________键结合。
(3)右图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个原因________。
（4）氢键的形成对物质的性质具有一定的影响。沸点________。（填高或低）
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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式 _______。
（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含____σ键，_____π键。
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为_____；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为_____，其中X与d的高价离子之间以____ 键组合。
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如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
（1）请写出上图中e单质对应元素原子的电子排布式：________。
（2）a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中σ键和π键个数之比为___。
（3）图中d单质的晶体堆积方式类型是：____。
（4）a与b元素形成的10电子中性分子X的空间构型为_____；将X溶于水后的溶液滴入含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为___，其中X与d的高价离子之间以___键组合。
（5）下列是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：
，请简要说明该物质易溶于水的原因：_____________。
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如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。下列判断不正确的是（ ）
A. 图中对应的e、f单质晶体熔化时克服的是共价键
B. d单质对应元素的电子排布式：1s22s22p63s23p2
C. b元素形成的最高价含氧酸易与水分子之间形成氢键
D. 单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的最简单分子中含2个σ键和2个π键
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图一是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均为热和电的良导体。
（1）单质d对应元素的基态原子M层电子排布式为_____，该元素位于元素周期表的____ 区。
（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 : 1形成的分子(相同条件下对H2的相对密度为13)中含σ键和π键的个数比为____，该分子中心原子的杂化轨道类型为________。
（3）单质b对应元素原子的最高能级电子云轮廓图形状为____ 形，将b的简单氢化 物溶于水后的溶液滴加到AgNO3溶液中至过量，所得络离子的结构可用示意图表示为_______。
（4）图二是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构，请简要说明该物质易溶于水的两个原因_____________。
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如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
（1）单质a、f对应的元素以原子个数比1：1形成的分子（相同条件下对H2的相对密度为13）中含____个σ键，____个ð键。
（2）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为_____；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到配离子的化学式为_____，其中X与Ag+之间以_____键结合。
（3）氢键的形成对物质的性质具有一定的影响．
的沸点_____。（填高或低）
（4）如图是上述六种元素中的一种元素形成的最高价含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个原因：_____________。
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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良
导体。下列判断不正确的是
A．e、f单质晶体熔化时克服的是共价键
B．d单质对应元素原子的电子排布式：1s22s22p63s23p2
C．b元素形成的最高价含氧酸易与水分子之间形成氢键
D．单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中含2个σ键，2个π键
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如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。下列判断不正确的是
A.图中对应的e、f单质晶体熔化时克服的是共价键
B.第二电离能：c＞d
C.b元素形成的最高价含氧酸易与水分子之间形成氢键
D.单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的最简单分子中含2个σ键和2个π键
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