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工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：
（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是______．
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）⇌SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为______．
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）⇌SiCl4（g）+H2（g）的△H=______kJ/mol．
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是______（填物质名称）．
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工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是________（填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是________。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴随的副反应为：________
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为________；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式________。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是________。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是________（填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是________ 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是________，装置D中发生反应的化学方程式为________。
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我国目前广泛应用三氯氢硅氢还原法制备多晶硅。制备三氯氢硅的反应为：
Si(s)＋3HCl(g) == SiHCl3(g)＋H2(g) ΔH=-210 kJ/mol。
伴随的副反应有：Si(s)＋4HCl(g) == SiCl4(g)＋2H2(g) ΔH=-241 kJ/mol。
SiCl4在一定条件下与H2反应可转化为SiHCl3，反应的热化学方程式为：
A．SiCl4＋H2 == SiHCl3＋HCl ΔH= +31 kJ/mol
B．SiCl4＋H2 == SiHCl3＋2HCl ΔH= -31 kJ/mol
C．SiCl4(g)＋H2(g) == SiHCl3(g)＋HCl(g) ΔH=+31 kJ/mol
D．SiCl4(g)＋H2(g) == SiHCl3(g)＋2HCl(g) ΔH= -31 kJ/mol
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三氯氢硅(SiHCl3)是光伏产业的一种关键化学原料，制备反应的方程式为Si(s)＋3HCl(g)
SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
A. 降低压强有利于提高SiHCl3的产率
B. 制备SiHCl3的反应为放热反应
C. 温度为450 K，平衡常数：K(x)＞K (y)＞K (z)
D. 增加HCl的用量，SiHCl3的产率一定会增加
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三氯氢硅(SiHCl3)是光伏产业的一种关键化学原料，制备反应的方程式为Si(s)＋3HCl(g)SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
A. 降低压强有利于提高SiHCl3的产率
B. 制备SiHCl3的反应为放热反应
C. 温度为450 K，平衡常数：K(x)＞K (y)＞K (z)
D. 增加HCl的用量，SiHCl3的产率一定会增加
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三氯氢硅(SiHCl3)是光伏产业的一种关键化学原料，制备反应的方程式为Si(s)＋3HCl(g)SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
A. 降低压强有利于提高SiHCl3的产率
B. 制备SiHCl3的反应为放热反应
C. 温度为450 K，平衡常数：K(x)＞K (y)＞K (z)
D. 增加HCl的用量，SiHCl3的产率一定会增加
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硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列问题：
（1）制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下：
①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式：_____________。
②整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式：____________________。
（2）化学研究性学习小组在探究硅的制取方法时，从资料查阅到下列信息：①Mg在高温条件下可与SiO2反应；②金属硅化物与稀H2SO4反应生成硫酸盐和SiH4；③SiH4在空气中自燃。
他们根据信息进行实验，当用足量稀H2SO4溶解第①步实验获得的固体产物时，发现有
爆鸣声和火花；然后过滤、洗涤、干燥；最后称量、计算，测得其产率只有预期值的63%左右。
①第①步实验发生反应的化学方程式是 ；______ ____。
②用稀H2SO4溶解第①步实验获得固体产物时，产生爆鸣声和火花的原因是(用化学方程式表示)_________________， 。
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硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列问题：
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前
制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下：
写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式_______________________________。整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式______________________________________________。H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是____________________________________________。
(2)下列有关硅材料的说法正确的是________(填字母)。
A．碳化硅化学性质稳定，可用于生产耐高温水泥
B．氮化硅硬度大、熔点高，可用于制作高温陶瓷和轴承
C．高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料——光导纤维
D．普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的，其熔点很高
E．盐酸可以与硅反应，故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少量硅酸钠溶液于试管中，逐滴加入饱和氯化铵溶液，振荡。写出实验现象并给予解释。____________________________________________。
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晶体硅是一种重要的非金属材料，制备纯硅的主要步骤如下：
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3：Si＋3HCl 
SiHCl3＋H2
③SiHCl3与过量H2在1 000～1 100 ℃反应制得纯硅。
已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
请回答下列问题：
(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为_______________________________。
(2)粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3(沸点－33 ℃)中含有少量SiCl4(沸点57.6 ℃)和HCl(沸点－84.7 ℃)，提纯SiHCl3采用的方法为________。
(3)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图(热源及夹持装置略去)
①装置B中的试剂是________。装置C中的烧瓶需要加热，其目的是
________________________________________________________________。
②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是________，装置D不能采用普通玻璃管的原因是__________________________________。
装置D中发生反应的化学方程式为_______________________________。
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及__________________________________________________
④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂是(填写字母代号)________。
a．碘水 b．氯水 c．NaOH溶液 d．KSCN溶液
e．Na2SO3溶液
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甲硅烷广泛用于电子工业、汽车领域，三氯氢硅（SiHCl3）是制备甲硅烷的重要原料。回答下列问题：
(1)工业上以硅粉和氯化氢气体为原料生产SiHCl3时伴随发生的反应有：
Si(s)＋4HCl(g)= SiCl4(g)＋2H2(g) ∆H＝-241 kJ/mol
SiHCl3(g)＋HCl(g)=SiCl4(g)＋H2(g) ∆H＝-31 kJ/mol
以硅粉和氯化氢气体生产SiHCl3的热化学方程式是____________________________。
(2)工业上可用四氯化硅和氢化铝锂（LiAlH4）制甲硅烷，反应后得甲硅烷及两种盐。该反应的化学方程式为_________________。
(3)三氯氢硅歧化也可制得甲硅烷。反应2SiHCl3(g) 
SiH2Cl2(g)＋SiCl4(g)为歧化制甲硅烷过程的关键步骤，此反应采用一定量的PA100催化剂，在不同反应温度下测得SiHCl3的转化率随时间的变化关系如图所示。
① 353.15 K时，平衡转化率为_________，反应的平衡常数K＝________（保留3位小数）。该反应是________反应（填“放热”“吸热”）。
②323.15 K时，要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有_________、__________。
③ 比较a、b处反应速率的大小：va_____vb （填“＞”“＜”或“＝”）。已知反应速率v正＝
，v逆＝
，k1、k2分别是正、逆反应的速率常数，与反应温度有关，x为物质的量分数，则在353.15 K时
＝________（保留3位小数）。
SiHCl3（g）+H2（g） 
SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
爆鸣声和火花；然后过滤、洗涤、干燥；最后称量、计算，测得其产率只有预期值的63%左右。
SiHCl3＋H2
SiH2Cl2(g)＋SiCl4(g)为歧化制甲硅烷过程的关键步骤，此反应采用一定量的PA100催化剂，在不同反应温度下测得SiHCl3的转化率随时间的变化关系如图所示。
，v逆＝
，k1、k2分别是正、逆反应的速率常数，与反应温度有关，x为物质的量分数，则在353.15 K时
＝________（保留3位小数）。