半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），...

半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（　 ）

A. 如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体

B. 霍尔系数越大的材料，其内部单位体积内的载流子数目越多

C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向，则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。

D. 若将电流方向改为沿z轴正方向，则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。

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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（　　 ）

A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体

B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体

C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为

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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。

图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是

A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体

B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体

C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为

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半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫型半导体，以空穴导电为主的半导体叫型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为．当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差，霍尔电势差大小满足关系，其中为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为，下列说法中正确的是：（　　　 ）

A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体

B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体

C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为

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半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫型半导体，以空穴导电为主的半导体叫型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为．当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差，霍尔电势差大小满足关系，其中为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为，下列说法中正确的是：（　　　 ）

A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体

B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体

C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为

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常见的半导体材料分为P 型半导体和N型半导体，P型半导体中导电载流子是空穴(看作带正电),N型半导体中导电栽流子是电子，利用如图所示的方法可以判断半导体材料的类型并测得半导体中单位体积内的栽流子数。现测得一块横截面为矩形的半导体的宽为b，厚为d，并加有与侧面垂直的匀强磁场B，当通以图示方向电流I时，在半导体上、下表面间用电压表可测得电压为U，载流子的电荷量为e，则下列判断正确的是

A. 若上表面电势高，则为P型半导体

B. 若下表面电势高，则为P型半导体

C. 该半导体单位体积内的载流子数为

D. 该半导体单位体积内的载流子数为

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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