半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫
型半导体，以空穴导电为主的半导体叫
型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为
、宽为
、厚为
的半导体样品板放在沿
轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为
．当有大小为
、沿
轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与
轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差
，霍尔电势差大小满足关系
，其中
为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为
，下列说法中正确的是：（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
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半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫型半导体，以空穴导电为主的半导体叫型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为．当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差，霍尔电势差大小满足关系，其中为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为，下列说法中正确的是：（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
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半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫型半导体，以空穴导电为主的半导体叫型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为．当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差，霍尔电势差大小满足关系，其中为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为，下列说法中正确的是：（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B. 霍尔系数越大的材料，其内部单位体积内的载流子数目越多
C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向，则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。
D. 若将电流方向改为沿z轴正方向，则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。
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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体
C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。
图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是
A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体
C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
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导体导电是导体中的自由电荷定向移动的 结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子，现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一 类为N型半导体，它的载流子是电子；另 一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”， 相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的霍尔元件样品置于磁场中，表面与磁场方向垂直，图中的 1、2、3、4 是霍尔元件上的 四个接线端，当开关S1、S2闭合后，三个电表都有明显示数，下列说法正确的是（ ）
A.通过霍尔元件的磁场方向向下
B.如果该霍尔元件为N型半导体材料制成，则接线端4的电势低于接线端2的电势
C.如果该霍尔元件为P型半导体材料制成，则接线端4的电势低于接线端2的电势
D.若仅适当减小R1，则电压表示数一定减小
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常见的半导体材料分为P 型半导体和N型半导体，P型半导体中导电载流子是空穴(看作带正电),N型半导体中导电栽流子是电子，利用如图所示的方法可以判断半导体材料的类型并测得半导体中单位体积内的栽流子数。现测得一块横截面为矩形的半导体的宽为b，厚为d，并加有与侧面垂直的匀强磁场B，当通以图示方向电流I时，在半导体上、下表面间用电压表可测得电压为U，载流子的电荷量为e，则下列判断正确的是
A. 若上表面电势高，则为P型半导体
B. 若下表面电势高，则为P型半导体
C. 该半导体单位体积内的载流子数为
D. 该半导体单位体积内的载流子数为
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常用的温差发电装置的主要结构是半导体热电偶。如图所示，热电偶由N型半导体和P型半导体串联而成，N型半导体的载流子（形成电流的自由电荷）是电子，P型半导体的载流子是空穴，空穴带正电且电荷量等于元电荷e。若两种半导体相连一端和高温热源接触，而另一端A、B与低温热源接触，两种半导体中的载流子都会从高温端向低温端扩散，最终在A、B两端形成稳定的电势差，且电势差的大小与高温热源、低温热源间的温度差有确定的函数关系。下列说法正确的是（ ）
A. B端是温差发电装置的正极
B. 热电偶内部非静电力方向和载流子扩散方向相反
C. 温差发电装置供电时不需要消耗能量
D. 可以利用热电偶设计一种测量高温热源温度的传感器
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常用的温差发电装置的主要结构是半导体热电偶。如图所示，热电偶由N型半导体和P型半导体串联而成，N型半导体的载流子（形成电流的自由电荷）是电子，P型半导体的载流子是空穴，空穴带正电且电荷量等于元电荷e。若两种半导体相连一端和高温热源接触，而另一端A、B与低温热源接触，两种半导体中的载流子都会从高温端向低温端扩散，最终在A、B两端形成稳定的电势差，且电势差的大小与高温热源、低温热源间的温度差有确定的函数关系。下列说法正确的是（ ）
A. B端是温差发电装置的正极
B. 热电偶内部非静电力方向和载流子扩散方向相反
C. 温差发电装置供电时不需要消耗能量
D. 可以利用热电偶设计一种测量高温热源温度的传感器
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