-
半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料．参与半导体导电的粒子--载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子导电是大家所熟悉的，不过半导体中的自由电子浓度比金属中小得多．“空穴”可以看成是带正电粒子，空穴的定向移动也形成电流，那就是空穴导电，这样我们就可以以参与导电的载流子不同而将半导体分为两类：P型半导体和N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体，以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体．如图所示，是为了检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的装置示意图，图中一块半导体样品板放在垂直于板平面水平向里的匀强磁场中，当有大小为I的恒定电流垂直于磁场方向通过样品板时，在板的上、下两个侧面之间会产生个恒定的电势差U1-U2．
（1）如果测得U1-U2＞0，则这块样品板的载流子是正电荷还是负电荷？说明理由．
（2）设磁场的磁感应强度为B，样品板的厚度为d，宽度为b，每个载流子所带电量的绝对值为e．证明，样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为n=
•
．
-
半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B. 霍尔系数越大的材料，其内部单位体积内的载流子数目越多
C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向，则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。
D. 若将电流方向改为沿z轴正方向，则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。
-
半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体
C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
-
半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。
图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是
A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体
C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
-
半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫
型半导体，以空穴导电为主的半导体叫
型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为
、宽为
、厚为
的半导体样品板放在沿
轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为
．当有大小为
、沿
轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与
轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差
，霍尔电势差大小满足关系
，其中
为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为
，下列说法中正确的是：（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
-
半导体内导电的粒子—“转流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫型半导体，以空穴导电为主的半导体叫型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为．当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差，霍尔电势差大小满足关系，其中为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为，下列说法中正确的是：（ ）
A. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高，则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
-
常见的半导体材料分为P 型半导体和N型半导体，P型半导体中导电载流子是空穴(看作带正电),N型半导体中导电栽流子是电子，利用如图所示的方法可以判断半导体材料的类型并测得半导体中单位体积内的栽流子数。现测得一块横截面为矩形的半导体的宽为b，厚为d，并加有与侧面垂直的匀强磁场B，当通以图示方向电流I时，在半导体上、下表面间用电压表可测得电压为U，载流子的电荷量为e，则下列判断正确的是
A. 若上表面电势高，则为P型半导体
B. 若下表面电势高，则为P型半导体
C. 该半导体单位体积内的载流子数为
D. 该半导体单位体积内的载流子数为
-
在第三次工业革命的今天，新材料的发现和运用尤为重要。我国某科研机构发现一种新型的半导体材料，目前已经知道这种半导体材料的载流子（参与导电的“带电粒子”）的电荷量的值是e（电子电量的绝对值），但不知道它的电性和载流子的数密度n（单位体积中载流子的数量）。为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电，以及载流子的数密度，科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品，这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d（如图中所示）。现将这块样品接入电路中，且把靠外的偏平面标记为M，靠里的偏平面标记为N，然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场。接通电键S，调节可变电阻R．使电路中产生合适的电流。然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压（也叫霍耳电压），从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度。
（1）当M的电势比N的电势低时，材料中的载流子带________电（填“正”或“负”）；
（2）为了测定载流子的数密度n，除题目中已给出的数据外，还需要测定的物理量有（写出物理量的含义并设定相应的符号）________；
（3）根据题设条件和你测定的物理量，写出载流子的数密度的表达式n=________。
-
导体导电是导体中的自由电荷定向移动的 结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子，现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一 类为N型半导体，它的载流子是电子；另 一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”， 相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的霍尔元件样品置于磁场中，表面与磁场方向垂直，图中的 1、2、3、4 是霍尔元件上的 四个接线端，当开关S1、S2闭合后，三个电表都有明显示数，下列说法正确的是（ ）
A.通过霍尔元件的磁场方向向下
B.如果该霍尔元件为N型半导体材料制成，则接线端4的电势低于接线端2的电势
C.如果该霍尔元件为P型半导体材料制成，则接线端4的电势低于接线端2的电势
D.若仅适当减小R1，则电压表示数一定减小
-
现代科学技术的发展与材料科学、能源的开发密切相关，下列关于材料、能源的说法正确的是（ ）
A．化石能源为清洁能源
B．纳米材料的粒度在1-100μm之间
C．半导体材料的导电性能介于金属导体和绝缘体之间
D．液晶既有液体的流动性，又有光学性质的各向同性
•
．
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（ ）
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是
型半导体，以空穴导电为主的半导体叫
型半导体．图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图，图中一块长为
、宽为
、厚为
的半导体样品板放在沿
轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为
．当有大小为
、沿
轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与
轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差
，霍尔电势差大小满足关系
，其中
为材料的霍尔系数．若每个载流子所带电量的绝对值为
，下列说法中正确的是：（ ）
