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硅单质及其化合物应用很广。请回答下列问题：
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下 ：
①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式____________________。
②整个制备过程必须严格控制无水、无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式____________________；H2还原SiHCl3过程中若混有O2，可能引起的后果是____________________。
(2)下列有关硅材料的说法正确的是 ( )。
A．单质硅化学性质稳定，但可以被强碱溶液腐蚀
B．盐酸可以与硅反应，故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
C．普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的，其熔点很高
D．光导纤维的主要成分是SiO2
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少量硅酸钠溶液于试管中，逐滴加入盐酸，振荡。写出实验现象并给予解释(用化学方程式说明)_________________________ ____。
(4)在人体器官受到损伤时，需要使用一种新型无机非金属材料来植入体内，这种材料是________(填字母)。
A．高温结构陶瓷 B．生物陶瓷 C．导电陶瓷
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硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列问题：
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前
制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下：
写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式_______________________________。整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式______________________________________________。H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是____________________________________________。
(2)下列有关硅材料的说法正确的是________(填字母)。
A．碳化硅化学性质稳定，可用于生产耐高温水泥
B．氮化硅硬度大、熔点高，可用于制作高温陶瓷和轴承
C．高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料——光导纤维
D．普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的，其熔点很高
E．盐酸可以与硅反应，故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少量硅酸钠溶液于试管中，逐滴加入饱和氯化铵溶液，振荡。写出实验现象并给予解释。____________________________________________。
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料，回答下列问题：
(1)SiHCl3在催化剂作用下发生反应:
2SiHCl3(g) = SiH2Cl2(g) + SiCl4(g) △H1 = +48 kJ/mol
4SiHCl3(g) = SiH4(g) + 3SiCl4(g) △H3 = +114 kJ/mol
则反应3SiH2Cl2(g) = SiH4(g) + 2SiHCl3(g)的△H=______________kJ/mol。
(2)对于反应2SiHCl3(g) = SiH2Cl2(g) + SiCl4(g)，采用合适的催化剂，在323 K和343 K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
①323 K时反应的平衡转化率ɑ =______%。比较a、b处反应速率大小：υa_____υb(填“>”、“<”、“=”)
②在343 K下：要提高SiHCl3平衡转化率，可采取的措施是_______，要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有_______。(两问均从下列选项中选择合适的选项填空)
A、增大反应物浓度
B、增大压强
C、及时将产物从体系分离
D、使用更高效的催化剂
③某温度(T K)下，该反应可使SiHCl3的平衡转化率达到30%，则该温度下的平衡常数KT K___K343 K(填“>”、“<”、“=”)，已知反应速率υ=υ正-υ逆=k正x2(SiHCl3)-k逆x(SiH2Cl2)x(SiCl4)，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，计算在该温度下当转化率为20%的时刻，υ正/υ逆=_____________(保留1位小数)。
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
(1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无色透明液体，遇水气时发烟生成(HSiO)2O等，写出该反应的化学方程式___。
(2)SiHCl3在催化剂作用下发生反应：
2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g) ΔH1=48kJ·mol-1
3SiH2Cl2(g)=SiH4(g)+2SiHCl3(g) ΔH2=-30kJ·mol-1
则反应4SiHCl3(g)=SiH4(g)+3SiCl4(g)的ΔH=___kJ·mol-1。
(3)对于反应2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
①343K时反应的平衡转化率α=___%。
②比较a、b处反应速率大小：va___vb(填“大于”“小于”或“等于”)。
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
(1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无色透明液体，遇潮气时发烟生成(HSiO)2O等，写出该反应的化学方程式_______________________________。
(2)SiHCl3在催化剂作用下发生反应：
2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+ SiCl4(g) ΔH1= +48 kJ·mol−1
3SiH2Cl2(g)=SiH4(g)+2SiHCl3 (g) ΔH2= −30 kJ·mol−1
则反应4SiHCl3(g)=SiH4(g)+ 3SiCl4(g)的ΔH=__________ kJ·mol−1。
(3)对于反应2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323 K和343 K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
①343 K时反应的平衡转化率α=_________%。平衡常数K343 K=__________(保留2位小数)。
②在343 K下：要提高SiHCl3转化率，可采取的措施是___________；要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有____________、___________。
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料，在催化剂作用下可发生反应：2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，在50 ℃和70 ℃时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列叙述正确的是
A.正反应方向为放热反应
B.反应速率大小：va ＜vb
C.70 ℃时，平衡常数K =
D.增大压强，可以提高SiHCl3的平衡转化率，缩短达平衡的时间
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料，在催化剂作用下可发生反应：2SiHCl3(g) SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，在50 ℃和70 ℃ K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
下列叙述不正确的是
A.该反应为吸热反应
B.反应速率大小：va ＞vb
C.70 ℃时，平衡常数K =0.112/0.782
D.增大压强，可以提高SiHCl3的平衡转化率，缩短达平衡的时间
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料，在催化剂作用下可发生反应：2SiHCl3(g) SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，在50 ℃和70 ℃ K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
下列叙述不正确的是
A.该反应为吸热反应
B.反应速率大小：va ＞vb
C.70 ℃时，平衡常数K =0.112/0.782
D.增大压强，可以提高SiHCl3的平衡转化率，缩短达平衡的时间
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由二氧化硅制高纯硅的流程如图，下列判断中错误的是( )
A.①②③均属于氧化还原反应 B.氢气和氯化氢均可循环利用
C.二氧化硅是一种坚硬难熔的固体 D.三氯甲硅烷(SiHCl3)摩尔质量为135.5 g
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料，对于反应2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g) ＋SiCl4(g)，应速率v＝v正－v逆＝k正x2SiHCl3－k逆xSiH2Cl2xSiCl4，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列说法错误的是（ ）
A.该反应的正反应活化能大于逆反应活化能
B.a、b处反应速率大小：va大于vb
C.温度一定时使用更优质催化剂，可使k正、k逆增大，k正与k逆的比值增大
D.343K时反应的平衡常数K=
SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323 K和343 K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，在50 ℃和70 ℃时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列叙述正确的是
SiH2Cl2(g) ＋SiCl4(g)，应速率v＝v正－v逆＝k正x2SiHCl3－k逆xSiH2Cl2xSiCl4，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列说法错误的是（ ）