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（15分）
⑴如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
①请写出图中b单质对应元素原子的电子排布式________。
②单质a、f对应的元素以原子个数比1∶1形成的分子(相同条件下对H2的相对密度为13)中含________个σ键和________个π键。
③a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与Ag＋之间以________键结合。
④上图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构，请简要说明该物质易溶于水的原因：________ 。
⑵碳是形成化合物最多的元素，其单质与化合物广布于自然界。
①与碳同周期的非金属元素N的第一电离能大于O的第一电离能，原因是________；
②CS2是一种重要的有机溶剂，写出一种与CS2互为等电子体的物质的化学式________；
③冰晶胞中水分子的空间排列方式与金刚石晶胞（其晶胞结构如上图，其中空心球所示原子位于立方体的顶点或面心，实心球所示原子位于立方体内）类似。每个冰晶胞平均占有________个水分子，冰晶胞与金刚石晶胞微粒排列方式相同的原因是________。
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图一是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体．
（1）请写出图中d单质对应元素原子的电子排布式________．
（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1：1形成的分子（相同条件下对H2的相对密度为13）中含________个δ键和________个π键．
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与Ag+之间以________键结合．
（4）图二是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因________．
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图一是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体．
（1）请写出图中d单质对应元素原子的电子排布式________．
（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1：1形成的分子（相同条件下对H2的相对密度为13）中含________个δ键和________个π键．
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与Ag+之间以________键结合．
（4）图二是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因________．
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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。
（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式________。
（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 ：1形成的分子（相同条件下对H2的相对密度为13）中含个
键和________个
键。
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至过量，得到络离子的化学式为________，其中X与Ag＋之间以________键结合。
（4）下图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因________。
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(15分)图1是
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等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。 (1)图中d的单质对应元素原子的电子排布式是________
(2)单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含________个键，________个键。
(3)a与b的元素形成的10个电子中性分子X的空间构型为________；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成d元素的离子化学式为________，其中X与d 高价离子之间以________键相结合。
（4）图2是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构，请简要说明该物质易溶于水的原因：________。
（5）图中C单质的晶体堆积方式类型是________，这种堆积方式晶胞中原子的配位数为________。
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图1 图2
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如图所示是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c，d均是热和电的良导体。下列说法不正确的是
A.e、f单质晶体熔化时克服的是共价键
B.d单质对应元素原子的电子排布式：1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的气态氢化物易与水分子之间形成氢键
D.单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含2个σ键，2个π键
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a、b、c、d、e、f分别是H、C、N、Na、Si、Cu六种元素中的其中一种，已知：图1表示的是六种元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均是热和电的良导体，f形成的某种单质硬度最大。
回答下列问题：
(1)a、b、f三种元素的电负性从小到大的顺序为________(用元素符号表示)。
(2)元素b的单质的一个分子中含有________个σ键和_________个π键。
(3)元素c的单质的晶体堆积方式类型是_______________________；若c单质分别与氟气和氯气形成化合物甲和乙，则甲的晶格能________乙的晶格能(填“＞”“＜”或“＝”)。
(4)元素d的基态原子的价电子排布式为__________________。
(5)元素e和f可形成化合物丙(丙的晶胞结构如图2所示)，则丙的化学式为_________；丙的晶体类型为_______________，在丙中，每个e原子周围最近的e原子数目为_____，若晶胞的边长为a pm，则丙的密度为____________g·cm－3(用NA表示阿伏加德罗常数的值)。
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a、b、c、d、e、f是H、C、N、Na、Si、Cu六种元素中的其中一种，已知：图1表示的是这六种元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均是热和电的良导体，f形成的某种单质硬度最大。
回答下列问题：
（1）a、b、f三种元素的电负性从小到大的顺序为______(用元素符号表示)。
（2）元素b的单质的一个分子中含有____个σ键和______个π键。
（3）元素c的单质的晶体堆积方式类型是_______；若c单质分别与氟气和氯气形成化合物甲和乙，则甲的晶格能______乙的晶格能(填“＞”、“＜”或“=”)。
（4）元素d的单质基态原子的价电子排布式为______（用NA表示阿伏加德罗常数的值）。
（5）元素e和f可形成化合物丙(丙的晶胞结构如图2所示)，则丙的化学式为_____；丙的晶体类型为_______，在丙中，每个e原子周围最近的e原子数目为______，若晶胞的边长为a pm，则丙的密度为________。
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a、b、c、d、e、f是H、C、N、Na、Si、Cu六种元素中的其中一种，已知：图1表示的是这六种元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均是热和电的良导体，f形成的某种单质硬度最大。
回答下列问题：
（1）a、b、f三种元素的电负性从小到大的顺序为______(用元素符号表示)。
（2）元素b的单质的一个分子中含有____个σ键和______个π键。
（3）元素c的单质的晶体堆积方式类型是_______；若c单质分别与氟气和氯气形成化合物甲和乙，则甲的晶格能______乙的晶格能(填“＞”、“＜”或“=”)。
（4）元素d的单质基态原子的价电子排布式为______（用NA表示阿伏加德罗常数的值）。
（5）元素e和f可形成化合物丙(丙的晶胞结构如图2所示)，则丙的化学式为_____；丙的晶体类型为_______，在丙中，每个e原子周围最近的e原子数目为______，若晶胞的边长为a pm，则丙的密度为________。
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图1表示K、Cu、Si、H、C、N六种元素单质的熔点高低，其中c、d均是热和电的良导体，e常作为半导体材料。下列说法错误的是( )
A.d的硫酸盐溶液呈酸性
B.a元素与b元素可形成核外电子总数为8的分子
C.图2为上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构
D.e单质能与c的最高价氧化物对应水化物的溶液发生反应
键和________个
键。
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等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。 (1)图中d的单质对应元素原子的电子排布式是________