砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：(1)Ga 基态原子核外...

砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

(1)Ga 基态原子核外电子排布式为 ____，As 基态原子核外有_________个未成对电子。

(2)Ga、As、Se 的第一电离能中大到小的顺序是 __________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是 ____。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_____。

GaF3 的熔点超过 1000 ℃，可能的原因是 _____________。

(4)二水合草酸镓的结构如图 1 所示，其中镓原子的配位数为_____，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为 ____。

(5)砷化镓的立方晶胞结构如图 2 所示，晶胞参数为 a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设 NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。

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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

（1）Ga基态原子核外电子排布式为__________________，As基态原子核外有____个未成对电子。

（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是___________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是_________________。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和佛点，分析其变化规律及原因：_________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是______________。

（4）二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为___________，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为______________。

（5）砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。

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砷化镓是继硅之后研究最深人、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

（1）Ga基态原子核外电子排布式为________________,As基态原子核外有__________个未成对电子。

（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________,Ga、As、Se的电负性由大到小的顺序是__________________。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________,GaF的熔点超过1000℃，可能的原因是__________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根离子中碳原子的杂化轨道类型为__________。

（5）砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为__________g·cm-3(设NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可）。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是____________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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镍与第VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，其中应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态N原子的核外电子排布式为______，基态Ga原子核外有_______个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol－1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镓_____(填“大”或“小”)。

（3）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为____。

（4）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

（5）GaAs为原子晶体，密度为ρg·cm－3，其晶胞结构如图所示。Ga与As以_______键键合。Ga和As的原子半径分别为apm和bpm，设阿伏加德罗常数的值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_______(列出计算式，可不化简)。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是___________________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为__________，基态As原子核外有__________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__________和+3。砷的电负性比镓__________(填“大”或“小”)。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________________。

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是_______________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为__________，晶体的密度为__________(设NA 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。

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镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为__________，基态As原子核外有__________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__________和+3。砷的电负性比镓__________(填“大”或“小”)。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________________。

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是_______________________________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为__________，晶体的密度为__________(设NA 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。

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