元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：(1)按原子...

（12分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，则生成1mol纯硅吸收的热量为

（4）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是_______。

a.单质的熔点降低

b.原子半径和简单离子半径均减小

c.元素的金属性减弱，非金属性增强

d.氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

(2)氧化性最弱的简单阳离子是_______；热稳定性：H2O____H2S(填>、<、=)。

(3)写出SiCl4的电子式：________。

(4)已知化合物M由第三周期的两种相邻元素按原子个数比1:1组成，不稳定，遇水反应生成谈黄色沉淀A和两种无色有刺意性气味气体B、C，相应物质的转化关系如图：

①已知M的摩尔质量为135g/mol，写出M的化学式_____。

②任选一种合适的氧化剂Y，写出C的浓溶液与Y反应生成D的离子反应方程式_______。

③M中的一种元素可形成化合物KXO3，可用于实验室制O2。若不加催化剂，400 ℃时KXO3分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1。写出该反应的化学方程式：____________。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

(1)按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是______。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低

d．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_____，氧化性最弱的简单阳离子是____。

(2)已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_____；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是_____。

(3)晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：_____；

(4)下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是_____。

a.NH3　　　　　 b.HI　　　　　　　 c.SO2　　　　　　 d.CO2

(5)KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是　　　　

a．原子半径和离子半径均减小　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　 ；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　　　　　　

a．NH3　　　　　　　　　　 b．HI　　　　　　　　　　 c．SO2　　　　　　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　

（7）工业上，通过如下转化可制得KClO3晶体：

完成Ⅰ中反应的总化学方程式：　　　　　　　

Ⅱ该反应过程能析出KClO3晶体而无其他晶体析出的原因是　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是________。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为________，氧化性最弱的简单阳离子是________。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________　　 ___；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是____________________________　　　　　　　 __。

（4）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料，SiCl4（熔点-70 ℃）。由粗硅制纯硅过程如下：

SiCl4属于　　　　　　 晶体。在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：______________________________________　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是________。

a．NH3b．HI c．SO2d．CO2

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是____________。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_________，氧化性最弱的简单阳离子是_______。

（3）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)。写出SiCl4的结构式_________________。

（4）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是__________。

a．NH3　 　 b．HI　 　　 c．SO2　 　　 d．CO2

（5）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1︰1。写出该反应的化学方程式_____________________。

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下列说法正确的是

A. 碱金属的单质中，锂的还原性最强

B. 第ⅠA族元素比第ⅡA族元素的金属性强

C. 同周期中，原子半径随原子序数的增大而减小（稀有气体元素除外）

D. 随着核电荷数的递增，第三周期元素的氧化物对应的水化物的酸性逐渐增强

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对于元素周期表中第三周期的元素来说，按原子序数递增顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是(　　)

A. 原子半径和离子半径均减小 B. 金属性减弱，非金属性增强

C. 氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强 D. 单质的熔点降低

高一化学单选题中等难度题查看答案及解析

周期表中第三周期元素，按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是

A.原子半径逐渐增大

B.金属性减弱，非金属性增强

C.氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

D.简单离子的离子半径减小

高一化学单选题简单题查看答案及解析

元素单质及其化合物有广泛用途，请回答下列问题：

（1）第三周期元素中，钠原子核外有_______种能量不同的电子；氯原子的最外层电子排布式为______________；由这两种元素组成的化合物的电子式为__________。

（2）下列气体能用浓硫酸干燥的是________。

A．NH3　　　　　 B．HI　　　　　　 C．SO2　　　　　　 D．CO2

（3）请用一个实验事实说明钠与镁的金属性强弱________________________________。

（4）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时可分解生成两种盐，化学方程式为：KClO3 　KCl＋KClO4 （未配平），则氧化产物与还原产物的物质的量之比为_________。

（5）已知：

工业上电解MgCl2制单质镁，而不电解MgO的原因是________________________________。

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