如图所示为研究电子枪中电子在恒定电场中运动的简化模型示意图。在xOy 平面的第一象限，存在...

如图所示为研究电子枪中电子在恒定电场中运动的简化模型示意图。在xOy　 平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线的一段(0≤x≤L，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域I，电场强度为E；在第二象限存在以(－2L≤x≤0，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅱ。一电子(电荷量大小为e，质量为m，不计重力)从电场I的边界B点处由静止释放，恰好从N点离开电场区域Ⅱ。求：

(1)电子通过C点时的速度大小；　　

(2)电场区域Ⅱ中的电场强度的大小；

(3)试证明：从AB曲线上的任一位置由静止释放的电子都能从N点离开电场。

高三物理简答题困难题查看答案及解析

如图所示为研究电子枪中电子在恒定电场中运动的简化模型示意图。在xOy　 平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线的一段(0≤x≤L，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域I，电场强度为E；在第二象限存在以(－2L≤x≤0，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅱ。一电子(电荷量大小为e，质量为m，不计重力)从电场I的边界B点处由静止释放，恰好从N点离开电场区域Ⅱ。求：

(1)电子通过C点时的速度大小；　　

(2)电场区域Ⅱ中的电场强度的大小；

(3)试证明：从AB曲线上的任一位置由静止释放的电子都能从N点离开电场。

高三物理解答题困难题查看答案及解析

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在xoy平面的第一象限，存在以轴、轴及双曲线 的一段(0≤≤L,0≤≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在以＝ L、＝ 2L、＝0、＝L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E，不计电子所受重力，电子的电荷量为e，则：

（1）从电场Ⅰ的边界B点处静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置坐标；

（2）从电场I的AB曲线边界处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的最小动能；

（3）若将左侧电场II整体水平向左移动（n≥1），要使电子从= 2L，=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

高三物理计算题中等难度题查看答案及解析

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在xoy平面的第一象限，存在以轴、轴及双曲线的一段（0≤≤L,0≤≤L）为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在以＝－L、＝－2L、＝0、＝L的匀强电场区域Ⅱ．两个电场大小均为E，不计电子所受重力，电子的电荷量为e，则：

（1）从电场Ⅰ的边界B点处静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置坐标；

（2）从电场I的AB曲线边界处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的最小动能；

（3）若将左侧电场II整体水平向左移动（n≥1），要使电子从=-2L，=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

高三物理计算题困难题查看答案及解析

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在xoy平面的第一象限，存在以轴、轴及双曲线的一段（0≤≤L,0≤≤L）为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在以＝－L、＝－2L、＝0、＝L为边界的匀强电场区域Ⅱ．两个电场大小均为E，不计电子所受重力，电子的电荷量大小为e，则：

（1）从电场Ⅰ的边界B点处静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置坐标；

（2）从电场I的AB曲线边界处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的最小动能；

（3）若将左侧电场II整体水平向左移动（n≥1），要使电子从=-2L，=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

高三物理计算题极难题查看答案及解析

(2011·南通模拟)(18分)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xOy平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线y=的一段(0≤x≤ L， 0≤y≤ L)为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在以x＝-L、x＝-2L、y＝0、y＝L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E，不计电子所受重力，电子的电荷量为e，求：

(1)从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的坐标；

(2)由电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子离开MNPQ的最小动能；

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高三物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示为研究电子枪中电子在恒定电场中运动的简化模型示意图．在xOy　 平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线的一段(0≤x≤L，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域I，电场强度为E；在第二象限存在以(－2L≤x≤0，0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅱ．一电子(电荷量大小为e，质量为m，不计重力)从电场I的边界B点处由静止释放，恰好从N点离开电场区域Ⅱ．求：

(1)电子通过C点时的速度大小；　　

(2)电场区域Ⅱ中的电场强度的大小；

(3)试证明：从AB曲线上的任一位置由静止释放的电子都能从N点离开电场．

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在平面的第一象限内存在以x轴、y轴及双曲线的一段（，）为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在的匀强电场区域Ⅱ。两电场场强大小均为E。将一电子从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放。已知电子的电量为e，质量为m，不计电子所受重力，求：

（1）电子刚进入区域Ⅱ时速度vc的大小；

（2）电子离开CNPO区域时的坐标。

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）为边界的匀强电场I；在第二象限存在以x= -L； x=-2L；y=0；y=L为边界的匀强电场II．两个电场大小均为E，不计电子所受重力．求

（1）试证明在电场Ⅰ区域的AB曲线边界由静止释放的所有电子离开MNPQ时都从P点离开

（2）由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能；

（3）若将左侧电场II整体水平向左移动L/n（n≥1），要使电子从x=-2L，y=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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