镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用...

镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：

(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种；SeO3的空间构型是_______。

(2)根据元素周期律，原子半径Ga ___As，第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)

(3)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是______，硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________，丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。

(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因___。

(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。

①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。

②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3，GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。

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镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：

(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种；SeO3的空间构型是_______。

(2)根据元素周期律，原子半径Ga ___As，第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)

(3)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是______，硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________，丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。

(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因___。

(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。

①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。

②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3，GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。

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《自然》杂志于2018年3月15日发布，中国留学生曹原用石墨烯实现了常温超导。这一发现将在很多领域发生颠覆性的革命。镓(Ga)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓等都是常用的半导体材料，超导和半导体材料都广泛应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。请回答下列与碳、砷、镓、硒有关的问题。

(1)基态硒原子的核外价层电子排布式为___，与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有___种，SeO3的空间构型是___。

(2)化合物[EMIM][AlCl4]具有很高的应用价值，EMIM+结构如图所示。

①EMIM+离子中各元素电负性由大到小的顺序是___。

②EMIM+离子中碳原子的杂化轨道类型为___。

③大π键可用符号π表示，其中m、n分别代表参与形成大π键的原子数和电子数，则EMIM+离子中的大π键应表示___。

(3)石墨烯中部分碳原子被氧化后，转化为氧化石墨烯如图所示，转化后1号C原子与相邻C原子间键能变小，原因是___。

(4)GaAs为原子晶体，密度为ρg•cm-3，其晶胞结构如图所示，Ga和As的原子半径分别为apm和bpm，GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为A，则阿伏加德罗常数的值为NA=___。(用字母表示)

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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料或用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:

回答下列问题:

（1）六种元素中，非金属性最强的元素是:________.写出As原子的最外层的电子排布式_________,As原子核外有_____个未成对电子。

（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_____As。(选填“>”、  “<”或“=”)。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式:________________

（3）NH3 的分子构型是_______。GaF3的熔点高于1000°C,GaCl3的熔点为77.9°C,可能的原因是_______.写出C2H2的电子式为:_________

（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因___________

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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

(1)Ga 基态原子核外电子排布式为 ____，As 基态原子核外有_________个未成对电子。

(2)Ga、As、Se 的第一电离能中大到小的顺序是 __________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是 ____。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_____。

GaF3 的熔点超过 1000 ℃，可能的原因是 _____________。

(4)二水合草酸镓的结构如图 1 所示，其中镓原子的配位数为_____，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为 ____。

(5)砷化镓的立方晶胞结构如图 2 所示，晶胞参数为 a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设 NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。

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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

（1）Ga基态原子核外电子排布式为__________________，As基态原子核外有____个未成对电子。

（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是___________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是_________________。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和佛点，分析其变化规律及原因：_________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是______________。

（4）二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为___________，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为______________。

（5）砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。

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锌是一种常用金属，镓（Ga）的化合物氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为第三代半导体材料。

I．镓（Ga）是火法冶炼锌过程中的副产品，镓与铝同主族且相邻，化学性质与铝相似。

（1）Ga的原子结构示意图为___________________；

（2） GaN可由Ga和NH3在高温条件下制取，该反应的化学方程式_______________。

（3）下列有关镓和镓的化合物的说法正确的是____________

A．常温下，Ga可与水剧烈反应放出氢气

B．一定条件下，Ga可溶于盐酸和氢氧化钠

C．一定条件下，Ga2O3可与NaOH反应生成盐

D．Ga2O3可由Ga(OH)3受热分解得到

II．锌的冶炼方法有火法和湿法。工业上利用锌焙砂（主要含Zn0、ZnFe2O4，还含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物）湿法制取金属锌的流程如图所示：

已知：Fe的活泼性强于Ni

（4）ZnFe2O4可以写成ZnO·Fe2O3，ZnFe2O4与H2SO4反应的化学方程式为____　　　　　　 _。

（5）净化I操作分为两步：第一步是将溶液中少量的Fe2+氧化；第二步是控制溶液pH，只使Fe3+转化为Fe(OH)3沉淀。净化I生成的沉淀中还含有溶液中的悬浮杂质，溶液中的悬浮杂质被共同沉淀的原因是________________________。

（6）净化II中加入Zn的目的是_______________________。

（7）常温下，净化I中，如果要使c(Fe3+) < 10-5 mol/L，则应控制溶液pH的范围为_____________。已知：Ksp[Fe(OH)3]=8.0×10-38；lg5=0.7

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锌是一种常用金属，镓（Ga）的化合物氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为第三代半导体材料。

I．镓（Ga）是火法冶炼锌过程中的副产品，镓与铝同主族且相邻，化学性质与铝相似。

⑴Ga的原子结构示意图为 ___________________。

⑵GaN可由Ga和NH3在高温条件下制取，该反应的化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

⑶下列有关镓和镓的化合物的说法正确的是____ 。

A．常温下，Ga可与水剧烈反应放出氢气

B．一定条件下，Ga可溶于盐酸和氢氧化钠

C．一定条件下，Ga2O3可与NaOH反应生成盐

D．Ga2O3可由Ga(OH)3受热分解得到

II．锌的冶炼方法有火法和湿法。工业上利用锌焙砂（主要含ZnO、ZnFe2O4，还含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物）湿法制取金属锌的流程如图所示：

已知：Fe的活泼性强于Ni

⑷ZnFe2O4可以写成ZnO·Fe2O3，ZnFe2O4与H2SO4反应的化学方程式为　　　　　　　　　　　　　 。

⑸净化I操作分为两步：第一步是将溶液中少量的Fe2+氧化；第二步是控制溶液pH，只使Fe3+转化为Fe(OH)3沉淀。净化I生成的沉淀中还含有溶液中的悬浮杂质，溶液中的悬浮杂质被共同沉淀的原因是____________________。

⑹净化II中加入Zn的目的是___________________。

⑺常温下，净化I中，如果要使c(Fe3+) < 10-5 mol/L，则应控制溶液pH的范围为_____________。已知：Ksp[Fe(OH)3] = 8.0 × 10-38；lg5 = 0.7

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是____________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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