短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X和W同主族且W的单质是重要的半导体材料,Y原子的最外层电子数是其内层电子数的3倍,Z2+与Y2-核外电子排布相同。下列说法正确的是
A.X的氢化物中仅含有极性键
B.X与Y形成的三原子分子的电子式是
C.原子半径Z>Y,离子半径Z2+< Y2-
D.X、Y的非金属性强弱可用其氧化物的水化物的酸性强弱来推断
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六种短周期元素(a、b、c、d、e、f)的原子序数依次增大。其中a与e同主族,b与f同主族,e与f同周期;常温下a、e的单质状态不同;d的核电荷数是b的最外层电子数的2倍;单质f是一种重要的半导体材料。由此可推知
A.a、c两种元素只能组成化学式为ca3的化合物
B.b、c、d分别与a形成的化合物,沸点由高到低依次为:d>c>b
C.原子半径由大到小的顺序是 e>f>b>c>a
D.元素的非金属性由强到弱的顺序是 d>c>f>b
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X和W同主族且W的单质是重要的半导体材料,Y原子的最外层电子数是其内层电子数的3倍,Z2+与Y2-核外电子排布相同。下列说法正确的是
A.X的氢化物中仅含有极性键
B.X与Y形成的三原子分子的电子式是
C.原子半径Z>Y,离子半径Z2+< Y2-
D.X、Y的非金属性强弱可用其氧化物的水化物的酸性强弱来推断
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X和W同主族且W的单质是重要的半导体材料,Y原子的最外层电子数是其内层电子数的3倍, Z2+与Y2-核外电子排布相同。下列说法正确的是
A. X的氢化物中仅含有极性键
B. X与Y形成的三原子分子的电子式是
C. 原子半径Z>Y,离子半径Z2+< Y2-
D. X、Y的非金属性强弱可用其氧化物的水化物的酸性强弱来推断
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X和W同主族且W的单质是重要的半导体材料,Y原子的最外层电子数是其内层电子数的3倍,Z2+与Y2-核外电子排布相同。下列说法正确的是
A. X的氢化物中仅含有极性键
B. X与Y形成的三原子分子的电子式是
C. 原子半径Z>Y,离子半径Z2+< Y2-
D. X、Y的非金属性强弱可用其氧化物的水化物的酸性强弱来推断
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A、B、C、D、E、F为短周期六种元素,原子序数依次增大,其中A与E同主族且能形成离子化合物EA,B与F同主族,E与F同周期。D的核电荷数是B的最外层电子数2倍,单质F是一种重要的半导体材料。则下列推断中不正确的是
A.由A、C、D三种元素组成的化合物可以是离子化合物
B.F与D形成的化合物熔点高,可以与某种酸反应
C.五种元素中最高价氧化物对应的水化物酸性最强的是D
D.原子半径由大到小的顺序是:E>F>C>D
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六种短周期元素A、B、C、D、E、F的原子序数依次增大,其中A与E同主族,B与F同主族,E与F同周期。已知常温下单质A与E的状态不同,D的核电荷数是B的最外层电子数的2倍,单质F是一种重要的半导体材料。则下列推断中正确的是
A.A、C两种元素可组成化学式为CA4的化合物
B.F与D形成的化合物性质很不活泼,不与任何酸反应
C.原子半径由大到小的顺序是E>F>C>D
D.元素的非金属性由强到弱的顺序是D>C>F>B
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍,Y原子最外层只有2个电子,Z单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族。下列叙述正确的是( )
A. 元素X的简单气态氢化物的热稳定性比W弱
B. 元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱
C. 化合物YX、ZX2、WX3中化学键类型相同
D. 原子半径的大小顺序:rY>rZ>rW>rX
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍,Y 原子的最外层只有2 个电子,Z 单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族。下列叙述正确的是
A. 元素X 的简单气态氢化物的热稳定性比W的弱
B. 元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱
C. 原子半径的大小顺序: rY>rZ>rW>rX
D. 化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍,Y 原子的最外层只有2 个电子,Z 单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族。下列叙述正确的是
A. 元素W 的简单气态氢化物的热稳定性比X 的强
B. 元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z 的弱
C. 化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同
D. 原子半径的大小顺序: r(Y)>r(Z)>r(W) >r(X)
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