固体电解质通过其中的离子迁移进行电荷传递，因此又称为固体离子导体，RbAg4I5晶体就是一种重要的固体电解质，其中发生迁移的物质全是Ag＋。利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器，如图是一种测定O2含量的气体传感器示意图。被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势的变化可以得知O2的含量。在气体传感器的工作过程中，下列变化肯定没有发生的是 ( )。
A．I2＋2Rb＋＋2e－=2RbI
B．I2＋2Ag＋＋2e－=2AgI
C．Ag－e－=Ag＋
D．4AlI3＋3O2=2Al2O3＋6I2
高三化学选择题中等难度题
固体电解质通过其中的离子迁移进行电荷传递，因此又称为固体离子导体，RbAg4I5晶体就是一种重要的固体电解质，其中发生迁移的物质全是Ag＋。利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器，如图是一种测定O2含量的气体传感器示意图。被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势的变化可以得知O2的含量。在气体传感器的工作过程中，下列变化肯定没有发生的是 ( )。
A．I2＋2Rb＋＋2e－=2RbI
B．I2＋2Ag＋＋2e－=2AgI
C．Ag－e－=Ag＋
D．4AlI3＋3O2=2Al2O3＋6I2
高三化学选择题中等难度题查看答案及解析
固体电解质是通过离子迁移传递电荷。如RbAg4I5晶体，其中迁移的物种全是Ag+，利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器，下图是一种测定O2含量的气体传感器示意图。被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势变化可以得知O2的含量。在气体传感器工作过程中，下列变化肯定没有发生的是（ ）
A．Ag－e-=Ag+ B．I2+2Ag++2e-=2AgI
C．I2+2Rb++2e-=2RbI D．4AlI3+3O2=2Al2O3+6I2
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高三化学选择题中等难度题查看答案及解析
固体电解质是具有与强电解质水溶液的导电性相当的一类无机固体。这类固体通过其中的离子迁移进行电荷传递，因此又称为固体离子导体。目前固体电解质在制造全固态电池及其他传感器、探测器等方面的应用日益广泛。如RbAg4I5晶体，其中迁移的物种全是Ag＋，室温导电率达0.27 Ω－1·cm－1。利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器。下图是一种测定O2含量的气体传感器示意图，被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势变化可以得知O2的含量。在气体传感器工作过程中，下列变化肯定没有发生的是
A．I2＋2Rb＋＋2e－=2RbI B．I2＋2Ag＋＋2e－=2AgI
C．Ag－e－=Ag＋ D．4AlI3＋3O2=2Al2O3＋6I2
高三化学选择题中等难度题查看答案及解析
固体电解质是具有与强电解质水溶液的导电性相当的一类无机固体。这类固体通过其中的离子迁移进行电荷传递，因此又称为固体离子导体。目前固体电解质在制造全固态电池及其他传感器、探测器等方面的应用日益广泛。如RbAg4I5晶体，其中迁移的物种全是Ag＋，室温导电率达0. 27 Ω－1·cm－1。利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器。下图是一种测定O2含量的气体传感器示意图，被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势变化可以得知O2的含量。在气体传感器工作过程中，下列变化肯定没有发生的是（ ）
A．I2＋2Rb＋＋2e－=2RbI
B．I2＋2Ag＋＋2e－=2AgI
C．Ag－e－=Ag＋
D．4AlI3＋3O2=2Al2O3＋6I2
高三化学选择题中等难度题查看答案及解析
目前固体电解质在制造全固态电池及其它传感器、探测器等方面的应用日益广泛。如RbAg4I5晶体，其中迁移的离子全是Ag+。利用RbAg4I5晶体，可以制成电化学气敏传感器，下图是一种测定O2含量的气体传感器示意图。被分析的O2可以透过聚四氟乙烯薄膜，由电池电动势变化可以得知O2的含量。在气体传感器工作过程中，下列变化肯定没有发生的是
A．I2+2Rb++2e-=2RbI B．I2+2Ag++2e--=2AgI
C．Ag－e--=Ag+ D．4AlI3+3O2==2Al2O3+6I2
高三化学选择题简单题查看答案及解析
如图为一种固体离子导体电池与湿润KI试纸AB连接，Ag+可以在RbAg4I5晶体中迁移，空气中的氧气透过聚四氯乙烯膜与AlI3反应生成I2，Ag与I2作用形成电池。下列说法中正确的是（ ）
A. 试纸B端发生氧化反应 B. Ag+从石墨电极移向银电极
C. 试纸A端发生反应： 2I--2e-=I2 D. 若该电池转移1mol电子，则滤纸上生成8gO2
高三化学单选题中等难度题查看答案及解析
固体电解质有广泛的用途。研究发现，晶体中有特殊结构为离子
如
提供快速迁移的宽敞通道或者有“点缺陷”，都能使其具有导电潜力。比如：图
所示的锂超离子导体
和图
所示的有“点缺陷”的NaCl。
根据所学知识回答下列问题：
（1）在变化“Cl+e-→Cl-”过程中，所得电子填充在基态Cl的________能级，此过程会_______填“吸收”或“释放”
能量。
（2）
中B的杂化形式为__________，其等电子体为：___________任写一种。与其VSEPR模型相同，且有1对孤电子对的相对分子质量最小的分子是____________。
（3）图所示晶胞中
位于__________位置；若将晶体中形成宽敞通道的换成
，导电能力会明显降低，原因是_____________。
（4）图中，若缺陷处填充了
，则它____________填“是”或“不是”
的晶胞，在NaCl晶体中，填充在
堆积而成的___________面体空隙中。
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
[化学-选修3：物质结构与性质]固体电解质有广泛的用途。研究发现，晶体中有特殊结构为离子(如Li+)提供快速迁移的通道或者有“点缺陷”。都能使其具有导电潜力，比如：图(a)所示的锂超离子导体Li3SBF4和图(b)所示的有“点缺陷”的NaCl。
根据所学知识回答下列问题：
(1)在变化“Cl+e-→Cl-”过程中，所得电子填充在基态 Cl的________能级，此过程会________ (填“吸收”或“释放”)能量。
(2)BF4-中B的杂化形式为________________，其等电子体为___________(任写一种)。与其VSEPR模型相同，且有l对孤电子对的相对分子质量最小的分子是___________。
(3)图(a)所示晶胞中Li+位于_____位置；若将晶体中BF4-换成F-，导电能力会明显降低，原因是______________________________。
(4)图(6)中，若缺陷处填充了Na+，则它__________(填“是”或“不是”) NaCl的晶胞，在NaCl晶体中，Na+填充在Cl-堆积而成的__________面体空隙中。
(5)有人认为：高温下有“点缺陷”的NaCl晶伙导电性增照是由于Na+迁移到另一空位而造成。其中Na+经过一个由3个Cl-组成的最小三角形窗孔(如图c所示)。已知晶胞参数a=564 pm，r(Na+)=116pm， r(Cl-)=167 pm，通过计算三角形窗孔半径，判断该认识是否正确。__________。(已知：
≈1.414，
≈1.732)
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
固体电解质有广泛的用途。研究发现，晶体中有特殊结构为离子(如Li+)提供快速迁移的通道或者有“点缺陷”。都能使其具有导电潜力，比如：图(a)所示的锂超离子导体Li3SBF4和图(b)所示的有“点缺陷”的NaCl。
根据所学知识回答下列问题：
(1)在变化“Cl+e-→Cl-”过程中，所得电子填充在基态Cl的________能级，此过程会________ (填“吸收”或“释放”)能量。
(2)BF4-中B的杂化形式为________________，其等电子体为___________(任写一种)。与其VSEPR模型相同，且有l对孤电子对的相对分子质量最小的分子是___________。
(3)图(a)所示晶胞中Li+位于_____位置；若将晶体中BF4-换成F-，导电能力会明显降低，原因是______________________________。
(4)图(b)中，若缺陷处填充了Na+，则它__________(填“是”或“不是”)NaCl的晶胞，在NaCl晶体中，Na+填充在Cl-堆积而成的__________面体空隙中。
(5)有人认为：高温下有“点缺陷”的NaCl晶伙导电性增照是由于Na+迁移到另一空位而造成。其中Na+经过一个由3个Cl-组成的最小三角形窗孔(如图c所示)。已知晶胞参数a=564 pm，r(Na+)=116pm，r(Cl-)=167 pm，通过计算三角形窗孔半径，判断该认识是否正确。__________。(已知：
≈1.414，
≈1.732)
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