①~⑥是周期表中第二、三周期的元素，它们的主要化合价和原子半径如下表所示： 元素 ① ② ...

①~⑥是周期表中第二、三周期的元素，它们的主要化合价和原子半径如下表所示：

下列说法不正确的是

A. ①的单质加热时能与氧气化合 B. ②的单质常温下可与水剧烈反应

C. ③与⑥可以形成离子化合物 D. 非金属性④>⑤

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下列是部分短周期中第二、第三周期元素的原子半径及主要化合价。

回答下列问题：

（1）⑧在元素周期表中的位置是（周期、族）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；

（2）8个元素的最高价氧化物的水化物中，酸性最强的是　　　　　　　　　　　　 （填化学式）；

（3）元素⑤、⑦、⑧分别形成的简单气态氢化物中，⑦的电子式为　　　　　　　　 ，稳定性最强的氢化物的结构式为　　　　　　　　 ；

（4）写出①、④的最高价氧化物对应的水化物之间发生反应的离子方程式　　　　　　　　　　 ；

（5）用电子式表示元素①与⑥形成化合物的过程　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

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（13分）下列是部分短周期中第二、第三周期元素的原子半径及主要化合价。

回答下列问题：

1.⑧在元素周期表中的位置是（周期、族）________。

2.在这8种元素的最高价氧化物的水化物中，酸性最强的是________（填化学式）。

3.①元素和⑥元素形成化合物的电子式是 ________ 。

4.写出①和④的最高价氧化物对应水化物反应的离子方程式：

________  。

5.②、④、⑤、⑥的简单离子的离子半径由大到小的顺序是：________＞________＞________＞________。（填离子符号）

6.比较⑤、⑦气态氢化物的稳定性________＞________（用分子式表示）

7.下列叙述中不正确的是________（填字母）。

A．③、④处于不同周期

B．⑥在同主族元素中非金属性最强

C．⑤元素与⑦元素两者核电荷数之差是8

D．①与⑧形成的化合物只含有离子键

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下列是部分短周期中第二、第三周期元素的原子半径及主要化合价。

回答下列问题：

（1）⑥在元素周期表中的位置是（周期、族）________。

（2）在这8种元素的最高价氧化物的水化物中，酸性最强的是________（填化学式）。

（3）①⑥形成物质的电子式________

（4）写出④最高价氧化物对应水化物与⑥的氢化物水溶液反应的离子方程式：

________  。

（5）下列叙述正确的是________（填字母）。

A．③、④处于不同周期

B．②的阳离子与⑧的阴离子的核外电子数相等

C．⑥在同主族元素中非金属性最强

D．⑤元素与⑦元素两者核电荷数之差是8

E．①与⑧形成的化合物具有两性

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（12分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，则生成1mol纯硅吸收的热量为

（4）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

(1)按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是______。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低

d．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_____，氧化性最弱的简单阳离子是____。

(2)已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_____；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是_____。

(3)晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：_____；

(4)下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是_____。

a.NH3　　　　　 b.HI　　　　　　　 c.SO2　　　　　　 d.CO2

(5)KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是　　　　

a．原子半径和离子半径均减小　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　 ；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　　　　　　

a．NH3　　　　　　　　　　 b．HI　　　　　　　　　　 c．SO2　　　　　　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　

（7）工业上，通过如下转化可制得KClO3晶体：

完成Ⅰ中反应的总化学方程式：　　　　　　　

Ⅱ该反应过程能析出KClO3晶体而无其他晶体析出的原因是　　　　　　　　　　　　　　 。

高一化学简答题极难题查看答案及解析

元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是_______。

a.单质的熔点降低

b.原子半径和简单离子半径均减小

c.元素的金属性减弱，非金属性增强

d.氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

(2)氧化性最弱的简单阳离子是_______；热稳定性：H2O____H2S(填>、<、=)。

(3)写出SiCl4的电子式：________。

(4)已知化合物M由第三周期的两种相邻元素按原子个数比1:1组成，不稳定，遇水反应生成谈黄色沉淀A和两种无色有刺意性气味气体B、C，相应物质的转化关系如图：

①已知M的摩尔质量为135g/mol，写出M的化学式_____。

②任选一种合适的氧化剂Y，写出C的浓溶液与Y反应生成D的离子反应方程式_______。

③M中的一种元素可形成化合物KXO3，可用于实验室制O2。若不加催化剂，400 ℃时KXO3分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1。写出该反应的化学方程式：____________。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是________。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为________，氧化性最弱的简单阳离子是________。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________　　 ___；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是____________________________　　　　　　　 __。

（4）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料，SiCl4（熔点-70 ℃）。由粗硅制纯硅过程如下：

SiCl4属于　　　　　　 晶体。在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：______________________________________　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是________。

a．NH3b．HI c．SO2d．CO2

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是____________。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_________，氧化性最弱的简单阳离子是_______。

（3）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)。写出SiCl4的结构式_________________。

（4）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是__________。

a．NH3　 　 b．HI　 　　 c．SO2　 　　 d．CO2

（5）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1︰1。写出该反应的化学方程式_____________________。

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