集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导...

集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导体的工艺，其中包括在晶圆中注入离子，生成P、N类半导体．如图所示，在离子注入工艺口，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域，其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．已知P+和P3+的质量均为m，电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)

（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小：(用题给符号表示)

（2）求P3+在磁场中转过的角度Φ。

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集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导体的工艺，其中包括在晶圆中注入离子，生成P、N类半导体．如图所示，在离子注入工艺口，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域，其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．已知P+和P3+的质量均为m，电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)

（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小：(用题给符号表示)

（2）求P3+在磁场中转过的角度Φ。

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在中美贸易战中，中兴的遭遇告诉我们，要重视芯片的自主研发工作，而芯片的基础工作在于半导体的工艺。如图所示，在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域，其中离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出。已知P＋和P3＋的质量均为m，而电量分别为e和3e(e表示元电荷)。

（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；

（2）求P3＋在磁场中转过的角度。

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利用霍尔效应制作的霍尔元件，被广泛应用于测量和自动控制等领域。霍尔元件一般由半导体材料制成，有的半导体中的载流子(即自由电荷)是电子，有的半导体中的载流子是空穴(相当于正电荷)。如图所示，将扁平长方体形状的霍尔元件水平放置接入电路，匀强磁场垂直于霍尔元件的水平面竖直向下，闭合开关，让电流从霍尔元件的左侧流入右侧，则其前后两表面会形成电势差。现有载流子是电子的霍尔元件1和载流子是空穴的霍尔元件2，两元件均按图示方式接入电路(闭合开关)，则关于前后两表面电势高低的判断，下列说法中正确的是(　　)

A.若接入元件1时，前表面电势高；若接入元件2时，前表面电势低

B.若接入元件1时，前表面电势低；若接入元件2时，前表面电势高

C.不论接入哪个元件，都是前表面电势高

D.不论接入哪个元件，都是前表面电势低

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图甲是某小型家用电器电源部分的主要工作电路图，工作时Ⅰ部分变压器原线圈A、B两端与输出电压为220V的交流电源相连接，通过电路元件的工作最后在Ⅲ部分E、F两端输出6.0V的直流电．当A、B两端输入如图乙所示的交变电压时，在Ⅱ部分的M、N两端输出的电压如图丙所示．Ⅲ部分中的自感线圈L的直流电阻可忽略不计，关于该电路元件及其工作过程，下列说法中正确的是

A．Ⅰ部分的变压器是降压变压器

B．Ⅱ部分的M、N端输出电压的有效值为

C．Ⅲ部分的电容器C的作用是阻碍交流成分，导通直流成分

D．Ⅲ部分的自感线圈L的作用是阻碍直流成分，导通交流成分

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图甲是某小型家用电器电源部分的主要工作电路图，工作时Ⅰ部分变压器原线圈A、B两端与输出电压为220V的交流电源相连接，通过电路元件的工作最后在Ⅲ部分E、F两端输出6.0V的直流电．当A、B两端输入如图乙所示的交变电压时，在Ⅱ部分的M、N两端输出的电压如图丙所示．Ⅲ部分中的自感线圈L的直流电阻可忽略不计，关于该电路元件及其工作过程，下列说法中正确的是

A．Ⅰ部分的变压器是降压变压器

B．Ⅱ部分的M、N端输出电压的有效值为

C．Ⅲ部分的电容器C的作用是阻碍交流成分，导通直流成分

D．Ⅲ部分的自感线圈L的作用是阻碍直流成分，导通交流成分

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