在中美贸易战中，中兴的遭遇告诉我们，要重视芯片的自主研发工作，而芯片的基础工作在于半导体的工艺。如图所示，在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域，其中离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出。已知P＋和P3＋的质量均为m，而电量分别为e和3e(e表示元电荷)。
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；
（2）求P3＋在磁场中转过的角度
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高三物理解答题中等难度题
在中美贸易战中，中兴的遭遇告诉我们，要重视芯片的自主研发工作，而芯片的基础工作在于半导体的工艺。如图所示，在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域，其中离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出。已知P＋和P3＋的质量均为m，而电量分别为e和3e(e表示元电荷)。
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；
（2）求P3＋在磁场中转过的角度。
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在中美贸易战中，中兴的遭遇告诉我们，要重视芯片的自主研发工作，而芯片的基础工作在于半导体的工艺。如图所示，在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域，其中离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出。已知P＋和P3＋的质量均为m，而电量分别为e和3e(e表示元电荷)。
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；
（2）求P3＋在磁场中转过的角度。
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集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导体的工艺，其中包括在晶圆中注入离子，生成P、N类半导体．如图所示，在离子注入工艺口，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域，其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．已知P+和P3+的质量均为m，电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小：(用题给符号表示)
（2）求P3+在磁场中转过的角度Φ。
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集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导体的工艺，其中包括在晶圆中注入离子，生成P、N类半导体．如图所示，在离子注入工艺口，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域，其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．已知P+和P3+的质量均为m，电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小：(用题给符号表示)
（2）求P3+在磁场中转过的角度Φ。
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示，已知离子P+在磁场中转过30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+
A．在电场中的加速度之比为1:1
B．在磁场中运动的半径之比为3:1
C．在磁场中转过的角度之比为1:2
D．离开电场区域时的动能之比为1:3
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
A. 在电场中的加速度之比为1：1
B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1
C. 在磁场中转过的角度之比为1：2
D. 离开电场区域时的动能之比为1：3
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
A. 在电场中的加速度之比为1：1
B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1
C. 在磁场中转过的角度之比为1：2
D. 离开电场区域时的动能之比为1：3
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
A. 在电场中的加速度之比为1：1
B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1
C. 在磁场中转过的角度之比为1：2
D. 离开电场区域时的动能之比为1：3
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋( )
A. 在电场中的加速度之比为1∶1 B. 在磁场中运动的半径之比为
C. 在磁场中转过的角度之比为1∶2 D. 离开电场区域时的动能之比为1∶3
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+ ( )
A. 在电场中的加速度之比为1:1
B. 在磁场中运动的半径之比为
C. 在磁场中转过的角度之比为1:2
D. 离开电场区域时的动能之比为1:3
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