集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式,并制造在半导体晶圆表面上,芯片的基础工作在于半导体的工艺,其中包括在晶圆中注入离子,生成P、N类半导体.如图所示,在离子注入工艺口,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.已知P+和P3+的质量均为m,电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
(1)求匀强磁场的磁感应强度B的大小:(用题给符号表示)
(2)求P3+在磁场中转过的角度Φ。
高三物理解答题中等难度题
集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式,并制造在半导体晶圆表面上,芯片的基础工作在于半导体的工艺,其中包括在晶圆中注入离子,生成P、N类半导体.如图所示,在离子注入工艺口,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.已知P+和P3+的质量均为m,电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
(1)求匀强磁场的磁感应强度B的大小:(用题给符号表示)
(2)求P3+在磁场中转过的角度Φ。
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集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式,并制造在半导体晶圆表面上,芯片的基础工作在于半导体的工艺,其中包括在晶圆中注入离子,生成P、N类半导体.如图所示,在离子注入工艺口,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.已知P+和P3+的质量均为m,电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
(1)求匀强磁场的磁感应强度B的大小:(用题给符号表示)
(2)求P3+在磁场中转过的角度Φ。
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在中美贸易战中,中兴的遭遇告诉我们,要重视芯片的自主研发工作,而芯片的基础工作在于半导体的工艺。如图所示,在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。已知P+和P3+的质量均为m,而电量分别为e和3e(e表示元电荷)。
(1)求匀强磁场的磁感应强度B的大小;
(2)求P3+在磁场中转过的角度。
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高三物理填空题中等难度题查看答案及解析
利用霍尔效应制作的霍尔元件,被广泛应用于测量和自动控制等领域。霍尔元件一般由半导体材料制成,有的半导体中的载流子(即自由电荷)是电子,有的半导体中的载流子是空穴(相当于正电荷)。如图所示,将扁平长方体形状的霍尔元件水平放置接入电路,匀强磁场垂直于霍尔元件的水平面竖直向下,闭合开关,让电流从霍尔元件的左侧流入右侧,则其前后两表面会形成电势差。现有载流子是电子的霍尔元件1和载流子是空穴的霍尔元件2,两元件均按图示方式接入电路(闭合开关),则关于前后两表面电势高低的判断,下列说法中正确的是( )
A.若接入元件1时,前表面电势高;若接入元件2时,前表面电势低
B.若接入元件1时,前表面电势低;若接入元件2时,前表面电势高
C.不论接入哪个元件,都是前表面电势高
D.不论接入哪个元件,都是前表面电势低
高三物理单选题简单题查看答案及解析
图甲是某小型家用电器电源部分的主要工作电路图,工作时Ⅰ部分变压器原线圈A、B两端与输出电压为220V的交流电源相连接,通过电路元件的工作最后在Ⅲ部分E、F两端输出6.0V的直流电.当A、B两端输入如图乙所示的交变电压时,在Ⅱ部分的M、N两端输出的电压如图丙所示.Ⅲ部分中的自感线圈L的直流电阻可忽略不计,关于该电路元件及其工作过程,下列说法中正确的是
A.Ⅰ部分的变压器是降压变压器
B.Ⅱ部分的M、N端输出电压的有效值为
C.Ⅲ部分的电容器C的作用是阻碍交流成分,导通直流成分
D.Ⅲ部分的自感线圈L的作用是阻碍直流成分,导通交流成分
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图甲是某小型家用电器电源部分的主要工作电路图,工作时Ⅰ部分变压器原线圈A、B两端与输出电压为220V的交流电源相连接,通过电路元件的工作最后在Ⅲ部分E、F两端输出6.0V的直流电.当A、B两端输入如图乙所示的交变电压时,在Ⅱ部分的M、N两端输出的电压如图丙所示.Ⅲ部分中的自感线圈L的直流电阻可忽略不计,关于该电路元件及其工作过程,下列说法中正确的是
A.Ⅰ部分的变压器是降压变压器
B.Ⅱ部分的M、N端输出电压的有效值为
C.Ⅲ部分的电容器C的作用是阻碍交流成分,导通直流成分
D.Ⅲ部分的自感线圈L的作用是阻碍直流成分,导通交流成分
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