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2013年绵阳科博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光的二极管（LED）。目前市售LED铝片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(氮化铟镓)为主。已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答：
（1）镓的基态原子的外围电子排布式是_______________。
（2）镓与钾、钙元素的第一电离能从大到小依次为_________________________，与其在同一周期的砷、硒和溴的电负性从大到小依次为_______________。（填元素符号）
（3）此晶胞中所含的砷原子（白色球）个数为_______，与同一个镓原子相连的砷原子构成的立体构型为___________，镓采取的杂化方式为________________。
（4）与镓同主族的元素硼形成的最高价氧化物对应水化物化学式为_____________________，其结构式为_____________，硼酸是_______元酸。
（5）若砷和镓两元素的相对原子质量分别为a，b，GaAs晶体结构图中相距最近的两个原子的距离为dnm，晶胞参数为________cm，NA表示阿伏伽德罗常数，则该晶体的密度为________g/cm3。
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2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答：
(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。
(3)下列说法正确的是_________(填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能：As<Ga
C.电负性：As>Ga
D.GaP与GaAs互为等电子体
(4)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。
(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
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2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）．目前市售LED品片，材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGaInP（磷化铝镓铟）、lnGaN（氮化铟镓）为主．已知镓是铝同族下一周期的元素．砷化镓的晶胞结构如图．试回答：
（1）镓的基态原子的电子排布式是______．
（2）砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为______，与同一个镓原子相连的砷原子成的空间构型为______．
（3）N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是______． （用氢化物分子式表示）
（4）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃时制得．（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为______．
（5）比较二者的第一电离能：As______Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列说法正确的是______（填字母）．
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As＞Ga D．砷化镓晶体中含有配位键．
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上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED铝片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如图。试回答：
(1)镓的基态原子的价电子排布式是_____________。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为________，与同一个镓原子相连的砷原子构成的立体构型为_________。
(3)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是______(用氢化物分子式表示)。
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为_______，GaAs的熔点为1238 ℃，该晶体的类型为_________。
(5)比较二者的第一电离能：As________Ga(填“＜”“＞”或“＝”)。
(6)下列说法正确的是________(填字母)。
A. 砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B. GaP与GaAs互为等电子体
C. 电负性：As＞Ga D. 砷化镓晶体中含有配位键
(7)砷化镓的晶胞结构如上图所示，密度为ρ g·cm-3，相对分子质量为M，其晶胞中Ga原子与As原子最近距离是_________nm。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能仅为10%，推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为___________，核外电子占据最高能层符号为________。
(2)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。
(3)下列说法正确的是_______
A.第一电离能：As < Ga B.砷和镓都属于p区元素
C.电负性：As < Ga D.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：____________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为_______，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为___。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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镍与VA族元素形成化合物是重要半导体材料，砷化镓(GaAs)是应用广泛的化工材料，回答问题：
（1）基态Ga原子核外电子排布式为_____，基态As原子核外有____个未成对电子。
（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：______________。
| 镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是________。
（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为___，草酸根中碳原子的杂化方式为______。
（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞边长为a=565 pm。该晶体的类型为____，晶体的密度为_____（设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可）g·cm-3。（Ga和As的相对原子质量分别为70和75）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
