砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
高二化学简答题困难题
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的最外层电子的电子排布图________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm−3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol−1和MAs g·mol−1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_______________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是__________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等，氮、磷、砷位于同一主族，回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）氮原子的L层中有__________对成对电子，NH4+的立体构型是__________，其中心原子的杂化方式为__________；PCl3属于含有 键的 分子（填“极性”或“非极性”）。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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