(15分)
Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因________， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有和________。
高三化学填空题中等难度题
(15分)
Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因________， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有和________。
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Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能As＞Ga
C.电负性As＞Ga D.原子半径As＞Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________，Cu2+的核外电子排布式为_______________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。
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Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________， Cu2+的核外电子排布式为_______________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。
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选考[化学一选修3：物质结构与性质]砷化稼为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。己知砷化稼的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是____（填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能As>Ga
C．电负性As>Ga
D．原子半径As>Ga
（2）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_________________；
（3）AsH3空间形状为_______；已知(CH3)3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因___________，Cu2+的核外电子排布式为_________________
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有___________和____________。
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砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题
（1）下列说法正确的是（选填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性:As＞Ga
D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：________________。
AsH3空间形状为：（CH3）3Ga中镓原子杂化方式为：。
（3）Ga的核外电子排布式为：。
（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是：。
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（12分）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题
（1）下列说法正确的是________（选填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性:As＞Ga D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：________。
AsH3空间形状为：________ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为： ________。
（3）Ga的核外价电子排布式为：________。
（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是：________。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)基态镓原子的价电子排布式为___。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__和+3。砷的电负性比镓__(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，分析其变化原因：__。
| 镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是__。
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：___。
②反应物AsH3分子的几何构型为__，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为__。
(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，As的配位数为__，晶体的密度为__(设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为__________________，核外电子占据最高能层符号为________。
（2）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。
（3）下列说法正确的是________
A．第一电离能：As < Ga B．砷和镓都属于p区元素
C．电负性：As < Ga D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（4）① 砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：______________________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为_________,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为___。
（5）实验测得AsH3沸点比NH3低，其原因是：___________________________。
（6）下图是氮化镓的晶胞模型，氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为d g/cm3。列式计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=______cm。
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(15分)化学——选修3：物质结构与性质
Ⅰ．已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能 As>Ga
C．电负性 As>Ga D．原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为：__________________________
（3）AsH3空间形状为___________；已知(CH3)3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因 ，Cu2+的核外电子排布式为________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH3) 4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有 和 。
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