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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)基态镓原子的价电子排布式为___。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__和+3。砷的电负性比镓__(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，分析其变化原因：__。
| 镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是__。
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：___。
②反应物AsH3分子的几何构型为__，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为__。
(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，As的配位数为__，晶体的密度为__(设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为__________________，核外电子占据最高能层符号为________。
（2）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。
（3）下列说法正确的是________
A．第一电离能：As < Ga B．砷和镓都属于p区元素
C．电负性：As < Ga D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（4）① 砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：______________________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为_________,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为___。
（5）实验测得AsH3沸点比NH3低，其原因是：___________________________。
（6）下图是氮化镓的晶胞模型，氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为d g/cm3。列式计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=______cm。
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【物质结构与性质】
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为___________。
（2）氮所在主族中第一电离能最大的元素是________（填元素符号，下同），镓所在主族中电负性最大的元素是____________________。
（3）传统的氮化镓制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应，该反应的化学方程式为______________。
（4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以____相结合，氮化镓属于_______晶体。
（5）下图是氮化镓的晶胞模型：
①氮化镓中镓原子的杂化方式为__________，氮原子的配位数为___________。
②氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为d g/cm3。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=_______cm。
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以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为__________________。
（2）氮所在主族中第一电离能最大的元素是___________（填元素符号，下同），镓所在主族中电负性最大的元素是_____________________。
（3）传统的氮化镓制备方法是采用CaCl3与NH3在一定条件下反应，该反应的化学方程式为_________________。
（4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以__________相结合，氮化镓属于______________晶体。
（5）下图是氮化镓的晶胞模型：
①氮化镓中镓原子的杂化方式为_______________，氮原子的配位数为__________________。
②氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为
。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=_______cm。
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第一代半导体材料（Si. Ge等）与第二代半导体材料（GaAs、 InSb等）一起，将人类推进了信息时代。近年来，以碳化硅( SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类资源和能源节约型社会的新发展，也成为了科学家研究的热点。
(1)基态锗原子的价电子排布图为_____。
(2)N、P、As位于同一主族，基态氮原子的核外共有____种不同运动状态的电子，N20的空间构型为____，与P043-互为等电子体的分子有 ____（填一种即可）。
(3)酞菁钴近年来在光电材料、非线性光学材料、光动力学中的光敏剂、催化剂等方面得到广泛的应用，其结构如图所示，中心离子为钴离子。
酞菁钴中碳原子的杂化轨道类型为____；与钴离子通过配位健结合的氮原子的编号是_____。
(4)已知PH3分子的键角约为94°，而AsH3分子的键角约为91.8°，试用价层电子对互斥理论解释PH3的键角比AsH3的键角大的原因_____________________。
(5)第三周期主族元素中，按第一电离能大小排序，第一电离能在磷和铝之间的元素有______。
(6)氮化硼、氮化铝、氮化镓的结构类似于金刚石，熔点如表中所示：
试从结构的角度分析它们熔点不同的原因___________________。
(7)磷化铝晶胞如图所示，若两个铝原子之间的最近距离为d pm，NA代表阿伏加德罗常数 的值，则磷化铝晶体的密度ρ= ____g/cm3。
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第一代半导体材料(Si、Ge等) 与第二代半导体材料(GaAs、 InSb等)一起，将人类推进了信息时代。近年来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类资源和能源节约型社会的新发展，也成为了科学家研究的热点。
（1）N、P、AS位于同一主族，基态氮原子的核外共有___种不同运动状态的电子，N2O的空间构型为_______。
（2）酞菁钴近年来在光电材料、非线性光学材料、光动力学中的光敏剂、催化剂等方面得到广泛的应用，其结构如图所示，中心离子为钴离子。 酞菁钻中碳原子的杂化轨道类型为___；与钴离子通过配位健结合的氮原子的编号是_______。
（3）C与N处于同周期相邻元素，C形成的一种重要物质可燃冰是天然气水合物，具有笼形结构如图A (表面的小球是水分子，内部的大球是甲烷分子)。图A 中最小的环中连接的原子总数是_______。 可燃冰晶体具有多种笼状结构，其中一种由1个图A所示笼分别用2 个面与另外两个相同的笼共面而成，则中间笼实际占有____个水分子。
（4）已知PH3分子的键角约为94%，而AsH3分子的键角约为91.8°，试用价层电子对互斥理论解释PH3的键角比AsH3的键角大的原因________________。
（5） 第三周期主族元素中，按第一电离能大小排序，第一电离能在磷和铝之间的元素有____。
（6）氮化硼、氮化铝、氮化镓的结构类似于金刚石，熔点如表中所示；试从结构的角度分析它们熔点不同的原因__________________。
| 物质 | BN | AIN | GaN |
| 熔点/℃ | 3000 | 2200 | 1700 |
（7）磷化铝晶胞如图所示，若两个铝原子之间的最近距离为dpm，NA代表阿伏加德罗常数的值，则磷化铝晶体的密度p=_____g/cm3。
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[化学—物质结构与性质]（13分）
Ⅰ．现今运动场馆大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs（砷化镓）、InGaN（氮化铟镓）为主。砷化镓作为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。
已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是 （填字母序号）。
a．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 b．第一电离能：As＞Ga
c．电负性：As＞Ga d．砷化镓晶体中含有配位键
e．GaP与GaAs互为等电子体
（2）AsH3空间构型为__ __；砷化镓可由(CH3)3Ga 和AsH3在700℃时制得，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ． 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（3）Cu的价电子排布式为__________；请解释金属铜能导电的原因 。
（4）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4 晶体，晶体中
含有的化学键除普通共价键外，还有 和 。已知NF3与NH3的空间构型都是三角锥形，单NF3不易与Cu2+形成配离子，其原因是 。
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(15分)
Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因________， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有和________。
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Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能As＞Ga
C.电负性As＞Ga D.原子半径As＞Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________，Cu2+的核外电子排布式为_______________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。
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Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是__________（填序号）
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；
（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________， Cu2+的核外电子排布式为_______________________。
（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。
。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=_______cm。