已知aAn＋， bB（n＋1）＋， cCn－， dD（n＋1）－是具有相同的电子层结构的短...

已知aAn＋， bB（n＋1）＋， cCn－， dD（n＋1）－是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是（　　 ）

A．原子半径：C>D>A>B

B．原子序数：b>a>c>d

C．离子半径：Cn＋>D（n＋）－>An＋>B（n＋）＋

D．单质还原性：A>B>C>D

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已知aAn-、bB(n+1)-、cCn+、dD(n+1)+是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子。下列叙述正确的是（　　 ）

A. 原子序数：c > d > a > b B. 原子半径：D > C > B > A

C. 离子半径：B > A > C > D D. 单质还原性：C > D > A > B

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已知aAn+、bB（n+1）+、cCn-、dD（n+1）-均是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列说法正确的是（ ）

A. 原子半径C＞D＞A＞B

B. 离子半径D＞C＞B＞A

C. 原子序数b＞a＞c＞d

D. 单质的还原性A＞B＞C＞D

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已知aAn＋、bB(n＋1)＋、cCn－、dD(n＋1)－是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子。下列叙述正确的是(　 )

A．原子半径：C>D>A>B　　　　　　 B．原子序数：b>a>d>c

C．离子半径：D>C>A>B　　　　　　 D．单质还原性：A>B>C>D

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已知aAn＋，bB（n＋1）＋，cCn－，dD（n＋1）－是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是

A．最外层电子数：C>D>A>B

B．原子序数：b>a>c>d

C．离子半径：Cn ->D（n＋1）－>An＋>B（n＋1）＋

D．单质还原性：A>B>C>D

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已知_aAⁿ⁺、_bB⁽ⁿ⁺¹⁾⁺、_cC^n-、_dD^(n+1)- 均是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列说法正确的是（    ）

A．原子半径C>D>A>B                  B．原子序数b<a<c<d

C．离子半径D>C>A>B                  D．单质的还原性A>B>C>D

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已知aAn＋， bB(n＋1)＋， cCn－， dD(n＋1)－是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是　　　　　 (　　 )

A. 原子半径：C>D>A>B B. 原子序数：b>a>c>d

C. 离子半径：Cn－>D(n＋1)－>An＋>B(n＋1)＋ D. 单质还原性：A>B>C>D

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aAn+,bB(n+1)+,cCn- ,dD(n+1)-离子具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是（　　　　 ）

A．原子半径C>D>A>B　　　　　　　　 B．原子序数：b>a>c>d

C．离子半径Cn-> D(n+1)->An+>B(n+1)+　　 D．单质还原性A>B>C>D

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已知aAn +,b B( n + 1 )+,c Cn–,d D( n + 1 )– 是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是（ ）

A. 原子半径：C＞D＞A＞B　　 B. 原子序数：b＞a＞c＞d

C. 离子半径：C＞D＞A ＞B　　 D. 单质还原性：A＞B＞C＞D

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已知aAn +,b B( n + 1 )+,c Cn–,d D( n + 1 )– 是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子，下列叙述正确的是（）

A. 原子半径：C＞D＞A＞B　　 B. 原子序数：b＞a＞c＞d

C. 离子半径：C＞D＞A ＞B　　 D. 单质还原性：A＞B＞C＞D

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