已知aAn+,bB(n+1)+,cCn-,dD(n+1)-是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是
A.最外层电子数:C>D>A>B
B.原子序数:b>a>c>d
C.离子半径:Cn ->D(n+1)->An+>B(n+1)+
D.单质还原性:A>B>C>D
高一化学选择题中等难度题
已知aAn+, bB(n+1)+, cCn-, dD(n+1)-是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是( )
A.原子半径:C>D>A>B
B.原子序数:b>a>c>d
C.离子半径:Cn+>D(n+)->An+>B(n+)+
D.单质还原性:A>B>C>D
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已知aAn-、bB(n+1)-、cCn+、dD(n+1)+是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子。下列叙述正确的是( )
A. 原子序数:c > d > a > b B. 原子半径:D > C > B > A
C. 离子半径:B > A > C > D D. 单质还原性:C > D > A > B
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已知aAn+、bB(n+1)+、cCn-、dD(n+1)-是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子。下列叙述正确的是( )
A.原子半径:C>D>A>B B.原子序数:b>a>d>c
C.离子半径:D>C>A>B D.单质还原性:A>B>C>D
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已知aAn+,bB(n+1)+,cCn-,dD(n+1)-是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是
A.最外层电子数:C>D>A>B
B.原子序数:b>a>c>d
C.离子半径:Cn ->D(n+1)->An+>B(n+1)+
D.单质还原性:A>B>C>D
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已知aAn+, bB(n+1)+, cCn-, dD(n+1)-是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是 ( )
A. 原子半径:C>D>A>B B. 原子序数:b>a>c>d
C. 离子半径:Cn->D(n+1)->An+>B(n+1)+ D. 单质还原性:A>B>C>D
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aAn+,bB(n+1)+,cCn- ,dD(n+1)-离子具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是( )
A.原子半径C>D>A>B B.原子序数:b>a>c>d
C.离子半径Cn-> D(n+1)->An+>B(n+1)+ D.单质还原性A>B>C>D
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已知aAn+、bB(n+1)+、cCn-、dD(n+1)-均是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列说法正确的是( )
A. 原子半径C>D>A>B
B. 离子半径D>C>B>A
C. 原子序数b>a>c>d
D. 单质的还原性A>B>C>D
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已知aAn+、bB(n+1)+、cCn-、dD(n+1)- 均是具有相同电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列说法正确的是( )
A.原子半径C>D>A>B B.原子序数b<a<c<d
C.离子半径D>C>A>B D.单质的还原性A>B>C>D
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已知aAn +,b B( n + 1 )+,c Cn–,d D( n + 1 )– 是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是( )
A. 原子半径:C>D>A>B B. 原子序数:b>a>c>d
C. 离子半径:C>D>A >B D. 单质还原性:A>B>C>D
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已知aAn +,b B( n + 1 )+,c Cn–,d D( n + 1 )– 是具有相同的电子层结构的短周期元素形成的简单离子,下列叙述正确的是()
A. 原子半径:C>D>A>B B. 原子序数:b>a>c>d
C. 离子半径:C>D>A >B D. 单质还原性:A>B>C>D
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