（本题10分）元素的单质及其化合物有着广泛的用途。请根据元素周期表中第三周期元素相关知识回...

（本题10分）

元素的单质及其化合物有着广泛的用途。请根据元素周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题。

完成下列填空：

23．按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 　 　 　 。

A．原子半径和简单离子半径均减小　　

B．金属性减弱，非金属性增强

C．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　

D．单质的熔点降低

24．原子最外层电子数与次外层中p亚层电子数相同的元素名称是__________，磷元素原子最外层电子排布的轨道表示式是________________________________。

25．已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___________________________________。

26．晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：___________________________________。

27．KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式： _______________

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（本题共12分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

23、第三周期元素的原子所形成的简单离子中：还原性最弱的阴离子是　　　 ；氧化性最强的阳离子是　　　 。

24、下列事实可以作为S和Cl非金属性强弱的判断依据的是　　　 （选填序号）

a．Cl的最高正价比S高　　 　 　 b．可用浓H2SO4制HCl

c．HCl的酸性比H2S强　　 　　 d．Cl2与H2S反应生成S

25、硅元素最外层有　　　 种能量不同的电子；SiCl4的空间构型和CH4相同，写出SiCl4的电子式：　　　　　　　 。

26、PH3和NH3的某些化学性质相似。下列对晶体PH4I性质的推测，错误的是　　　 （选填序号）

a．PH4I是一种共价化合物　　　 b．PH4I能与烧碱溶液反应

c．PH4I加热后会发生升华　　　 d．PH4I溶液能与溴水反应

27、二氯化二硫(S2C12)可用作橡胶工业的硫化剂，它的分子结构与H2O2相似。下列有关说法不正确的是　　 （选填序号）

a．S 2C12分子中有4对共用电子对　　

b．S2C12分子中没有非极性键

c．S2C12分子中，S为+1价，Cl为-1价　

d．S2C12分子中各原子均为8电子稳定结构

28、已知NaHSO3溶液显酸性，溶液中存在以下平衡：

HSO3-+H2OH2SO3+OH-　 ①

HSO3-H++SO32-　　 ②

向0.1mol/L的NaHSO3溶液中加入少量氢氧化钠固体，则　　　 （填“增

大”“减小”或“不变”，后同），　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）第三周期元素的原子所形成的简单离子中：半径最大的阴离子是__；氧化性最强的阳离子是__．

（2）下列事实可以作为S和Cl非金属性强弱的判断依据的是__（选填序号）

a．Cl的最高正价比S高　　 b．可用浓H2SO4制HCl

c．HCl的酸性比H2S强　　　 d．Cl2与H2S反应生成S．

（3）硅元素最外层有__种能量不同的电子；SiCl4的空间构型和CH4相同，写出SiCl4的电子式：__．

（4）PH3和NH3的某些化学性质相似．下列对晶体PH4I性质的推测，错误的是__（选填序号）

a．PH4I是一种共价化合物　　 b．PH4I能与烧碱溶液反应

c．PH4I加热后会发生升华　　　 d．PH4I溶液能与溴水反应．

（5）二氯化二硫（S2C12）可用作橡胶工业的硫化剂，它的分子结构与H2O2相似．下列有关说法不正确的是__（选填序号）

a．S2C12分子中有4对共用电子对

b．S2C12分子中没有非极性键

c．S2C12分子中，S为+1价，Cl为﹣1价

d．S2C12分子中各原子均为8电子稳定结构．

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（15分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）氧化性最弱的简单阳离子的结构示意图是　　　　　　　　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）Na2S溶液长期放置有硫析出，原因为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （用离子方程式表示）。

（5）已知：2SO2(g)＋O2(g)2SO3(g)　　 平衡常数为K1

2NO(g)＋O2(g)2NO2(g)　　 平衡常数为K2

则反应NO2(g)＋SO2(g)SO3(g)＋NO(g)的平衡常数为K3＝　　　　　　　　 （用K1、K2来表达）

一定条件下，将NO2与SO2以体积比1:2置于密闭容器中发生上述反应，下列能说明反应达到平衡状态的是　　　　　　　　　　　　 。

a．体系压强保持不变　　　　　　　　　　

b．混合气体颜色保持不变

c．SO2和NO的体积比保持不变　　

d．每消耗1 mol SO3的同时生成1 mol NO2

测得上述反应平衡时NO2与SO2体积比为1∶6，则平衡常数K＝　　　　　　　　 。

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式　　　　　　　　 　　　　　 。

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　 。

a． NH3　　　　　 b． HI　　　　　 c． SO2　　　　 d ． CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。　　　　

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为

（3）已知：

工业制镁时的反应方程式是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，该反应的热化学方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的：

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　 　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛的用途，请根据周期表中短周期元素相关知识回答下列问题：

（1）空气中含量最高的元素与第三周期非金属性最强的元素形成的化合物的电子式： ___；

（2）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是____；

a.NH3　　 b.HI　　　 c.SO2　　 d.CO2

（3）第三周期金属性最强和非金属性最强元素形成的化合物的水溶液通电条件下发生的离子反应方程式：___。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　　　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：____。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是____。

a．NH3　 b．HI　 c．SO2　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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