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半导体材料磷化硼(BP)可由BBr3和PBr3在高温下合成。回答下列问题：
(1)基态P原子的价电子排布式为__________，同周期中第一电离能比P 小的元素有______种。
(2)在水中的溶解度BBr3_______PBr3(填“ >”或“ <”)，原因是_____________。
(3)一定温度下PBr5能形成阴、阳离子个数比为1：1的导电熔体，经测定其中P—Br键键长均相等。写出该导电熔体中阳离子的电子式：_________，其中P原子的杂化轨道类型是_______。
(4)已知磷化硼晶体中P原子作A1型最密堆积，B原子填入四面体空隙中，相邻P原子和B原子核间距为d cm，则该晶体中每个B原子周围有_____个B原子与它距离最近，晶体密度为____g·cm-3(NA表示阿伏加德罗常数的值)，若某个P原子的坐标为(0，0，0)，则晶胞中其余P原子的坐标为__________(写出一个即可)。
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半导体材料磷化硼(BP)可由BBr3和PBr3在高温下合成。回答下列问题：
(1)在现代化学中，常利用______________(填“原子光谱”或“分子光谱”) 上的特征谱线来鉴定元素，称为光谱分析。
(2)基态P原子的价电子排布式为_______，同周期中第一电离能比P小的元素有_______种。
(3)在水中的溶解度BBr3_________PBr3(填“>”或“<”)，原因是____________________。
(4)一定温度下PBr5能形成阴、阳离子个数比为1:1的导电熔体，阴阳离子均带一个电位电荷，经测定其中P-Br键键长均相等。写出该导电熔体中阳离子的电子式：_____________，其中P原子的杂化轨道类型是_____________________。
(5)已知磷化硼晶体中P原子作面心立方最密堆积，若某个P的原子坐标为(0,0,0)，则晶胞中其余P原子的坐标为______________ (写出一个即可)，B原子填入四面体空隙中，B的原子坐标分别为（
，，）、（，
，）、（，，）、（，，），相邻P原子和B原子核间距为dcm，则该晶体中每个B原子周围有______个B原子与它距离最近，晶体密度为________g·cm-3 (NA表示阿 伏加德罗常数的值)。
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磷化硼（BP）是一种受到高度关注的金属保护层耐磨材料，可由三溴化硼和三溴化磷在氢气中高温制得。
（1）合成BP的反应中，基态原子未成对电子最多的元素符号为____，核外电子数最多的元素的基态原子电子占据最高能级上的电子数为____。B所在的周期第一电离能最大的元素名称为____。
（2）三溴化磷分子的中心原子价层电子对数为____，分子空间结构为____形。BBr3空间结构为____形，PBr3分子中键角比BBr3分子中键角____（填＞、＜或=）。
（3）N与P同主族。科学家在一定条件下把氮气（氮氮三键键能为942kJ•mol－1）聚合为固体高聚氮，全部以N-N键相连且键能为160kJ•mol－1，这种固体高聚氮可能潜在的用途是____，这是因为____。
（4）BP晶胞，磷原子在晶胞中采用金属铜原子的堆积方式，硼原子填充在其四面体空隙中，则其四面体填充率为____，已知晶胞参数a=478pm，则硼和磷原子的核间距为____pm（保留整数）。
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含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(Cu3SnP)等。
回答下列问题：
(1)锡(Sn)是第五周期ⅣA元素。基态锡原子的价电子排布式为_________，据此推测，锡的最高正价是_________ 。
(2)与P同周期的主族元素中，电负性比P小的元素有____种 ，第一电离能比P大有____种。
(3)PH3分子的空间构型为___________。PH3的键角小于NH3的原因是__________。
(4)化合物(CH3)3N能溶于水，试解析其原因____________。
(5)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：
①在一个晶胞中磷原子空间堆积方式为________，磷原子的配位数为________。
②已知晶胞边长a pm，阿伏加德罗常数为NA。则磷化硼晶体的密度为______ g/cm3。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请将表示B原子的圆圈涂黑________。
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含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(Cu3SnP)等。
回答下列问题：
(1)锡(Sn)是第五周期ⅣA元素。基态锡原子的价电子排布式为_________，据此推测，锡的最高正价是_________ 。
(2)与P同周期的主族元素中，电负性比P小的元素有____种 ，第一电离能比P大有____种。
(3)PH3分子的空间构型为___________。PH3的键角小于NH3的原因是__________。
(4)化合物(CH3)3N能溶于水，试解析其原因____________。
(5)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：
①在一个晶胞中磷原子空间堆积方式为________，磷原子的配位数为________。
②已知晶胞边长a pm，阿伏加德罗常数为NA。则磷化硼晶体的密度为______ g/cm3。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请将表示B原子的圆圈涂黑________。
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Al和Ga及N和As分别是同主族的元素，请回答下列问题：
（1）砷化镓是一种半导体材料，其化学式为________。
（2）写出As原子处于基态时的核外电子排布式________。
（3）超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝在绝缘材料中应用广泛，氮化铝晶体与金刚石类似，每个铝原子与________个氮原子相连，氮化铝晶体属于________晶体。
（4）NH3是氮的氢化物，中心原子的杂化方式是________，存在化学键的类型是________，NH3的沸点比AsH3高的原因是。
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2018年7月5日《科学》杂志在线报道：美国研究人员合成一种新的具有超高热导率半导体材料一砷化硼(BAs)。回答下列问题：
(1)基态As原子价层电子的电子排布图(轨道表达式)为_____________，基态B原子核外电子占据最高能级的电子云轮廓图为_____________。
(2)通过反应4BI3(g)+As4(g)
4BAs(s，晶体)十6I2(g)可制备BAs晶体，As4结构如图所示。
①BI3分子空间构型为____________，其中B原子杂化方式是____________________。
②As4分子中键角为____________度，分子中成键电子对与孤电子对数目之比为________________。
(3)晶态单质硼有多种结构，它们都以B12[结构如图所示]为基本的结构单元。B12结构单元为正_________面体。单质硼的熔点为2180℃，它属于_____________晶体。
(4)BAs晶胞结构如图所示，已知晶胞参数为0.4777nm，阿伏加德罗常数的值为NA。As原子的配位数为___________；BAs品体的密度为__________g·cm-1(列出计算式)。
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ⅢA、VA族元素组成的化合物AlN、AlP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料。回答下列问题：
（1）As基态原子的电子占据了___________个能层，最高能级的电子排布式为___________；和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有_____________种。
（2）元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是__________（填元素符号）；Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是______________。
（3）已知AlN、AlP等半导体材料的晶体结构与单晶硅相似，则Al原子的杂化形式为________；晶体结构中存在的化学键有____________（填标号）。
A.离子键 B.
键 C.
键 D.配位键
（4）砷化镓（GaAs）是继硅晶体之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料，它能直接将电能转变为光能，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知CaAs的晶胞结构如图，晶胞参数
=0.565nm，则Ga原子与As原子的核间距为____________pm（列式表示）。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．SiC与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m，则该晶胞密度为ρ=___________。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．Sic与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m,相对原子质量Ga∶70,As∶75,则该晶胞密度为ρ=___________。
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4BAs(s，晶体)十6I2(g)可制备BAs晶体，As4结构如图所示。
键 C.
键 D.配位键
=0.565nm，则Ga原子与As原子的核间距为____________pm（列式表示）。