含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(C...

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含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(Cu3SnP)等。

回答下列问题：

(1)锡(Sn)是第五周期ⅣA元素。基态锡原子的价电子排布式为_________，据此推测，锡的最高正价是_________ 。

(2)与P同周期的主族元素中，电负性比P小的元素有____种，第一电离能比P大有____种。

(3)PH3分子的空间构型为___________。PH3的键角小于NH3的原因是__________。

(4)化合物(CH3)3N能溶于水，试解析其原因____________。

(5)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：

①在一个晶胞中磷原子空间堆积方式为________，磷原子的配位数为________。

②已知晶胞边长a pm，阿伏加德罗常数为NA。则磷化硼晶体的密度为______ g/cm3。

③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请将表示B原子的圆圈涂黑________。

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试题答案

试题解析

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含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(Cu3SnP)等。
回答下列问题：
(1)锡(Sn)是第五周期ⅣA元素。基态锡原子的价电子排布式为_________，据此推测，锡的最高正价是_________ 。
(2)与P同周期的主族元素中，电负性比P小的元素有____种，第一电离能比P大有____种。
(3)PH3分子的空间构型为___________。PH3的键角小于NH3的原因是__________。
(4)化合物(CH3)3N能溶于水，试解析其原因____________。
(5)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：
①在一个晶胞中磷原子空间堆积方式为________，磷原子的配位数为________。
②已知晶胞边长a pm，阿伏加德罗常数为NA。则磷化硼晶体的密度为______ g/cm3。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请将表示B原子的圆圈涂黑________。

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含氮、磷化合物在生活和生产中有许多重要用途，如：(CH3)3N、磷化硼(BP)、磷青铜(Cu3SnP)等。
回答下列问题：
(1)锡(Sn)是第五周期ⅣA元素。基态锡原子的价电子排布式为_________，据此推测，锡的最高正价是_________ 。
(2)与P同周期的主族元素中，电负性比P小的元素有____种，第一电离能比P大有____种。
(3)PH3分子的空间构型为___________。PH3的键角小于NH3的原因是__________。
(4)化合物(CH3)3N能溶于水，试解析其原因____________。
(5)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：
①在一个晶胞中磷原子空间堆积方式为________，磷原子的配位数为________。
②已知晶胞边长a pm，阿伏加德罗常数为NA。则磷化硼晶体的密度为______ g/cm3。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请将表示B原子的圆圈涂黑________。

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[化学—选修3：物质结构与性质]
含硼、氮、磷的化合物有许多重要用途，如：(CH3)3N、Cu3P、磷化硼等。回答下列问题：
(1)基态B原子电子占据最高能级的电子云轮廓图为____；基态Cu+的核外电子排布式为 ___。
(2)化合物(CH3)3N分子中N原子杂化方式为 ___，该物质能溶于水的原因是 ___。
(3)PH3分子的键角小于NH3分子的原因是 ___；亚磷酸(H3PO3)是磷元素的一种含氧酸，与NaOH反应只生成NaH2PO3和Na2HPO3两种盐，则H3PO3分子的结构式为____。
(4)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图1所示：
①在一个晶胞中磷原子的配位数为____。
②已知磷化硼晶体的密度为ρg/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则B-P键长为____pm。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图2，请在答题卡上将表示B原子的圆圈涂黑________。

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（化学一选修3:物质结构与性质）
含硼、氮、磷的化合物有许多重要用途，如:(CH3)3N、Cu3P、磷化硼等。回答下列问题：
(1)基态B原子电子占据最高能级的电子云轮廓图为________；基态Cu+的核外电子排布式为___________。
(2)化合物(CH3)3N分子中N原子杂化方式为________，该物质能溶于水的原因是______。
(3)PH3分子的键角小于NH3分子的原因是________________；亚磷酸(H3PO3)是磷元素的一种含氧酸，与NaOH反应只生成NaH2PO3和Na2HPO3两种盐，则H3PO3分子的结构式为______________________。
(4)磷化硼是一种耐磨涂料，它可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞如图所示：
①在一个晶胞中原子的配位数为_______________。
②已知磷化硼晶体的密度为pg/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则B-P键长为_________。
③磷化硼晶胞沿着体对角线方向的投影如图，请在答题卡上将表示B原子的圆圈涂黑_________。

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【化学--选修3：物质结构与性质】
VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是______；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为______；
（3）As原子序数为______，其核外M层和N层电子的排布式为______；
（4）NH₃的沸点比PH₃______（填“高”或“低”），原因是______．
PO₄^3-离子的立体构型为______；
（5）H₃PO₄的K₁、K₂、K₃分别为7.6×10^-3、6.3×10^-8、4.4×10^-13．硝酸完全电离，而亚硝酸K=5.1×10^-4，请根据结构与性质的关系解释：
①H₃PO₄的K₁远大于K₂的原因______；
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因______；
（6）NiO晶体结构与NaCl晶体类似，其晶胞的棱长为a cm，则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为______

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VIA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）S单质的常见形式为S8，其环状结构如图1所示，S原子采用的轨道杂化方式是　　　　　　　　　；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为　　　　　　　　；
（3）Se原子序数为　　　　　　　　，其核外M层电子的排布式为　　　　　　　；
（4）H2Se的酸性比H2S　　　　　（填“强”或“弱”）．气态SeO3分子的立体构型为　　　　　平面三角形，SO32﹣离子的立体构型为　　　　　三角锥形；
（5）H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10﹣3和2.5×10﹣8，H2SeO4第一步几乎完全电离，K2为1.2×10﹣2，请根据结构与性质的关系解释：
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因：　　　　　　　　　　　　；第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子；
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因：　　　　　　　　　；
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛．立方ZnS晶体结构如图2所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为　　　　　　　　　　　　　　（列式并计算），a位置S2﹣离子与b位置Zn2+离子之间的距离为　　　　　　　　 pm（列式表示）．

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）S单质的常见形式为S₈，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是______；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______；
（3）Se原子序数为______，其核外M层电子的排布式为______；
（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO₃分子的立体构型为______平面三角形，SO₃²^－离子的立体构型为______三角锥形；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分别为2.7×10^－³和2.5×10^－⁸，H₂SeO₄第一步几乎完全电离，K₂为1.2×10^－²，请根据结构与性质的关系解释：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步电离程度大于第二步电离的原因：________；第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性强的原因：______；
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示，其晶胞边长为540.0 pm，密度为____________(列式并计算)，a位置S²^－离子与b位置Zn²^＋离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。

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ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：

（1）S单质的常见形式是S₈，其环状结构如图1所示，S原子采用的轨道杂化方式是________；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（3）Se的原子序数为________，其核外M层电子的排布式为________；
（4）H₂Se的酸性比 H₂S________（填“强”或“弱”）．气态SeO₃分子的立体构型为________，离子的立体构型为________；
（5）H₂SeO₃ 的K₁和K₂分别是2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄的第一步几乎完全电离，K₂是1.2×10^-2，请根据结构与性质的关系解释：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄的第一步电离程度大于第二步电离的原因：________；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性强的原因：________．
（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛．立方ZnS晶体结构如图2所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为________g•cm^-3（列式并计算），a位置S^2-离子与b位置Zn²⁺离子之间的距离为________pm（列式表示）
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（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种化合价，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，请写出一个与CO₂等电子的化合物________。
（2）把Na₂O、 SiO₂、P₂O₅三种氧化物按熔沸点由高到低顺序排列________。
（3）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（4）Se原子基态核外电子的排布式为________；H₂Se的沸点：－41.1℃，H₂S的沸点：-60.4℃引起两者沸点差异的主要原因是________；
（5）SO₃^2-离子中硫原子的杂化方式________,该离子的立体构型为________；
（6）某金属元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的颜料、脱硫剂。其立方晶体的晶胞结构如右图所示，则该氧化物的化学式为________。

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VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途．请回答下列问题：
（1）白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是________；
（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为________；
（3）As原子序数为________，其核外M层和N层电子的排布式为________；
（4）NH₃的沸点比PH₃________(填“高”或“低”)，原因是________．PO₄³^－离子的立体构型为________；
（5）H₃PO₄的K₁、K₂、K₃分别为7.6×10^－³、6.3×10^－⁸、4.4×10^－¹³．硝酸完全电离，而亚硝酸K=5.1×10^－⁴，请根据结构与性质的关系解释：
①H₃PO₄的K₁远大于K₂的原因________；
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因________；
（6）NiO晶体结构与NaCl晶体类似，其晶胞的棱长为a cm，则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为________cm（用含有a的代数式表示）．在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”（如图），可以认为氧离子作密致单层排列，镍离子填充其中，列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为________g (氧离子的半径为1.40×10^－¹⁰m)

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