N和Si是合成新型非金属材料的两种重要元素。请回答:
（1）基态Si原子的价层电子排布图为 ；Si原子可形成多种氢化物，其中Si2H6中Si原子的价层电子对数目为 。
（2）ClO3-、ClO4-中Cl都是以 轨道与O原子 轨道成键，其微粒的立体结构分别为 、 。
（3）N和Si形成的原子晶体中，N原子的配位数为 。
（4）NaN3常作为汽车安全气囊的填充物，其焰色反应为黄色。大多数金属元素有焰色反应的微观原因为 ；N3-中σ键和π键的数目之比为 。B、F与N三种元素同周期，三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为 （用元素符号表示）
（5）SiO2的晶胞与金刚石（如图所示）相似，可以看作Si原子替代C原子后，在两个成键的Si原子间插入1个O原子形成。则：
①晶胞中最小的环含有_____个原子。
②若晶体密度为ρg·cm3，阿伏伽德罗常数为NA，晶胞中两个最近的Si原子核之间的距离为____pm(用代数式表示)。
高三化学填空题极难题
N和Si是合成新型非金属材料的两种重要元素。请回答:
（1）基态Si原子的价层电子排布图为 ；Si原子可形成多种氢化物，其中Si2H6中Si原子的价层电子对数目为 。
（2）ClO3-、ClO4-中Cl都是以 轨道与O原子 轨道成键，其微粒的立体结构分别为 、 。
（3）N和Si形成的原子晶体中，N原子的配位数为 。
（4）NaN3常作为汽车安全气囊的填充物，其焰色反应为黄色。大多数金属元素有焰色反应的微观原因为 ；N3-中σ键和π键的数目之比为 。B、F与N三种元素同周期，三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为 （用元素符号表示）
（5）SiO2的晶胞与金刚石（如图所示）相似，可以看作Si原子替代C原子后，在两个成键的Si原子间插入1个O原子形成。则：
①晶胞中最小的环含有_____个原子。
②若晶体密度为ρg·cm3，阿伏伽德罗常数为NA，晶胞中两个最近的Si原子核之间的距离为____pm(用代数式表示)。
高三化学填空题极难题查看答案及解析
B、N、Co均为新型材料的重要组成元素。请回答下列问题。
(1)基态氮原子的价电子排布图为________________。
(2)Co能形成[Co(CNO)6]3-。
①1mol该离子中含有σ 键的数目为_____________。
②与CNO—互为等电子体的分子为_____________。（任写一种，填化学式）
(3)往CuSO4溶液中加入过量氨水，可生成[Cu(NH3)4]2+ 配离子，已知NF3和NH3的空间构型都是三角锥型，但NF3不易与Cu2+形成配合离子，其原因是_______。
(4)分子中的大 π键可用符合 πmn 表示，其中m表示形成大 π 键的原子数，n表示参与形成大 π 键的电子数（如苯分子中的大 π键可表示为π66）。则NO3-中的大 π键应表示为________________。
(5)多硼酸根的结构之一为链状(如图)，其化学式为____________。
(6)氮化硼晶体有多种结构，其中立方氮化硼具有金刚石的结构（如图）。若晶胞边长为a nm，晶胞中N原子位于B原子所形成的正四面体的体心，则B—N键的键长为____nm，这种氮化硼晶体的密度为______g/cm3 。（用含有a和NA的代数式表示）
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B、N、Co均为新型材料的重要组成元素。请回答下列问题。
(1)基态氮原子的价电子排布图为________________。
(2)Co能形成[Co(CNO)6]3-。
①1mol该离子中含有σ 键的数目为_____________。
②与CNO—互为等电子体的分子为_____________。（任写一种，填化学式）
(3)往CuSO4溶液中加入过量氨水，可生成[Cu(NH3)4]2+ 配离子，已知NF3和NH3的空间构型都是三角锥型，但NF3不易与Cu2+形成配合离子，其原因是_______。
(4)分子中的大 π键可用符合 πmn 表示，其中m表示形成大 π 键的原子数，n表示参与形成大 π 键的电子数（如苯分子中的大 π键可表示为π66）。则NO3-中的大 π键应表示为________________。
(5)多硼酸根的结构之一为链状(如图)，其化学式为____________。
(6)氮化硼晶体有多种结构，其中立方氮化硼具有金刚石的结构（如图）。若晶胞边长为a nm，晶胞中N原子位于B原子所形成的正四面体的体心，则B—N键的键长为____nm，这种氮化硼晶体的密度为______g/cm3 。（用含有a和NA的代数式表示）
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[化学一选修3:物质结构与性质]
金属材料在国民经济建设等领域具有重要应用，镁、镍、铜是几种重要的金属元素，请回答下列问题:
(1)镍元素的核电荷数为28，则原子基态电子排布式为 ________ ，结构中有 ___ 种不同形状的电子云。
(2)MgO的熔点高于CuO的原因是__________________________
(3)Mg元素的第一电离能反常地高于同周期后一种元素，原因是_____________________
(4)Ni与CO能形成配合物Ni(CO)4，该分子中σ键与π键个数比为 _____________________
(5)配合物[Cu(CH3C≡N)4]BF4中碳原子杂化轨道类型为______ ，BF4-的空间构型为_________________ 。
(6)铜与氧元素可形成如图所示的晶胞结构，其中Cu均匀地分散在立方体内部，a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、(1/2，1/2，1/2)，则d的坐标参数为 ____________,已知该品体的密度为ρg/cm3,NA是阿伏加德罗常数值，则晶胞参数为 _______________ cm(列出计算式即可)。
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[化学一选修3:物质结构与性质]
金属材料在国民经济建设等领域具有重要应用，镁、镍、铜是几种重要的金属元素，请回答下列问题:
(1)镍元素的核电荷数为28，则原子基态电子排布式为 ________ ，结构中有 ___ 种不同形状的电子云。
(2)MgO的熔点高于CuO的原因是__________________________
(3)Mg元素的第一电离能反常地高于同周期后一种元素，原因是_____________________
(4)Ni与CO能形成配合物Ni(CO)4，该分子中σ键与π键个数比为 _____________________
(5)配合物[Cu(CH3C≡N)4]BF4中碳原子杂化轨道类型为______ ，BF4-的空间构型为_________________ 。
(6)铜与氧元素可形成如图所示的晶胞结构，其中Cu均匀地分散在立方体内部，a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、(1/2，1/2，1/2)，则d的坐标参数为 ____________,已知该品体的密度为ρg/cm3,NA是阿伏加德罗常数值，则晶胞参数为 _______________ cm(列出计算式即可)。
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[化学一选修3:物质结构与性质]
金属材料在国民经济建设等领域具有重要应用，镁、镍、铜是几种重要的金属元素，请回答下列问题:
(1)镍元素的核电荷数为28，则原子基态电子排布式为 ________ ，结构中有 ___ 种不同形状的电子云。
(2)MgO的熔点高于CuO的原因是__________________________
(3)Mg元素的第一电离能反常地高于同周期后一种元素，原因是_____________________
(4)Ni与CO能形成配合物Ni(CO)4，该分子中σ键与π键个数比为 _____________________
(5)配合物[Cu(CH3C≡N)4]BF4中碳原子杂化轨道类型为______ ，BF4-的空间构型为_________________ 。
(6)铜与氧元素可形成如图所示的晶胞结构，其中Cu均匀地分散在立方体内部，a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、(1/2，1/2，1/2)，则d的坐标参数为 ____________,已知该品体的密度为ρg/cm3,NA是阿伏加德罗常数值，则晶胞参数为 _______________ cm(列出计算式即可)。
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[化学一选修3:物质结构与性质]
金属材料在国民经济建设等领域具有重要应用，镁、镍、铜是几种重要的金属元素，请回答下列问题:
(1)镍元素的核电荷数为28，则原子基态电子排布式为 ________ ，结构中有 ___ 种不同形状的电子云。
(2)MgO的熔点高于CuO的原因是__________________________
(3)Mg元素的第一电离能反常地高于同周期后一种元素，原因是_____________________
(4)Ni与CO能形成配合物Ni(CO)4，该分子中σ键与π键个数比为 _____________________
(5)配合物[Cu(CH3C≡N)4]BF4中碳原子杂化轨道类型为______ ，BF4-的空间构型为_________________ 。
(6)铜与氧元素可形成如图所示的晶胞结构，其中Cu均匀地分散在立方体内部，a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、(1/2，1/2，1/2)，则d的坐标参数为 ____________,已知该品体的密度为ρg/cm3,NA是阿伏加德罗常数值，则晶胞参数为 _______________ cm(列出计算式即可)。
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ⅢA、VA族元素组成的化合物AlN、AlP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料。回答下列问题：
（1）As基态原子的电子占据了___________个能层，最高能级的电子排布式为___________；和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有_____________种。
（2）元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是__________（填元素符号）；Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是______________。
（3）已知AlN、AlP等半导体材料的晶体结构与单晶硅相似，则Al原子的杂化形式为________；晶体结构中存在的化学键有____________（填标号）。
A.离子键 B.
键 C.
键 D.配位键
（4）砷化镓（GaAs）是继硅晶体之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料，它能直接将电能转变为光能，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知CaAs的晶胞结构如图，晶胞参数
=0.565nm，则Ga原子与As原子的核间距为____________pm（列式表示）。
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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为________。
（2）下列说法正确的是（选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是________（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为________。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为________g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
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氮是极其重要的化学元素。我国科学家最近成功合成了超高含能材料聚合氮和金属氮。基于氮气的能源研究也是未来能源发展的重要方向。
(1)基态氮原子的价电子排布式为___________。
(2)14g氮气分子中原子轨道以“头碰头”方式形成的共价键数目为___________，以“肩并肩”方式形成的共价键数目为___________。
(3)C、N、O三种元素按第一电离能从大到小的排列顺序为___________。已知氧的第一电离能为1369kJ·mol－1、第二电离能为3512kJ·mol－1、第三电离能为5495 kJ·mol－1，其第二电离能增幅较大的原因是___________。
(4)某含氨配合物CrCl3·6NH3的化学键类型有配位键、极性共价键和___________。CrCl3·6NH3有三种异构体，分别是[Cr(NH)3)6]Cl3、___________、[Cr(NH)4Cl2] Cl·2NH3。
(5)NH4N3是在的高能量度材料，其品胞构如图所示。N3－是直线型结构，N3－中氮原子的杂化类型是___________。NH4+的 VSEPR模型名称为___________。
(6)已知NH4N3的晶胞参数为anm和0.5anm，阿伏加德罗常数的值为NA，则NH4N3的密度为___________g·cm－3。
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