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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图所示。已知 W 的一种核素的质量数为 18，中子数为 10；X 和 Ne 的核外电子数相差 1； 在Z所在的周期中，Z 元素的原子得电子能力最强；四种元素的最外层电子数之和为18。 请回答下列问题：
（1）X 元素位于元素周期表中位置为_____________。
（2）X 的单质和 Y 的单质相比，熔点较高的是____________（写化学式） 。 Z 所在族的简单氢化物中，沸点最高的是________(写化学式)，原因为_________________________。
（3）W、X、Z 三种元素形成的化合物中化学键类型为________；X2W2的电子式为___________________。
（4）Y 与 Z 形 成的化合物在常温下是一种液态，它和足量水反应，生成一种弱酸和一种强酸，该反应的化学方程式为__________________________。
（5）Z 的氧化物很多，其中一种黄绿色气体 M，其氧含量为 47.41％，可用于水处理， M 在液态和浓缩气态时具有爆炸性 。 M 的化学式为_____________。 M 可与 NaOH 溶液反应生成两种稳定的盐，它们的物质的量之比为 1︰5，该反应的化学方程式为___________________。
（6）在 25°C、101kPa 下，已知 Y 的简单气态氢化物在氧气中完全燃烧后恢复至原状态， 平均每转移 1mol 电子放热 190kJ, 该反应的热化学方程式为__________________________________。
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数的变化趋势如图所示。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X是短周期中金属性最强的元素；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期元素中最强。下列说法正确的是（ ）
A.对应气态氢化物的稳定性：Y＞W
B.对应简单离子的半径：W＞Z
C.化合物XZW中既含离子键也含共价键
D.Y的氧化物能与Z的最高价氧化物对应的水化物反应
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数的变化趋势如图所示。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X是短周期中金属性最强的元素；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期元素中最强。下列说法正确的是（ ）
A.对应气态氢化物的稳定性：Y＞W
B.对应简单离子的半径：W＞Z
C.化合物XZW中既含离子键也含共价键
D.Y的氧化物能与Z的最高价氧化物对应的水化物反应
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图所示。已知 W 的一种核素的质量数为18，中子数为10；X 和 Ne 的核外电子数相差1； 在Z所在的周期中，Z 元素的原子得电子能力最强；四种元素的最外层电子数之和为18。 请回答下列问题：
(1)X 元素位于元素周期表中位置为____________。
(2)Z 的同族简单氢化物中，稳定性最好的是________(写化学式)，原因__________________。
(3)W、X、Z 三种元素形成的化合物中化学键类型为___________；X2W2的电子式为________。
(4)Y 与 Z 形成的化合物YZ4在常温下是一种液态，它和足量水反应，生成一种弱酸和一种强酸，该反应的化学方程式为__________________________。
(5)Z 的氧化物很多，其中一种黄绿色气体M，其氧含量为 47.41％，可用于水处理， M 在液态和浓缩气态时具有爆炸性。 M 可与 NaOH 溶液反应生成两种稳定的盐，它们的物质的量之比为 1︰5，该反应的化学方程式为____________________。
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X和Ne原子的核外电子数相差1；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期元素中最强。下列说法不正确的是( )
A. 对应简单离子半径：X>W
B. 对应简单气态氢化物的稳定性：Y<Z
C. Y的氧化物能与X的最高价氧化物对应的水化物反应
D. 化合物X2W2既含离子键也含共价键
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数的变化如图。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X和Ne原子的核外电子数相差1；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期元素中最强。下列说法不正确的是（ ）
A.对应的简单离子的半径：X＜W
B.对应的简单气态氢化物的稳定性：Y＜Z
C.元素X、Z和W能形成多种化合物
D.Y的最高价氧化物对应的水化物具有强酸性
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X和Ne原子的核外电子数相差1；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期元素中最强。下列说法不正确的是
A.对应简单离子半径：X<W
B.对应简单气态氢化物的稳定性：Y<Z
C.化合物XZW既含离子键也含共价键
D.Y的氧化物能与Z或X的最高价氧化物对应的水化物反应
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W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子数变化如图所示
已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10，X和Ne原子的核外电子数相差1，Y的单质是一种常见的半导体材料，Z的非金属性在同周期元素中最强下列说法正确的是( )
A. 对应简单离子半径：
B. 对应气态氢化物的稳定性
C. 化合物XZW既含离子键，又含共价键
D. Y的氧化物与Z和X的最高价氧化物对应的水化物均能反应
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（10分）X、Y、W、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图所示。已知X的一种核素的质量数为18，中子数为10，Y和Ne原子的核外电子总数相差1；W的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期主族元素中最大。
（1）W位于元素周期表中第________周期第________族画出X的阴离子的结构示意图________。
（2）Z的氢化物和溴化氢相比，较稳定的是________（写化学式）；Z的氢化物与氟化氢相比，沸点较高的是________（写化学式）。
（3）Y的金属性与Mg的金属性相比，________（写化学式）的金属性强，请用实验证明它们金属性的相对强弱：________。
（4）写出Y的最高价氧化物对应的水化物与Z的最高价氧化物对应的水化物发生反应的化学反应方程式________。
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（10分）X、Y、W、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图所示。已知X的一种核素的质量数为18，中子数为10，Y和Ne原子的核外电子总数相差1；W的单质是一种常见的半导体材料；Z的非金属性在同周期主族元素中最大。
（1）W位于元素周期表中第 周期第 族画出X的阴离子的结构示意图 。
（2）Z的氢化物和溴化氢相比，较稳定的是 （写化学式）；Z的氢化物与氟化氢相比，沸点较高的是 （写化学式）。
（3）Y的金属性与Mg的金属性相比， （写化学式）的金属性强，请用实验证明它们金属性的相对强弱： 。
（4）写出Y的最高价氧化物对应的水化物与Z的最高价氧化物对应的水化物发生反应的化学反应方程式 。
已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10，X和Ne原子的核外电子数相差1，Y的单质是一种常见的半导体材料，Z的非金属性在同周期元素中最强
