硒化锌是一种透明黄色半导体，也可作红外光学材料，熔点1520℃。（1）锌离子的电子排布式是...

硒化锌是一种透明黄色半导体，也可作红外光学材料，熔点1520℃。

（1）基态锌原子的价电子排布式是_____________。

（2）根据元素周期律，电负性Se______S，第一电离能Se________As（填“>”或“<”）。

（3）H2Se的分子构型是___________，其中Se的杂化轨道类型是___________。

（4）H2O的沸点______________（填“>”或“<”）H2Se的沸点，其原因是：______。

（5）晶体Zn为六方最密堆积，其配位数是_______________。

（6）在硒化锌ZnSe晶胞中，Se2—离子作面心立方最密堆积，且Se2—与Se2—之间的最短距离为a nm，则晶胞边长为_____________ nm。

（7）假设阿伏伽德罗常数值为NA，则144g 硒化锌ZnSe晶体中的晶胞数是__________。

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硒化锌是一种透明黄色半导体，也可作红外光学材料，熔点1520℃。

（1）锌离子的电子排布式是_____________。

（2）根据元素周期律，电负性S______Se，第一电离能Se______As(填“>”或“<”）。

（3）H2O的沸点______________(填“>”或“<”）H2Se的沸点，其原因是：______。

（4）NaCl晶胞如图所示，阴、阳离子都具有球型对称结构，它们都可以看做刚性圆球，并彼此“相切”。晶胞中Na＋的配位数为____，若晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数的值用NA表示，若晶体密度为_______g·cm﹣3。(列出表达式）。

（5）铜晶体中铜原子的堆积方式如图所示，铜晶体中原子的堆积模型属于_______。若已知铜的原子半径为rcm，表示原子空间占有率的表达式为__________。

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硒化锌是一种透明黄色半导体，也可作红外光学材料，熔点1520℃。

（1）锌离子的电子排布式是_____________。

（2）根据元素周期律，电负性S______Se，第一电离能Se________As（填“>”或“<”）。

（3）H2O的沸点______________（填“>”或“<”）H2Se的沸点，其原因是：______。

（4）铜晶体中铜原子的堆积方式如图所示，铜晶体中原子的堆积模型属于______。若已知铜的原子半径为d厘米，表示原子空间占有率的代数式为_____________

（5）A是短周期中原子半径最大的元素； C是A所在周期电负性最大的元素；A、C两元素形成的化合物组成的晶体中，阴、阳离子都具有球型对称结构，它们都可以看做刚性圆球，并彼此“相切”。如下图所示为A、C形成化合物的晶胞结构图。

晶胞中距离一个A＋最近的C-围成的图形是______________（写名称），若晶体密度为ρ g·cm-3，阿伏加德罗常数的值用NA表示，晶体中距离最近的两个A＋之间的距离为________cm（用含NA与ρ的式子表达）。

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如图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中e单质对应元素原子的电子排布式：________。

（2）a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中σ键和π键个数之比为___。

（3）图中d单质的晶体堆积方式类型是：____。

（4）a与b元素形成的10电子中性分子X的空间构型为_____；将X溶于水后的溶液滴入含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为___，其中X与d的高价离子之间以___键组合。

（5）下列是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：，请简要说明该物质易溶于水的原因：_____________。

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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式 _______。

（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含____σ键，_____π键。

（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为_____；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为_____，其中X与d的高价离子之间以____ 键组合。

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图一是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低顺序，其中c、d均为热和电的良导体。

（1）单质d对应元素的基态原子M层电子排布式为_____，该元素位于元素周期表的____ 区。

（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 : 1形成的分子(相同条件下对H2的相对密度为13)中含σ键和π键的个数比为____，该分子中心原子的杂化轨道类型为________。

（3）单质b对应元素原子的最高能级电子云轮廓图形状为____ 形，将b的简单氢化 物溶于水后的溶液滴加到AgNO3溶液中至过量，所得络离子的结构可用示意图表示为_______。

（4）图二是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构，请简要说明该物质易溶于水的两个原因_____________。

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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式_________________________。

（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中含__________个σ键，__________个π键。

（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为__________；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为____________，其中X与d的高价离子之间以____________键结合。

（4）上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构为，请简要说明该物质易溶于水的原因________________________________。

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下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良

导体。下列判断不正确的是

A．e、f单质晶体熔化时克服的是共价键

B．d单质对应元素原子的电子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p²

C．b元素形成的最高价含氧酸易与水分子之间形成氢键

D．单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中含2个σ键，2个π键

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镍与VA族元素形成化合物是重要半导体材料，砷化镓(GaAs)是应用广泛的化工材料，回答问题：

（1）基态Ga原子核外电子排布式为_____，基态As原子核外有____个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：______________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为___，草酸根中碳原子的杂化方式为______。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞边长为a=565 pm。该晶体的类型为____，晶体的密度为_____（设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可）g·cm-3。（Ga和As的相对原子质量分别为70和75）

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