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硅、铜、镓、硒等化学物质可作为制造太阳能电池板的材料。
(1)镓是ⅢA族元素，写出基态镓原子的核外电子排布式__________________。
(2)硒为第四周期ⅥA族元素，与其相邻的元素有砷(33号)、溴(35号)，则三种元素的电负性由大到小的顺序为______________(用元素符号表示)。
(3)SeO3分子的立体构型为____，与硒同主族元素的氢化物(化学式为H2R)中，沸点最低的物质化学式为____。
(4)硅烷(SinH2n＋2)的沸点与其相对分子质量的关系如图所示，呈现这种变化的原因是____________。
(5)金属铜投入氨水中或投入过氧化氢溶液中均无明显现象，但投入氨水与过氧化氢的混合液中，则铜片溶解，溶液呈深蓝色，写出使溶液呈深蓝色的离子的化学式_____。
(6)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构，在晶胞中金原子位于顶点，铜原子位于面心，则该合金中金原子(Au)与铜原子(Cu)个数之比为____________，若该晶体的晶胞边长为a pm，则该合金的密度为________________g·cm－3(列出计算式，不要求计算结果，设阿伏加德罗常数的值为NA)。
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硅、铜、镓、硒等化学物质可作为制造太阳能电池板的材料。
(1)镓是ⅢA族元素，写出基态镓原子的核外电子排布式__________________。
(2)硒为第四周期ⅥA族元素，与其相邻的元素有砷(33号)、溴(35号)，则三种元素的电负性由大到小的顺序为______________(用元素符号表示)。
(3)SeO3分子的立体构型为____，与硒同主族元素的氢化物(化学式为H2R)中，沸点最低的物质化学式为____。
(4)硅烷(SinH2n＋2)的沸点与其相对分子质量的关系如图所示，呈现这种变化的原因是____________。
(5)金属铜投入氨水中或投入过氧化氢溶液中均无明显现象，但投入氨水与过氧化氢的混合液中，则铜片溶解，溶液呈深蓝色，写出使溶液呈深蓝色的离子的化学式_____。
(6)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构，在晶胞中金原子位于顶点，铜原子位于面心，则该合金中金原子(Au)与铜原子(Cu)个数之比为____________，若该晶体的晶胞边长为a pm，则该合金的密度为________________g·cm－3(列出计算式，不要求计算结果，设阿伏加德罗常数的值为NA)。
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硅、铜、镓、硒等化学物质可作为制造太阳能电池板的材料。
(1)镓是ⅢA族元素，写出基态镓原子的核外电子排布式__________________。
(2)硒为第四周期ⅥA族元素，与其相邻的元素有砷(33号)、溴(35号)，则三种元素的电负性由大到小的顺序为______________(用元素符号表示)。
(3)SeO3分子的立体构型为____，与硒同主族元素的氢化物(化学式为H2R)中，沸点最低的物质化学式为____。
(4)硅烷(SinH2n＋2)的沸点与其相对分子质量的关系如图所示，呈现这种变化的原因是____________。
(5)金属铜投入氨水中或投入过氧化氢溶液中均无明显现象，但投入氨水与过氧化氢的混合液中，则铜片溶解，溶液呈深蓝色，写出使溶液呈深蓝色的离子的化学式_____。
(6)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构，在晶胞中金原子位于顶点，铜原子位于面心，则该合金中金原子(Au)与铜原子(Cu)个数之比为____________，若该晶体的晶胞边长为a pm，则该合金的密度为________________g·cm－3(列出计算式，不要求计算结果，设阿伏加德罗常数的值为NA)。
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太阳能电池板材料除单晶硅外，还有铜、铟、镓、硒等化学物质。
（1）硼、铟与镓同是ⅢA族元素，写出镓元素基态原子的价电子排布图：_______________。B3N3H6可用来制造具有耐油、耐高温性能的特殊材料，它的一种等电子体的分子式为_________，B3N3H6分子中N、B原子的杂化方式分别为_________、______。
（2）多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、磷化镓及铜铟硒薄膜电池等。其中元素As、S、P、Ga的电负性由小到大的顺序为：______________________________________________。
（3）铜离子是人体内多种酶的辅因子，人工模拟酶是当前研究的热点。某化合物Y与Cu（Ⅰ）（Ⅰ表示化合价为+1）结合形成图甲所示的离子。该离子中含有化学键的类型有____________________（填序号）。
A．极性键 B．离子键 C．非极性键 D．配位键
（4）向氯化铜溶液中通入足量的二氧化硫，生成白色沉淀M， M的晶胞结构如图乙所示。写出该反应的离子方程式：________________________________________________。
（5）已知由砷与镓元素组成的化合物A为第三代半导体。已知化合物A的晶胞结构与金刚石相似，其晶胞结构如图丙所示，请写出化合物A的化学式_____________。设化合物A的晶胞边长为
pm，则每立方厘米该晶体中所含砷元素的质量为____________________g（NA表示阿伏加德罗常数的值）。
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太阳能电池板材料除单品硅外，还有含铜、铟、镓、硒等元素的化学物质。
（1）基态硅原子的价电子轨道表达式_________________。
（2）有一类组成最简单的有机硅化合物叫硅烷。硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似。硅烷中硅采取
______杂化方式，硅烷的沸点与相对分子质量的关系如下图所示现这种变化的原因是_______。
（3）硒和硫同为VIA族元素，与其相邻的元素有砷和溴，则三种元素的电负性由小到大的顺序为_____（用元素符号表示）。
（4）气态SeO3分子的立体构型为____________，与SeO3互为等电子体的一种阴离子为____________（填化学式）。
（5）CuCl的盐酸溶液吸收CO形成氯化羰基亚铜[CuCl（CO）2·H2O，通常形成二聚体，结构示意图如下。则该化合物中与Cu+形成配位键的原子是____________。
（6）一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆枳结构，在晶胞中金原子位于顶点，铜原子位于面心，则该合金中铜原子（Cu）与金原子（Au）个数比为______，若该晶体的晶胞棱长为anm，则该合金密度为
________（列出计算式，不要求计算结果，阿伏加徳罗常数的值为NA）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_______________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是__________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
pm，则每立方厘米该晶体中所含砷元素的质量为____________________g（NA表示阿伏加德罗常数的值）。