A、B、C、D、E、F均为周期表中前四周期的元素。请按要求回答下列问题。（1）已知A和B为...

A、B、C、D、E、F均为周期表中前四周期的元素。请按要求回答下列问题。

（1）已知A和B为第三周期元素，其原子的第一至第四电离能如下表所示：

下列有关A、B的叙述不正确的是（____）a.离子半径A<B　　　　　　　 b.电负性A<B　　　

c.单质的熔点A>B　　　　　　 d.A、B的单质均能与氧化物发生置换　　　

e.A的氧化物具有两性　　　 f.A、B均能与氯元素构成离子晶体

（2）C是地壳中含量最高的元素，C基态原子的电子排布式为_______。Cn-比D2+少l个电子层。二者构成的晶体的结构与NaCl晶体结构相似（如图一所示），晶体中一个D2+周围和它最邻近且等距离的D2+有_____个。

（3）E元素原子的最外层电子数是其次外层电子数的2倍，则乙酸分子中E原子的杂化方式有_____。E的一种单质其有空间网状结构，晶胞结构如图2。己知位于晶胞内部的4个原子，均位于体对角线的1/4或3/4处，E-E键长为apm，则E晶体的密度为_________g/cm3(用含有NA、a的式子表示）。

（4）F与硒元素同周期，F位于p区中未成对电子最多的元素族中，F的价电子排布图为

______，FO33-离子的空间构型为__________；F第一电离能_______硒元素（填“＞”或“<”)

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（本题共12分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

23、第三周期元素的原子所形成的简单离子中：还原性最弱的阴离子是　　　 ；氧化性最强的阳离子是　　　 。

24、下列事实可以作为S和Cl非金属性强弱的判断依据的是　　　 （选填序号）

a．Cl的最高正价比S高　　 　 　 b．可用浓H2SO4制HCl

c．HCl的酸性比H2S强　　 　　 d．Cl2与H2S反应生成S

25、硅元素最外层有　　　 种能量不同的电子；SiCl4的空间构型和CH4相同，写出SiCl4的电子式：　　　　　　　 。

26、PH3和NH3的某些化学性质相似。下列对晶体PH4I性质的推测，错误的是　　　 （选填序号）

a．PH4I是一种共价化合物　　　 b．PH4I能与烧碱溶液反应

c．PH4I加热后会发生升华　　　 d．PH4I溶液能与溴水反应

27、二氯化二硫(S2C12)可用作橡胶工业的硫化剂，它的分子结构与H2O2相似。下列有关说法不正确的是　　 （选填序号）

a．S 2C12分子中有4对共用电子对　　

b．S2C12分子中没有非极性键

c．S2C12分子中，S为+1价，Cl为-1价　

d．S2C12分子中各原子均为8电子稳定结构

28、已知NaHSO3溶液显酸性，溶液中存在以下平衡：

HSO3-+H2OH2SO3+OH-　 ①

HSO3-H++SO32-　　 ②

向0.1mol/L的NaHSO3溶液中加入少量氢氧化钠固体，则　　　 （填“增

大”“减小”或“不变”，后同），　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）第三周期元素的原子所形成的简单离子中：半径最大的阴离子是__；氧化性最强的阳离子是__．

（2）下列事实可以作为S和Cl非金属性强弱的判断依据的是__（选填序号）

a．Cl的最高正价比S高　　 b．可用浓H2SO4制HCl

c．HCl的酸性比H2S强　　　 d．Cl2与H2S反应生成S．

（3）硅元素最外层有__种能量不同的电子；SiCl4的空间构型和CH4相同，写出SiCl4的电子式：__．

（4）PH3和NH3的某些化学性质相似．下列对晶体PH4I性质的推测，错误的是__（选填序号）

a．PH4I是一种共价化合物　　 b．PH4I能与烧碱溶液反应

c．PH4I加热后会发生升华　　　 d．PH4I溶液能与溴水反应．

（5）二氯化二硫（S2C12）可用作橡胶工业的硫化剂，它的分子结构与H2O2相似．下列有关说法不正确的是__（选填序号）

a．S2C12分子中有4对共用电子对

b．S2C12分子中没有非极性键

c．S2C12分子中，S为+1价，Cl为﹣1价

d．S2C12分子中各原子均为8电子稳定结构．

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（本题10分）

元素的单质及其化合物有着广泛的用途。请根据元素周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题。

完成下列填空：

23．按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 　 　 　 。

A．原子半径和简单离子半径均减小　　

B．金属性减弱，非金属性增强

C．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　

D．单质的熔点降低

24．原子最外层电子数与次外层中p亚层电子数相同的元素名称是__________，磷元素原子最外层电子排布的轨道表示式是________________________________。

25．已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___________________________________。

26．晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：___________________________________。

27．KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式： _______________

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（15分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）氧化性最弱的简单阳离子的结构示意图是　　　　　　　　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）Na2S溶液长期放置有硫析出，原因为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （用离子方程式表示）。

（5）已知：2SO2(g)＋O2(g)2SO3(g)　　 平衡常数为K1

2NO(g)＋O2(g)2NO2(g)　　 平衡常数为K2

则反应NO2(g)＋SO2(g)SO3(g)＋NO(g)的平衡常数为K3＝　　　　　　　　 （用K1、K2来表达）

一定条件下，将NO2与SO2以体积比1:2置于密闭容器中发生上述反应，下列能说明反应达到平衡状态的是　　　　　　　　　　　　 。

a．体系压强保持不变　　　　　　　　　　

b．混合气体颜色保持不变

c．SO2和NO的体积比保持不变　　

d．每消耗1 mol SO3的同时生成1 mol NO2

测得上述反应平衡时NO2与SO2体积比为1∶6，则平衡常数K＝　　　　　　　　 。

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式　　　　　　　　 　　　　　 。

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　 。

a． NH3　　　　　 b． HI　　　　　 c． SO2　　　　 d ． CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。　　　　

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为

（3）已知：

工业制镁时的反应方程式是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，该反应的热化学方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的：

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　 　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　　　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：____。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是____。

a．NH3　 b．HI　 c．SO2　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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