多晶硅生产工艺流程如下：
（1）粗硅粉碎的目的是________。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为________。
（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)
Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K = ________。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有________。
（3）该流程中可以循环使用的物质是________。
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为________。
高三化学填空题中等难度题
多晶硅生产工艺流程如下：
（1）粗硅粉碎的目的是________。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为________。
（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K = ________。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有________。
（3）该流程中可以循环使用的物质是________。
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为________。
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多晶硅生产工艺流程如下：
（1）粗硅粉碎的目的是________。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为________。
（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)
Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K = ________。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有________。
（3）该流程中可以循环使用的物质是________。
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为________。
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下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程。
（1）用惰性电极电解饱和食盐水，写出常温下X与Z反应的化学方程式 。
（2）在合成SiHCl3的过程中，还会有生成副产物SiCl4。已知两物质的沸点分别为57.6℃和31.8℃，则提纯SiHCl3的方法是 。
（3）SiHCl3提纯后用H2还原：SiHCl3(g)+H2(g) 
Si(s)+3HCl(g)。不同温度及不同
时，反应物X的平衡转化率关系如图图20-1所示。
X是 （填“H2”或“SiHCl3”）。
②上述反应的平衡常数K（1150℃） K（950℃）（填“＞”、“＜”或“=”）。
（4）SiH4（硅烷）法生产高纯多晶硅是非常优异的方法。用粗硅作原料，熔融盐电解法制取硅烷原理如图20-2所示，电解时阳极的电极反应式为 。
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2
CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A.电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B.SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C.每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D.该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
对于反应2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
在343K下：要提高SiHCl3转化率，可采取的措施是___；要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有___、___。
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
对于反应2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
①343K时反应的平衡转化率α=___%。平衡常数K343K=__（保留2位小数）。
②在343K下：要提高SiHCl3转化率，可采取的措施是__；要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有___、___。
③比较a、b处反应速率大小：va___vb（填“大于”“小于”或“等于”）。反应速率v=v正-v逆=
-
，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，计算a处
=___（保留1位小数）。
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料，对于反应2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g) ＋SiCl4(g)，应速率v＝v正－v逆＝k正x2SiHCl3－k逆xSiH2Cl2xSiCl4，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列说法错误的是（ ）
A.该反应的正反应活化能大于逆反应活化能
B.a、b处反应速率大小：va大于vb
C.温度一定时使用更优质催化剂，可使k正、k逆增大，k正与k逆的比值增大
D.343K时反应的平衡常数K=
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