工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2
CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
高三化学单选题中等难度题
工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A. 电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B. SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C. 每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D. 该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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工业上制备高纯硅有多种方法，其中的一种工艺流程如下：
已知：流化床反应的产物中，除SiCl4外，还有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列说法正确的是
A.电弧炉中发生的反应为C＋SiO2CO2↑＋Si
B.SiCl4进入还原炉之前需要经过蒸馏提纯
C.每生产l mol高纯硅，需要44. 8L Cl2（标准状况）
D.该工艺Si的产率高，符合绿色化学要求
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恒容条件下，1 mol SiHCl3发生如下反应：2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g)＋SiCl4(g)。已知：v正＝v消耗(SiHCl3)＝k正x2(SiHCl3)，v逆＝2v消耗(SiH2Cl2)＝k逆x(SiH2Cl2)x(SiCl4)，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数(仅与温度有关)，x为物质的量分数。如图是不同温度下x(SiHCl3)随时间的变化。下列说法正确的是
A. 该反应为放热反应，v正，a<v逆，b
B. T1 K时平衡体系中可通过移走SiCl4提高SiHCl3的转化率
C. 当反应进行到a处时，v正/v逆＝16/9
D. T2 K时平衡体系中再充入1 mol SiHCl3，平衡正向移动，x(SiH2Cl2)增大
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
对于反应2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
在343K下：要提高SiHCl3转化率，可采取的措施是___；要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有___、___。
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三氯氢硅（SiHCl3）是制备硅烷、多晶硅的重要原料。回答下列问题：
对于反应2SiHCl3(g)=SiH2Cl2(g)+SiCl4(g)，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。
①343K时反应的平衡转化率α=___%。平衡常数K343K=__（保留2位小数）。
②在343K下：要提高SiHCl3转化率，可采取的措施是__；要缩短反应达到平衡的时间，可采取的措施有___、___。
③比较a、b处反应速率大小：va___vb（填“大于”“小于”或“等于”）。反应速率v=v正-v逆=
-
，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，计算a处
=___（保留1位小数）。
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料，对于反应2SiHCl3(g)
SiH2Cl2(g) ＋SiCl4(g)，应速率v＝v正－v逆＝k正x2SiHCl3－k逆xSiH2Cl2xSiCl4，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列说法错误的是（ ）
A.该反应的正反应活化能大于逆反应活化能
B.a、b处反应速率大小：va大于vb
C.温度一定时使用更优质催化剂，可使k正、k逆增大，k正与k逆的比值增大
D.343K时反应的平衡常数K=
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三氯氢硅(SiHCl3)是制备硅烷、多晶硅的重要原料，对于反应2SiHCl3(g)SiH2Cl2(g) ＋SiCl4(g)，应速率v＝v正－v逆＝k正x2SiHCl3－k逆xSiH2Cl2xSiCl4，k正、k逆分别为正、逆向反应速率常数，x为物质的量分数，采用大孔弱碱性阴离子交换树脂催化剂，在323K和343K时SiHCl3的转化率随时间变化的结果如图所示。下列说法错误的是（ ）
A.该反应的正反应活化能大于逆反应活化能
B.a、b处反应速率大小：va大于vb
C.温度一定时使用更优质催化剂，可使k正、k逆增大，k正与k逆的比值增大
D.343K时反应的平衡常数K=
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多晶硅生产工艺流程如下：
（1）粗硅粉碎的目的是________。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为________。
（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)
Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K = ________。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有________。
（3）该流程中可以循环使用的物质是________。
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为________。
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