砷（As）的化合物丰富多彩，砷的氧化物的分子结构如图。GaAs是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似，下列说法错误的是
A.砷的氧化物是分子晶体 B.砷氧化物的分子式为As6O4
C.GaAs是原子晶体 D.熔、沸点：GaAs>砷的氧化物
高三化学单选题中等难度题
砷（As）的化合物丰富多彩，砷的氧化物的分子结构如图。GaAs是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似，下列说法错误的是
A.砷的氧化物是分子晶体 B.砷氧化物的分子式为As6O4
C.GaAs是原子晶体 D.熔、沸点：GaAs>砷的氧化物
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砷（As）的化合物丰富多彩，砷的氧化物的分子结构如图。GaAs是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似，下列说法错误的是
A.砷的氧化物是分子晶体 B.砷氧化物的分子式为As6O4
C.GaAs是原子晶体 D.熔、沸点：GaAs>砷的氧化物
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键 b.极性键 c．离子键 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。
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（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是。
②SO2分子的空间构型为。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为。
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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为________。
（2）下列说法正确的是（选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是________（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为________。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为________g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO2分子的空间构型为▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。
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⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO2分子的空间构型为▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。
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